プラズマ・エッチングの英語

シリコン基板を含むプラズマ・エッチング・チャンバの中に酸素とシリコン・エッチング剤が導入される。例文帳に追加

Oxygen and a silicon etching agent are introduced into a plasma etching chamber including a silicon substrate. - 特許庁

第１の材料は第２の材料よりもイオン・ミリングに高い耐性を有し、また第２の材料よりもプラズマ・エッチングに低い耐性を有する。例文帳に追加

A first material has higher resistance against ion milling than the second material and has lower resistance in plasma etching than the second material. - 特許庁

プラズマ・エッチング・プロセスを実施することによって、少なくとも開口において、材料が基板から除去される。例文帳に追加

By conducting plasma-etching process, materials are removed from the substrate, at least at the apertures. - 特許庁

帯電粒子からウェハを遮蔽するためにウェハに磁場を印加する磁石を備えたウェハ・チャックを有するプラズマ・エッチング・システムを提供する。例文帳に追加

To provide a plasma etching system having a wafer chuck including a magnet that applies a magnetic field over a wafer to shield the wafer from charged particles. - 特許庁

このため、そのプラズマ・エッチング工程で使用されるエッチング・ガス中の炭素に起因する炭素化合物が、前記半導体基板の表面（特に分離領域の表面）に残留する恐れがなくなる。例文帳に追加

Thus, there is no risk that any carbon compound derived from carbon contained in the etching gas used in this plasma etching process may reside on the semiconductor substrate surface (especially the surfaces of isolated regions). - 特許庁

メモリセル部を覆うマスク４３をサイドウォール形成用のＳｉＯ__2膜２５上に形成した後、炭素を含むエッチング・ガスを用いてＳｉＯ_2膜２５を選択的にプラズマ・エッチングする。例文帳に追加

After forming a mask 43 covering memory cells on a side wall forming SiO2 film 25, and this film 25 is selectively plasma-etched, using a carbon-containing etching gas. - 特許庁

パターン形成されたＳｉＯ_2キャップ層を介して薄いＳｉＯ_2層の上のポリシリコン層をプラズマ・エッチングして、実質的に垂直なプロファイルを有するポリシリコン線を形成する、改良された方法を提供する。例文帳に追加

To provide an improved method which forms a polysilicon line having a substantially vertical profile, by plasma-etching the polysilicon layer on a thin SiO2 layer through a patterned SiO2 cap layer. - 特許庁

薄いＳｉＯ_2層の上に形成されたポリシリコン層を、パターン形成されたＳｉＯ_2キャップ層を介して、ＨＢｒ／ＨｅＯ_2ベースの化学反応を用いてプラズマ・エッチングする。例文帳に追加

A polysilicon layer made on a thin SiO2 layer is plasma-etched, using a chemical reaction based on HBr/HeO2, via a patterned SiO2 cap layer. - 特許庁