plasma etcherとは 意味・読み方・使い方

To provide a Y_2O_3 sintered compact which is suitable for a plasma-resistant member such as an etcher for semiconductor production, excellent in plasma resistance and is dense, and has high lightness.例文帳に追加

半導体製造用エッチャーなどの耐プラズマ部材に適し、耐プラズマ性に優れ、緻密で高い明度を有するＹ_２Ｏ_３焼結体を提供する。 - 特許庁

The silicon ring for use of the plasma etcher comprises the support ring 1, the focus ring, and the shield ring 12 made of polycrystalline silicon made of ultrafine crystal grains with an average particle diameter of 1 μm or less.例文帳に追加

プラズマエッチング装置用シリコンリングを平均結晶粒径：１μｍ以下の超微細結晶粒からなる多結晶シリコンで構成されている支持リング１、フォーカスリング、シールドリング１２とする。 - 特許庁

The Y_2O_3 sintered compact suitable for a plasma-resistant member such as the etcher for semiconductor production, excellent in plasma resistance, is dense and having high lightness can be obtained by firing a formed body obtained by using a Y_2O_3 raw material at 1,710-1,850°C in a hydrogen atmosphere.例文帳に追加

本Ｙ_２Ｏ_３焼結体は、Ｙ_２Ｏ_３原料を用いた成形物を水素雰囲気、１７１０〜１８５０℃で焼成し、焼結体密度が４．８５ｇ／ｃｍ^３以上、ＭоＯ_２含有量が５ｐｐｍ以下でかつ明度がＮ８．０以上であるＹ_２Ｏ_３焼結体。 - 特許庁

In the supply control mechanism 19 of etching gas, the ratio of the mix gas of chlorine gas and oxygen gas, mix gas including chlorine gas, oxygen gas and helium gas here is adjusted by using a TCP etcher, and gas is supplied into a chamber 11 and is made into plasma.例文帳に追加

ＴＣＰエッチャーを用い、エッチングガスの供給制御機構１９では塩素ガス及び酸素ガスの系の混合ガス、ここでは塩素ガス、酸素ガス、ヘリウムガスを含む混合ガスの比率を調整してチャンバー１１内に供給し、プラズマ化する。 - 特許庁

The silicon ring having an inner step 14 for supporting a material under etching opposite to an upper electrode plate in a plasma etcher has an etch-durable film 24 formed on at least the supporting surface 21 of the inner step 14 of the ring.例文帳に追加

プラズマエッチング装置内で上部電極板と相対向する位置に設置される被エッチング物を支持するための内段１４を有するシリコン製リングにおいて、前記シリコン製リングの内段１４の少なくとも支持面２１に耐エッチング性被膜２４を形成したことを特徴とする。 - 特許庁

A dry etcher having a lower electrode housed in a vacuum vessel for holding a wafer 10 to be processed by introducing an etching gas and applying high-frequency power to generate a discharge plasma, comprises an electrostatic chuck mechanism housed in the vacuum vessel for fixing the wafer and a cover ring 13 housed in a process chamber for covering the upper side of the periphery of the wafer or above it.例文帳に追加

真空容器内に被処理ウェハ10を保持する下部電極を収容し、エッチングガスが導入され、高周波電力が印加されることによって放電プラズマを発生するドライエッチング装置において、真空容器内に収容され、ウェハを固定するための静電チャック機構と、処理容器内に収容され、ウェハの周辺部の上面あるいは上方を覆うカバーリング13とを具備する。 - 特許庁