「リン化ガリウム」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

低抵抗、高密度窒化ガリウム系成形物、直流スパッタリングを可能とする窒化ガリウム系スパッタリングターゲットを提供する。例文帳に追加

To provide a gallium nitride molded article having a low resistance and a high density, and to provide a gallium nitride sputtering target which allows direct current sputtering. - 特許庁

また、研磨対象物は、サファイア、窒化ガリウム、炭化ケイ素、ヒ化ガリウム、ヒ化インジウム又はリン化インジウムからなることが好ましい。例文帳に追加

The object to be polished is preferably of sapphire, gallium nitride, silicon carbide, gallium arsenide, indium arsenide, or indium phosphide. - 特許庁

低酸素含有量窒化ガリウム焼結体ならびに低酸素含有量窒化ガリウムスパッタリングターゲットを提供する。例文帳に追加

To provide a low oxygen content gallium nitride sintered body and a low oxygen content gallium nitride sputtering target. - 特許庁

成長されたｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層とｐ型窒化ガリウム系化合物半導体の全体をアニーリングして、ｐ型不純物の含まれる窒化ガリウム系化合物半導体層を、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層とする。例文帳に追加

The entirely grown n-type gallium nitride-based compound semiconductor layer and a p-type gallium nitride-based compound semiconductor layer and annealed, and the gallium nitride-based compound semiconductor layer that contains the p-type impurities is set to the p-type gallium nitride-based compound semiconductor layer. - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法は、気相成長法により、ｐ型不純物がドープされた窒化ガリウム系化合物半導体層を成長させた後、前記ｐ型不純物がドープされた窒化ガリウム系化合物半導体をアニーリングを行うことにより、前記ｐ型不純物がドープされた窒化ガリウム系化合物半導体をｐ型の窒化ガリウム系化合物半導体とする。例文帳に追加

In the method of manufacturing the gallium nitride system semiconductor, after a gallium nitride system compound semiconductor layer, where the p-type impurity is doped is grown by the vapor phase epitaxy method, the gallium nitride system compound semiconductor where the p-type impurity is doped is converted into the p-type gallium nitride system compound semiconductor by annealing the gallium nitride system compound semiconductor layer where the p-type impurity is doped. - 特許庁

ガラス基板３上にスパッタリングによりガリウム添加酸化亜鉛膜４を堆積させる。例文帳に追加

A gallium-added zinc oxide membrane 4 is deposited on a glass base 3 by sputtering. - 特許庁

Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ複合酸化物などのようなスパッタリングターゲットを好適に製造できる酸化ガリウム粉末として、分散性に優れた酸化ガリウム粉末を提案する。例文帳に追加

To provide a gallium oxide powder excellent in dispersibility as a gallium oxide powder from which a sputtering target like an In-Ga-Zn composite oxide can be manufactured suitably. - 特許庁

基板上にリン化硼素（ＢＰ）系緩衝層を介して窒化リン化ガリウム系積層発光構造を形成する。例文帳に追加

A gallium nitride phosphide laminated light emitting structure is formed on a substrate via a boron phosphide(BP) buffer layer. - 特許庁

高密度で割れのない珪化バリウム多結晶体ならびに珪化バリウムガリウムスパッタリングターゲットを提供する。例文帳に追加

To provide a barium silicide polycrystal with high density and free from cracks, and to provide a barium gallium silicide sputtering target. - 特許庁

酸化ガリウム粉末及びその製造方法並びに酸化物焼結体スパッタリングターゲット及びその製造方法例文帳に追加

GALLIUM OXIDE POWDER, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, OXIDE SINTERED COMPACT SPUTTERING TARGET, AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME - 特許庁

ｐ型III族窒化物半導体のガードリング領域１７はｎ型窒化ガリウム系半導体層１３の第２のエリア１３ｃ上に設けられる。例文帳に追加

A guard ring area 17 of a p-type group III nitride semiconductor is provided on the second area 13c of the n-type barium nitride semiconductor layer 13. - 特許庁

例えば、第１の光学材料を石英とし、第２の光学材料を窒化ケイ素（ＳｉＮ）またはリン化ガリウム（ＧａＰ）とする。例文帳に追加

The first optical material is, e.g. quartz and the second optical material is, e.g. silicon nitride(SiN) or gallium phosphide(GaP). - 特許庁

