「マルチレベル‐セル」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

マルチレベルセルを有するフラッシュメモリ装置とその読み出し方法及びプログラム方法例文帳に追加

FLASH MEMORY DEVICE HAVING MULTI-LEVEL CELL AND ITS READING METHOD AND PROGRAMMING METHOD - 特許庁

マルチレベルセル（ＭＬＣ）メモリセルのアレイを管理するための装置および方法である。例文帳に追加

Provided are an apparatus and a method for managing an array of multi-level cell (MLC) memory cells. - 特許庁

マルチ−レベルセルを有するフラッシュメモリ装置のプログラム制御回路及びそのプログラム制御方法例文帳に追加

PROGRAM CONTROL CIRCUIT AND METHOD FOR FLASH MEMORY DEVICE HAVING MULTI-LEVEL CELL - 特許庁

‘０１’のデータがプログラムされるマルチレベルセルをプログラム動作が連続して行われるようにし、全体としてのプログラム時間を短縮する。例文帳に追加

To shorten a program time as the whole by performing continuously program operation in multi-level cells in which "01" data is programmed. - 特許庁

変更された読み出し電圧を用いるマルチレベルセルを含む不揮発性メモリ装置及びシステム、並びにその動作方法例文帳に追加

NON-VOLATILE MEMORY DEVICE AND SYSTEM INCLUDING MULTI-LEVEL CELL USING MODIFIED READ VOLTAGE, AND METHOD OF OPERATING THE SAME - 特許庁

本発明の実施形態に係るメモリ装置は、複数のマルチレベルセルを含むマルチレベルセルアレイと、複数のマルチレベルセルに第１データページをプログラムし、第１データページがプログラムされたマルチレベルセルに第２データページをプログラムするプログラミング部と、第１データページまたは第２データページに対するプログラムレベルを安定化するプログラムレベル安定化部とを備えることができる。例文帳に追加

The memory device is provided with a multilevel cell array including a plurality of multilevel cells, a programming unit for programming a first data page in the plurality of multilevel cells and a second data page in the multilevel cell where the first data page is programmed, and a program level stabilization unit for stabilizing a program level of the first data page or the second data page. - 特許庁

データ検証回路を用いて、マルチレベルセルのプログラム動作を実行することにより、その占有面積を減らすことが可能なページバッファ回路の提供。例文帳に追加

To provide a page buffer circuit capable of reducing its occupied area by using a data verification circuit to execute the program operation of a multilevel cell. - 特許庁

インジケータセルを備えた不揮発性メモリ装置を提供すると共に、上記インジケータセルを用いて一部の検証動作を省略し得る不揮発性メモリ装置のマルチレベルセルプログラム方法を提供するものである。例文帳に追加

To provide a nonvolatile memory unit including an indicator cell, and to provide a multilevel cell programming method which can skip part of the verification process utilizing the indicator cell. - 特許庁

プログラム開始電圧を特定の値に固定させず、プログラムされる状態に応じて可変的に設定することが可能な不揮発性メモリ装置のプログラム方法およびマルチレベルセルプログラム方法を提供する。例文帳に追加

To provide a programming method and a multilevel cell programming method of a nonvolatile memory device, which attain variable setting according to a programming state without fixing a program start voltage to a specific value. - 特許庁

さまざまな実施の形態に従うと、マルチレベルセル（ＭＬＣ）磁気メモリセルスタックは、第１の制御線に接続された第１および第２の磁気メモリ素子と、第２の制御線に接続されたスイッチング素子とを有する。例文帳に追加

In accordance with various embodiments, a multi-level cell (MLC) magnetic memory cell stack has first and second magnetic memory elements connected to a first control line and a switching element connected to a second control line. - 特許庁

特にマルチレベルセル（ＭＬＣ）におけるセル維持特性のためにセル電圧が変化する場合でも、正確にセル情報を読み出すことを可能にするメモリ素子の読み出し方法を提供する。例文帳に追加

To provide a read-out method of a memory element by which cell information can be read out accurately even when cell voltage is varied due to a cell keeping property in, especially, a multilevel cell (MLC). - 特許庁

マルチ-レベルセルのプログラム制御回路及びそのプログラム制御方法において、進行されるプログラムサイクルの回数によりワードラインバイアス電圧の供給時間を選択的に調節し、オーバー-プログラムを防止し、プログラム時間を減少する。例文帳に追加

