マルチレベル‐セルの英語

マルチ−レベルセルを有するフラッシュメモリ装置のプログラム制御回路及びそのプログラム制御方法例文帳に追加

PROGRAM CONTROL CIRCUIT AND METHOD FOR FLASH MEMORY DEVICE HAVING MULTI-LEVEL CELL - 特許庁

‘０１’のデータがプログラムされるマルチレベルセルをプログラム動作が連続して行われるようにし、全体としてのプログラム時間を短縮する。例文帳に追加

To shorten a program time as the whole by performing continuously program operation in multi-level cells in which "01" data is programmed. - 特許庁

変更された読み出し電圧を用いるマルチレベルセルを含む不揮発性メモリ装置及びシステム、並びにその動作方法例文帳に追加

NON-VOLATILE MEMORY DEVICE AND SYSTEM INCLUDING MULTI-LEVEL CELL USING MODIFIED READ VOLTAGE, AND METHOD OF OPERATING THE SAME - 特許庁

本発明の実施形態に係るメモリ装置は、複数のマルチレベルセルを含むマルチレベルセルアレイと、複数のマルチレベルセルに第１データページをプログラムし、第１データページがプログラムされたマルチレベルセルに第２データページをプログラムするプログラミング部と、第１データページまたは第２データページに対するプログラムレベルを安定化するプログラムレベル安定化部とを備えることができる。例文帳に追加

The memory device is provided with a multilevel cell array including a plurality of multilevel cells, a programming unit for programming a first data page in the plurality of multilevel cells and a second data page in the multilevel cell where the first data page is programmed, and a program level stabilization unit for stabilizing a program level of the first data page or the second data page. - 特許庁

データ検証回路を用いて、マルチレベルセルのプログラム動作を実行することにより、その占有面積を減らすことが可能なページバッファ回路の提供。例文帳に追加

To provide a page buffer circuit capable of reducing its occupied area by using a data verification circuit to execute the program operation of a multilevel cell. - 特許庁

インジケータセルを備えた不揮発性メモリ装置を提供すると共に、上記インジケータセルを用いて一部の検証動作を省略し得る不揮発性メモリ装置のマルチレベルセルプログラム方法を提供するものである。例文帳に追加

To provide a nonvolatile memory unit including an indicator cell, and to provide a multilevel cell programming method which can skip part of the verification process utilizing the indicator cell. - 特許庁

プログラム開始電圧を特定の値に固定させず、プログラムされる状態に応じて可変的に設定することが可能な不揮発性メモリ装置のプログラム方法およびマルチレベルセルプログラム方法を提供する。例文帳に追加

To provide a programming method and a multilevel cell programming method of a nonvolatile memory device, which attain variable setting according to a programming state without fixing a program start voltage to a specific value. - 特許庁

さまざまな実施の形態に従うと、マルチレベルセル（ＭＬＣ）磁気メモリセルスタックは、第１の制御線に接続された第１および第２の磁気メモリ素子と、第２の制御線に接続されたスイッチング素子とを有する。例文帳に追加

In accordance with various embodiments, a multi-level cell (MLC) magnetic memory cell stack has first and second magnetic memory elements connected to a first control line and a switching element connected to a second control line. - 特許庁