マグネシウムを含む窒化ガリウム系化合物半導体層の上に、アニーリングにおいて、窒化ガリウム系化合物半導体の分解を抑えかつマグネシウムを含む窒化ガリウム系化合物半導体層中から、マグネシウムと解離されてなる少なくとも一部の水素を深さ方向均一に出すことができる膜厚０．０１μｍ以上のキャップ層を有する。例文帳に追加

The semiconductor further comprises: a cap layer which can uniformly retrieve at least a partial hydrogen dissociated from magnesium from the gallium nitride compound semiconductor layer suppressing the dissociation of a gallium nitride compound semiconductor in annealing and containing the magnesium in the depth direction and which has a film thickness of 0.01 μm on the gallium nitride compound semiconductor layer containing the magnesium. - 特許庁

気相成長法により、反応容器内にて、ｐ型不純物がドープされた窒化ガリウム系化合物半導体層を成長させた後、実質的に水素を含まない雰囲気中、前記反応容器内の温度を所定の温度に保持してアニーリングをすることにより、前記ｐ型不純物がドープされた窒化ガリウム系化合物半導体をｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層とする。例文帳に追加

After a gallium nitride based compound semiconductor layer doped with p-type impurities is grown in a reaction container by vapor phase epitaxial growth, annealing is performed in an atmosphere substantially containing no hydrogen while keeping a specified temperature level in the reaction container thus converting the gallium nitride based compound semiconductor doped with p-type impurities into a p-type gallium nitride based compound semiconductor layer. - 特許庁

ヒ化ガリウム、リン化ガリウム、又はアンチモン化ガリウムと、マンガンとを混合して第１の焼成を行い、第１の焼成物を作製し、母体材料と、発光中心材料を構成する元素又はその元素を含む化合物とを混合して第２の焼成を行い、第２の焼成物を作製し、第２の焼成物に、第１の焼成物を混合して、第３の焼成を行うことにより発光材料を作製する。例文帳に追加

The light-emitting material is produced by mixing gallium arsenide, gallium phosphide or gallium antimonide with manganese and performing a first baking to prepare a first baked product, mixing a base material with an element constituting a luminescent center material or a compound containing the element and performing a second baking to prepare a second baked product, subsequently mixing the first baked product with the second baked product and performing a third baking. - 特許庁

酸化ホウ素（Ｂ_2Ｏ_3）を用いた液体封止引き上げ法（ＬＥＣ法）で育成される直径が６３．５ｍｍ（２．５インチ）以上のリン化ガリウム単結晶製造方法において、ウェーハのボイドの発生を抑制したリン化ガリウム単結晶製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a gallium phosphide single crystal, which is a method for growing the gallium phosphide single crystal having a diameter of ≥63.5 mm (2.5 inch) by a liquid encapsulation Czochralski method (LEC method) using boron oxide (B_2O_3), and by which the occurrence of voids in a wafer is suppressed. - 特許庁

イオンミリング装置を用い加速電圧１ＫＶ以下にてアルゴンイオン５をｎ型窒化ガリウム基板１に向けて照射する。例文帳に追加

The n-type gallium nitride substrate 1 is irradiated with argon ions 5 by an acceleration voltage not higher than 1 kV by using an ion milling device. - 特許庁

窒化ガリウム系半導体を用いると共にｐ型ガードリングを有するショットキバリアダイオードを提供する。例文帳に追加

To provide a Schottky barrier diode which uses a barium nitride semiconductor and has a p-type guard ring. - 特許庁

凸状のガードリング領域１７は第１導電型窒化ガリウム系半導体層１３の第２のエリア１３ｃにｐｎ接合２３を成す。例文帳に追加

The projected guard ring area 17 forms a p-n junction 23 on the second area 13c of the barium nitride semiconductor layer 13 of a first conductivity type. - 特許庁

酸化ガリウム粉末、リン化マンガン粉末および二酸化マンガン粉末の混合物を、流量100〜400sccmのアンモニアガスを流しながら、1353〜1423Kの温度に0.5〜1時間加熱して、直径100〜500ナノメートル、長さ数十マイクロメートルのマンガンがドープされた窒化ガリウムナノワイヤーを製造する。例文帳に追加

The manganese-doped gallium nitride nano-wire having 100-500 nm diameter and several tens micrometer length is manufactured by heating a mixture of gallium oxide powder, manganese phosphide powder and manganese dioxide powder at 1,353-1,423K temperatures for 0.5-1 hr while passing ammonia gas at 100-400 sccm flow rate. - 特許庁

インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）及び亜鉛（Ｚｎ）の酸化物を含有するスパッタリングターゲットであって、ＺｎＧａ_２Ｏ_４で表される化合物及びＩｎＧａＺｎＯ_４で表される化合物含むスパッタリングターゲット。例文帳に追加

A sputtering target contains oxides of indium (In), gallium (Ga) and zinc (Zn), and contains a compound expressed as ZnGa_2O_4 and a compound expressed as InGaZnO_4. - 特許庁

この課題は、インジウム、亜鉛およびガリウムの少なくとも１つの三元系混合酸化物を含有する、インジウム、亜鉛およびガリウムの酸化物の混合物を有するスパッタリングターゲットであって、インジウム、亜鉛およびガリウムの三元系混合酸化物の割合が、混合物の総質量に対して少なくとも５０質量パーセントであり、且つ、アモルファス相の割合が、混合物の総質量に対して少なくとも２０質量パーセントである、スパッタリングターゲットによって解決される。例文帳に追加

The sputtering target including a mixture of oxides of indium, zinc and gallium contains at least one ternary mixed oxide of indium, zinc, and gallium, in which the ratio of the ternary mixed oxide of indium, zinc and gallium is at least 50 mass% relative to the total mass of the mixture, and the ratio of an amorphous phase is at least 20 mass% relative to the total mass of the mixture. - 特許庁

酸化ガリウム系薄膜の成膜において、スパッタリング中における、異常放電の発生、ノジュールの発生、クラックの発生を抑制しうるスパッタリングターゲットを提供する。例文帳に追加

To provide a sputtering target suppressing the occurrence of abnormal discharge, nodule and crack during sputtering in the film deposition of a gallium oxide-based thin film. - 特許庁

砒化リン化ガリウム（ＧａＡｓ_1-XＰ_X：０≦Ｘ≦１）発光層に含硼素ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を接合させたヘテロ接合構造を利用して発光素子を構成する。例文帳に追加

A light-emitting element is constituted, utilizing a heterojunction structure of gallium arsenide phosphide (GaAs_1-XPX: 0≤X≤1) and a III-V compound semiconductor layer containing boron. - 特許庁

基板結晶との結晶格子の不整合性を回避し、結晶性に優れた窒化リン化ガリウム系発光構造を使用して高輝度の III族窒化物半導体発光素子を得る。例文帳に追加

To obtain a III nitride semiconductor light-emitting element of high brightness by avoiding mismatching of crystalline lattice to substrate crystal and using a gallium nitride phosphide light emitting structure which is excellent in crystallinity. - 特許庁

特に、砒化リン化ガリウム発光層以上の禁止帯幅を有する含硼素ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を発光層にヘテロ接合させる。例文帳に追加

In particular, the heterojunction of the mission layer and a III-V compound semiconductor layer containing boron having a forbidden band which is not narrower than that of gallium arsenide phosphide emission layer is utilized. - 特許庁

非晶質緩衝層を形成した後、これを徐々に結晶質に転化して、窒化リン化ガリウム系の発光部と格子整合を保って発光素子を構成する。例文帳に追加

After formation of an amorphous buffer layer, it is inverted to crystal gradually and a light- emitting element is constituted by keeping lattice matching to a gallium nitride phosphide light emission part. - 特許庁

インジウム元素（Ｉｎ）、ガリウム元素（Ｇａ）、及び亜鉛元素（Ｚｎ）を含み、新規酸化物結晶相を含む、外観が良好なスパッタリングターゲット用の酸化物を提供すること。例文帳に追加

To provide an oxide for a sputtering target comprising an indium element (In), a gallium element (Ga) and a zinc element (Zn), comprising a new oxide crystal phase, and having satisfactory appearance. - 特許庁

高密度で割れのない低酸素含有量珪化バリウム多結晶体ならびに低酸素含有量珪化バリウムガリウムスパッタリングターゲットを提供する。例文帳に追加

To provide a barium silicide polycrystal having a low oxygen content, which has high density and no crack, and to provide a barium silicide sputtering target having a low oxygen content. - 特許庁

本発明は、高温によるアニーリングが不要であり、かつキャップ層の形成が不要な窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a gallium nitride system compound semiconductor in which annealing at high temperatures is not required and the formation of a cap layer is not required. - 特許庁