To prevent overprogramming and to shorten programming time by selectively adjusting the time for supplying a word line bias voltage based on program cycles being in progress in a program control circuit and method for multi-level cells. - 特許庁

データ検証回路を用いて、データ比較回路を備えなくてもマルチレベルセルのプログラム動作を実行することにより、フラッシュメモリ装置の大きさを減らすことが可能なフラッシュメモリ装置のプログラム動作方法を提供する。例文帳に追加

To provide a programming operation method for a flash memory device, capable of reducing the size of a flash memory device by using a data verification circuit to perform a programming operation of a multi-level cell without a data comparison circuit. - 特許庁

メモリシステム３００は、複数のコンピュータ装置と接続されるコントローラ３１０と、該コントローラと接続される複数のマルチレベルセル（MLC）装置３２０と、コントローラ３１０及び複数のMLC装置３２０と接続されるシングルレベルセル（SLC）装置３３０とを備えている。例文帳に追加

The memory system 300 includes a controller 310 configured to be coupled to a plurality of computing devices, a plurality of Multi-Level Cell (MLC) devices 320 coupled to the controller, and a Single-Level Cell (SLC) device 330 coupled to the controller 310 and the plurality of MLC devices 320. - 特許庁

複数のビットライン対と複数のワードラインにそれぞれ連結される複数のマルチレベルセルと、入力データを格納し、前記入力データあるいは反転された入力データを出力する上位ビットレジスタと、前記上位ビットレジスタを介して入力データの伝達を受ける下位ビットレジスタを含むページバッファ回路とを含むフラッシュメモリ装置のプログラム動作方法。例文帳に追加

The programming operation method for a flash memory device includes: a plurality of multi-level cells connected to a plurality of bit line pairs and a plurality of word lines respectively; and a page buffer circuit including a high-order bit register for storing input data and outputting the input data or inverted input data, and a low-order bit register for receiving the transmission of the input data through the high-order bit register. - 特許庁

本発明によるマルチレベルセルを有するフラッシュメモリ装置は、メモリセルアレイと、ビットラインをプリチャージする手段と、前記ビットラインに電圧を供給するビットライン電圧供給回路と、互いに機能を異にする第１乃至第３ラッチ回路とを含み、ＬＳＢとＭＳＢに分けて読み出し動作及びプログラム動作を実行する。例文帳に追加

The flash memory device having multi-level cells comprises a memory cell array, a means for previously charging bit lines, a bit line voltage supply circuit for supplying voltage to bit lines, and a 1st to 3rd latch circuits whose functions are mutually different and executes reading operation and programming operation by dividing bits into the LSB and MSM. - 特許庁

本発明は、フラッシュメモリ素子のプログラム方法に関するものであり、マルチレベルセルを有するフラッシュメモリ素子のプログラム動作時、最も広いしきい値電圧分布の幅を有する“10”状態のしきい値電圧の分布幅を減らして素子の信頼性を向上させるフラッシュメモリ素子のプログラム方法が開示される。例文帳に追加

To provide a program method of a flash memory device by which reliability of the device is enhanced by reducing distribution width of a threshold voltage of a state "10" having the widest threshold voltage distribution width during program operation of the flash memory device having a multi-level cell. - 特許庁

オーバプログラムに起因する読出し欠陥を改善することができ、セルのプログラム時にしきい値電圧ターゲットを自由に設定することができ、マルチレベルセルのプログラム方法としても使用可能なフラッシュメモリセルのプログラム方法及びこれを用いたＮＡＮＤ型フラッシュメモリのプログラム方法を提供する。例文帳に追加

To provide a programming method of a flash memory cell by which read-out defect caused by over-program can be improved, a threshold voltage target can be set freely at the time of programming of a cell, and which can be used also as a programming method of a multi-level cell, and a programming method of a NAND type flash memory using this. - 特許庁

マルチレベルセルにおいてハードマスク層を用いて１つのセルに大きさの異なる２つのフローティングゲートを簡単に形成することにより、トンネル酸化膜の膜質の低下を防止することができ、カップリング比を増加させることができるフラッシュＥＥＰＲＯＭセル及びその製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a flash EEPROM cell of a multi-level type which can prevent reduction of the quality of a tunnel oxidation film and can increase a coupling ratio, by simply forming two floating gates having different sizes for a single cell with use of a hard mask layer, and also to provide a method for manufacturing the cell. - 特許庁