プロキシミティギャップの英語

第１フォトマスク２９及び第２フォトマスク６５は、帯状ワーク１１に対してプロキシミティギャップを隔てて配置されており、それぞれのマスクパターンが周期的なパターンとして帯状ワーク１１に露光される。例文帳に追加

The first photomask 29 and the second photomask 65 are disposed leaving a proximity gap from the belt-like work 11, and the respective mask patterns are transferred as a periodical pattern by exposure onto the belt-like work. - 特許庁

シリコンウエハ２を加熱または冷却するための温度調節装置の熱伝導板１におけるプロキシミティギャップ３の近辺に、真空源に接続されて上記シリコンウエハ２を吸着する吸着孔５を備える。例文帳に追加

Sucking holes 5 connected to a vacuum source for sucking a silicon wafer are provided near proximity gaps 3 in the heat conducting plate 1 of the temperature adjusting apparatus for heating or cooling the silicon wafer 2. - 特許庁

フォトマスク２９は、帯状ワーク１１に対してプロキシミティギャップを隔てて配置されており、マスクパターン３３が周期的なパターンとして帯状ワーク１１に露光される。例文帳に追加

The photomask 29 is disposed leaving a proximity gap with respect to the belt-like work 11, and a mask pattern 33 is transferred by exposure as a periodical pattern onto the belt-like work 11. - 特許庁

大型のフォトマスクを用いてプロキシミティ露光を行う際に、所定のプロキシミティギャップの調整が容易な露光装置および露光方法を提供する。例文帳に追加

To provide an exposure device and an exposure method which facilitate an adjustment of a predetermined proximity gap when implementing proximity exposure with a large-sized photomask. - 特許庁

フォトリソグラフィによる集積回路やマイクロマシンの加工において、被写界深度やプロキシミティギャップ許容偏差を超える段差があっても露光が可能な微細構造配置方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for arranging a micro structure by which exposing can be conducted even if there is any gap exceeding a field depth or a proximity gap allowable deflection in processing of an integrated circuit or a micro machine by lithography. - 特許庁

基板１００とフォトマスク５とをプロキシミティギャップを介して対向させて露光を行う露光装置１において、基板１００の表面の高さを計測する計測装置８と、フォトマスクを上下動させる駆動装置７と、ステージ２をＸＹ方向へ移動させる駆動装置３と、フォトマスク５と基板１００との間の間隙量をプロキシミティギャップの適正範囲に維持するように駆動装置３及び駆動装置７を制御する制御装置１０とを備える。例文帳に追加

This exposing method exposing by facing a substrate 100 to a photomask 5 via the proximity gap P comprises processes of: specifying height of the surface of the substrate; and relatively moving the photomask and the substrate along the substrate, while relatively vertically moving the photomask and the substrate so that a gap between the photomask and the substrate is maintained within a proper range of the proximity gap, based on the specified height. - 特許庁

パターン形成用のフォトマスク３Ａを保持すると共に該フォトマスクの上面に気密室３Ｄを有するマスクホルダ３に対して、露光対象の基板１Ｃを保持する露光チャック２を相対的に移動することにより、該基板とフォトマスクとの間に所定のプロキシミティギャップを形成する。例文帳に追加

A predetermined proximity gap is formed between a base plate 1C to be exposed and a photomask 3A for forming a pattern by relatively moving an exposure chuck 2 holding the base plate 1C to a mask holder 3 having a photomask 3A and an airtight chamber 3D at the upper surface of the photomask 3A. - 特許庁

基板１００とフォトマスク４とをプロキシミティギャップＰを介して対向させて露光を行う露光方法において、フォトマスク４の周囲から基板１００とフォトマスク４との間隙の給排気を行い、基板１００とフォトマスク４との間隙における圧力を調整する。例文帳に追加

In the exposure method by disposing a substrate 100 and a photomask 4 opposing through a proximity gap P for carrying out exposure, gas is supplied to and discharged from the gap between the substrate 100 and the photomask 4 through the periphery of the photomask 4 so as to control the pressure in the gap between the substrate 100 and the photomask 4. - 特許庁