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リン化ガリウムの英語
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英訳・英語 gallium phosphide
「リン化ガリウム」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 57件
ガリウム砒素、ガリウムリン、インジウムリンなどの原料化合物を効率よく低コストで処理する。例文帳に追加
To efficiently treat a raw-material compound, such as gallium arsenide, gallium phosphide and indium phosphide, at low cost. - 特許庁
リン化ガリウム単結晶製造装置例文帳に追加
APPARATUS FOR MANUFACTURING GALLIUM PHOSPHIDE SINGLE CRYSTAL - 特許庁
リン化ガリウム単結晶の製造方法およびその装置例文帳に追加
METHOD AND APPARATUS FOR MANUFACTURING GALLIUM PHOSPHIDE SINGLE CRYSTAL - 特許庁
リン化ガリウム単結晶製造方法例文帳に追加
METHOD FOR MANUFACTURING GALLIUM PHOSPHIDE SINGLE CRYSTAL - 特許庁
燐化ガリウムウェーハのベベリング方法例文帳に追加
METHOD FOR BEVELING GALLIUM PHOSPHIDE WAFERS - 特許庁
低抵抗、高密度窒化ガリウム系成形物、直流スパッタリングを可能とする窒化ガリウム系スパッタリングターゲットを提供する。例文帳に追加
To provide a gallium nitride molded article having a low resistance and a high density, and to provide a gallium nitride sputtering target which allows direct current sputtering. - 特許庁
また、研磨対象物は、サファイア、窒化ガリウム、炭化ケイ素、ヒ化ガリウム、ヒ化インジウム又はリン化インジウムからなることが好ましい。例文帳に追加
The object to be polished is preferably of sapphire, gallium nitride, silicon carbide, gallium arsenide, indium arsenide, or indium phosphide. - 特許庁
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「リン化ガリウム」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 57件
低酸素含有量窒化ガリウム焼結体ならびに低酸素含有量窒化ガリウムスパッタリングターゲットを提供する。例文帳に追加
To provide a low oxygen content gallium nitride sintered body and a low oxygen content gallium nitride sputtering target. - 特許庁
成長されたｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層とｐ型窒化ガリウム系化合物半導体の全体をアニーリングして、ｐ型不純物の含まれる窒化ガリウム系化合物半導体層を、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層とする。例文帳に追加
The entirely grown n-type gallium nitride-based compound semiconductor layer and a p-type gallium nitride-based compound semiconductor layer and annealed, and the gallium nitride-based compound semiconductor layer that contains the p-type impurities is set to the p-type gallium nitride-based compound semiconductor layer. - 特許庁
窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法は、気相成長法により、ｐ型不純物がドープされた窒化ガリウム系化合物半導体層を成長させた後、前記ｐ型不純物がドープされた窒化ガリウム系化合物半導体をアニーリングを行うことにより、前記ｐ型不純物がドープされた窒化ガリウム系化合物半導体をｐ型の窒化ガリウム系化合物半導体とする。例文帳に追加
In the method of manufacturing the gallium nitride system semiconductor, after a gallium nitride system compound semiconductor layer, where the p-type impurity is doped is grown by the vapor phase epitaxy method, the gallium nitride system compound semiconductor where the p-type impurity is doped is converted into the p-type gallium nitride system compound semiconductor by annealing the gallium nitride system compound semiconductor layer where the p-type impurity is doped. - 特許庁
ガラス基板３上にスパッタリングによりガリウム添加酸化亜鉛膜４を堆積させる。例文帳に追加
A gallium-added zinc oxide membrane 4 is deposited on a glass base 3 by sputtering. - 特許庁
Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ複合酸化物などのようなスパッタリングターゲットを好適に製造できる酸化ガリウム粉末として、分散性に優れた酸化ガリウム粉末を提案する。例文帳に追加
To provide a gallium oxide powder excellent in dispersibility as a gallium oxide powder from which a sputtering target like an In-Ga-Zn composite oxide can be manufactured suitably. - 特許庁
基板上にリン化硼素（ＢＰ）系緩衝層を介して窒化リン化ガリウム系積層発光構造を形成する。例文帳に追加
A gallium nitride phosphide laminated light emitting structure is formed on a substrate via a boron phosphide(BP) buffer layer. - 特許庁
高密度で割れのない珪化バリウム多結晶体ならびに珪化バリウムガリウムスパッタリングターゲットを提供する。例文帳に追加
To provide a barium silicide polycrystal with high density and free from cracks, and to provide a barium gallium silicide sputtering target. - 特許庁
酸化ガリウム粉末及びその製造方法並びに酸化物焼結体スパッタリングターゲット及びその製造方法例文帳に追加
GALLIUM OXIDE POWDER, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, OXIDE SINTERED COMPACT SPUTTERING TARGET, AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME - 特許庁
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