plasma etching damageとは 意味・読み方・使い方

To provide a plasma processing method capable of preventing the generation of an etching stop without causing damage to a photoresist film layer.例文帳に追加

フォトレジスト膜層を損傷することなくエッチストップの発生を防止することが可能なプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

The damage is suppressed by forming a conductive layer so that charged particles due to plasma during dry etching are not generated in a semiconductor layer.例文帳に追加

ドライエッチングのプラズマによる荷電粒子の発生を、半導体層に達しないように、導電層を形成してダメージを抑制する。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method for processing plasma capable of continuously etching source and drain electrodes and a doped layer at a high etching rate and with little damage to the middle of a channel layer in the same etching chamber.例文帳に追加

連続して同一のエッチング室にてソース及びドレイン電極とドーピング層をエッチングし、チャンネル層の途中まで高速に、かつ、低ダメージにてエッチングすることが可能な、プラズマ処理方法及び装置を提供する。 - 特許庁

Since the conductive film is formed on all of the surface, a density of electric charges accumulated in a gate electrode can be reduced in processing with plasma (plasma process) like anisotropic etching, and the damage due to the plasma process can be reduced.例文帳に追加

導電性膜が全面に形成されていることにより、異方性エッチング等のプラズマによる処理（プラズマプロセス）においてゲート電極に蓄積される電荷密度を低減でき、プラズマプロセスによる損傷を低減できる。 - 特許庁

Since the surface of the electrode is composed of a metal insusceptible to etching, influence of damage due to plasma and influence of corrosion due to etching gas onto a p-electrode is reduced.例文帳に追加

前記電極の表面が、エッチングに対し影響を受けにくい金属からなるため、プラズマによるダメージや、エッチングガスによる腐食等でｐ電極が受ける影響は少なくなる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a silicon carbide semiconductor device used for manufacturing a silicon carbide semiconductor device uniform in channel length without giving plasma damage owing to plasma etching to a channel region.例文帳に追加

チャネル長の均一な炭化珪素半導体装置を、チャネル領域にプラズマエッチングによるプラズマダメージを与えずに製造する炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To protect the channel region of a semiconductor film against radiation damage when the deposited semiconductor film etc. is subjected to plasma etching for patterning.例文帳に追加

成膜された半導体膜等をプラズマエッチングによりパターニングするとき、半導体膜のチャネル領域が放射ダメージを受けないようにする。 - 特許庁

To provide an accurate plasma etching method suppressing a damage on a device by developing a plasma treatment method using a non-greenhouse effect gas to achieve global environmental protection and improvement of performance of a plasma process.例文帳に追加

地球環境保全およびプラズマプロセスの高性能化を実現するため、非温室効果ガスを用いたプラズマ処理方法を開発し、デバイスへの損傷を抑制することができる高精度のプラズマエッチング方法を提供すること。 - 特許庁