プラズマ境界の英語

これにより、対向する磁力線９、１０が作る両外部磁場の境界では大きな半径まで磁力線９が存在し、プラズマ６の大面積化と、そのプラズマ境界端面を明確にできる。例文帳に追加

The magnetic lines of force 9 exist to a large radius at the boundary between both external magnetic fields formed by the opposing magnetic lines of force 9, 10, plasma is generated in a large area, and the plasma boundary end face can be clarified. - 特許庁

アンテナ側磁力線９で示す外部磁場に沿って伝播するヘリコン波やスロー波等の波動をアンテナ３で励起するプラズマ発生装置において、プラズマ６を大面積化し、プラズマ境界端面を明確化し、基板等の処理材料１１の位置選択を可能にすること。例文帳に追加

To generate plasma in a large area, to clarify the plasma boundary end face and to allow the position selection of a process material such as a substrate in a plasma generator exciting the wave motion of the helicon wave or slow wave propagating along the external magnetic field shown by the magnetic lines of force on the antenna side with an antenna. - 特許庁

上流プラズマ境界層遮蔽システムを作動させる方法は、壁の外側高温表面に沿ってフィルム冷却開口を覆って下流方向に延びるプラズマを形成する段階を含む。例文帳に追加

A method for operating the upstream plasma boundary layer shielding system includes a step of forming plasm covering the film cooling opening along the outer high temperature surface of the wall and extending in the downstream direction. - 特許庁

下流プラズマ境界層遮蔽システムを作動させる方法は、壁の外側高温表面に沿ってフィルム冷却開口を覆って下流方向に延びるプラズマを形成する段階を含む。例文帳に追加

A method for operating the downstream plasma boundary layer shielding system includes a step of forming plasm covering the film cooling opening along the outer high temperature surface of the wall and extending in the downstream direction. - 特許庁

そしてマスクパターン形成後の半導体ウェハ１をプラズマ処理することにより半導体ウェハ１の境界線領域をプラズマエッチングにより除去して半導体素子１ｃ毎に分割する。例文帳に追加

The method further includes a step of plasma processing the semiconductor wafer 1 after the mask pattern is formed to remove the boundary region of the semiconductor wafer 1 by plasma etching, and a step of dividing each semiconductor element 1c. - 特許庁

内側領域と外側領域との境界は、フォーカスリングをプラズマエッチング装置に組み込み、基板に対してプラズマによりエッチングを行ったときに消耗の程度が変わる部位とする。例文帳に追加

The boundary between the inner and outer regions is taken as a portion where the level of consumption changes when the focus ring is incorporated in a plasma etcher to etch a substrate with plasma. - 特許庁

また、プラズマ境界端面が明確なので、このプラズマ端面の内外に目的のプロセスに応じて大口径の基板等の処理材料１１を位置選択して設置することができる。例文帳に追加

Since the plasma boundary end face is made clear, a process material 11 such as a large-diameter substrate can be installed via position selection according to the aimed process on the inside or outside of the plasma end face. - 特許庁

空中移動プラットフォームの飛行を制御する方法および物体の表面上の境界層流に影響を及ぼすためのプラズマアクチュエータ例文帳に追加

METHOD OF CONTROLLING FLIGHT OF AIR MOVABLE PLATFORM AND PLASMA ACTUATOR FOR AFFECTING BOUNDARY LAYER FLOW ON SURFACE OF OBJECT - 特許庁