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ムロウの英語
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「ムロウ」を含む例文一覧
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アクリル系粉体塗料組成物及びアルミニウムロウ付け部被覆用アクリル系粉体塗料組成物例文帳に追加
ACRYLIC POWDER COATING COMPOSITION AND ACRYLIC POWDER COATING COMPOSITION FOR COATING ALUMINUM-BRAZED PART - 特許庁
この時、半導体レーザーチップ１０１の周囲（両脇）に島状の余剰インジウムロウ材１０６ａ、１０６ｂが残留する。例文帳に追加
In this case, excessive indium soldering materials 106a and 106b remain as an island around (on both sides) the semiconductor laser chip 101. - 特許庁
半導体レーザーチップ１０１の単位面積当たりの量が０．８から１６ｍｇ／ｍｍ^２の範囲内であるインジウムロウ材を用い、半導体レーザーチップ１０１をヒートシンク１０２に対して約３０μｍの厚さを有するインジウムロウ材によってロウ付け接合する。例文帳に追加
A semiconductor laser chip 101 is joined to a heat sink 102 at about 30 μm in thickness in between by using an indium soldering material having a dose of 0.8 to 16 mg/mm2 per unit area of the semiconductor laser chip 101. - 特許庁
本発明は、従来のロウ付け接合時の使用量を超える多量のインジウムロウ材を用い、余剰インジウムロウ材を半導体レーザーチップから所定距離離れて残留させることで、応力を十分に緩和させ、不所望な短絡、光路の妨害、ホイスカの発生を抑制可能な半導体レーザー装置およびその製造方法を提供する。例文帳に追加
To relax stress sufficiently and prevent undesirable shortcircuit, blockage of optical path and generation of whisker by using a larger amount of indium soldering material exceeding the dose for soldering joint and allowing the excessive indium soldering material to remain a specified distance apart from a semiconductor laser chip. - 特許庁
アルミニウムロウ付け部での塗膜の密着性を高め、耐水性、耐食性及び耐候性にも優れた塗膜を形成するアクリル系粉体塗料組成物を提供する。例文帳に追加
To provide an acrylic powder coating composition capable of forming a coating film having increased adhesion to aluminum-brazed parts and also excellent in water resistance, corrosion resistance and weather resistance. - 特許庁
アルミニウムロウ付け部をもつ被塗物への密着性を高く維持するとともに、塗膜の平滑性と耐粉塵爆発性という背反事象を共に向上させる。例文帳に追加
To improve both the smoothness of a coating film and the dust explosion resistance, which are contradictory, while maintaining the high adhesion to a coated object with an aluminum brazed part. - 特許庁
メモリセルアレイ１００、冗長ロウメモリセルアレイ１０１、冗長カラムメモリセルアレイ１０２、冗長カラムロウメモリセルアレイ１０３を設ける。例文帳に追加
The device is provided with a memory cell array 100, a redundant row memory cell array 101, a redundant column memory cell array 102 and a redundant column row memory cell array 103. - 特許庁
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「ムロウ」を含む例文一覧
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不揮発性半導体記憶装置は、ワード線ＷＬと、ビット線ＢＬと、ワード線ＷＬとビット線ＢＬの各交差部に配置され可変抵抗素子Ｒを含むメモリセルＭＣと、メモリセルＭＣに印加する電圧を制御するカラム／ロウ制御回路２０、３０とを備える。例文帳に追加
The nonvolatile semiconductor memory device includes: word lines WL; bit lines BL; memory cells MC each including a variable resistance element R and each arranged at each crossing part of the word lines WL and bit lines BL; and column/row control circuits 20, 30 for controlling voltages applied to the memory cells MC. - 特許庁
カラム／ロウ制御回路２０、３０は、フォーミング時に可変抵抗素子Ｒに＋パルス電圧を与え、セット時に＋フォーミング素子Ｒ（可変抵抗素子Ｒ）に−パルス電圧を与え、リセット時に＋フォーミング素子Ｒに＋パルス電圧を与える。例文帳に追加
The column/row control circuits 20, 30 applies +pulse voltage to the variable resistance elements R at the forming, applies -pulse voltage to +forming elements R (variable resistance elements R) at the setting, and applies +pulse voltage to the +forming elements R at the resetting. - 特許庁
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