サファイア基板上に窒化ガリウム系化合物半導体からなる結晶層を結晶成長させるに際し、サファイア基板を表面を鏡面研磨した支持具上に載置し、ニュートンリングを観察することにより反りを把握する。例文帳に追加

When a crystal layer made of a gallium nitride compound semiconductor is crystal grown on a sapphire substrate, the sapphire substrate is laid on a supporting fixture which performs mirror polishing of the front surface, and the warpage is grasped by observing a Newton ring. - 特許庁

酸化ガリウム（ＧａＯｘとも表記する）からなる酸化物ターゲットを用いて、ＤＣスパッタリング法、またはＤＣパルススパッタ方式により絶縁膜を形成する。例文帳に追加

An insulating film is formed by a DC sputtering method or a DC pulse sputtering method, using an oxide target comprising a gallium oxide (also referred to as GaOx ). - 特許庁

電子写真装置（複写機やレーザープリンタ等の画像形成装置）の高画質化および高安定化を実現するためのヒドロキシガリウムフタロシアニンの製造方法の提供。例文帳に追加

To produce a hydroxygallium phthalocyanine for achieving high image quality and high stability of an electrophotographic apparatus (an image-forming apparatus such as a copying machine and a laser printer). - 特許庁

酸化ホウ素（Ｂ_2Ｏ_3）を用いた液体封止引き上げ法（ＬＥＣ法）で、直径が６３．５ｍｍ（２．５インチ）以上のリン化ガリウム単結晶を育成する製造方法において、結晶直径ｄ／ルツボ内径Ｄｂを０．７以下とする。例文帳に追加

In the method for manufacturing the gallium phosphide single crystal having a diameter of ≥63.5 mm (2.5 in) by the LEC method using B_2O_3, the ratio (d/Db) of the crystal diameter d to the inner diameter Db of a crucible is set to be ≥0.7. - 特許庁

ガリウムとインジウムとを含有する酸化錫系の透明導電膜であって、Ｇａ_2 Ｏ_3 とＩｎ_2 Ｏ_3 とＳｎＯ_2 との総量に対して、ガリウムをＧａ_2 Ｏ_3換算で０．１〜３０モル％含有し、かつインジウムをＩｎ_2 Ｏ_3 換算で０．１〜３０モル％含有する透明導電膜とその製造方法およびスパッタリングターゲット。例文帳に追加

The stannic-oxide based, transparent electroconductive film containing gallium and indium, includes gallium of 0.1-30 mol% as Ga2O3 and indium of 0.1-30 mol% as In2O3 against the total volume of Ga2O3, In2O3, and SnO2, and a manufacturing method, and a sputtering target are also provided. - 特許庁

ＩＧＺＯなどのスパッタリングターゲット用原料として好適となるように、凝集粒子が壊れやすいという特徴を有する新たな酸化ガリウム粉末を提供する。例文帳に追加

To provide new gallium oxide powders whose aggregated particles are easily broken so as to become suitable as raw materials for sputtering targets such as an IGZO and the like. - 特許庁

液体封止引上げ法（ＬＥＣ）により、割れおよび多結晶化の発生を防止して大口径のリンカガリウム単結晶を得る技術を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a technique of obtaining a large diameter gallium phosphide single crystal by the liquid encapsulation Czochralski method (LEC) while preventing the occurrence of crack and polycrystallization. - 特許庁

液体封止引き上げ法による大口径のリン化ガリウム単結晶製造方法において、液体封止剤中の温度勾配と液体封止剤の上の縦方向の温度勾配をそれぞれ適正に制御する。例文帳に追加

In the method of manufacturing the large diameter gallium phosphide single crystal by the liquid encapsulation Czochralski method, the temperature gradient in a liquid encapsulation agent and the temperature gradient above the liquid encapsulation agent in the vertical direction are properly controlled. - 特許庁

ＩＧＺＯなどのスパッタリングターゲット用原料として好適となるように、他の粉体との混合性を高めるために、粉砕した際に凝集粒子が壊れやすい、新たな酸化ガリウム粉末を提供する。例文帳に追加

To provide new gallium oxide powder whose aggregated particles tend to be easily broken when they are pulverized in order to improve miscibility with other powders, so as to become suitable as raw materials for sputtering targets such as IGZO (InGaZnOx). - 特許庁

インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）及び亜鉛（Ｚｎ）の酸化物を含有するスパッタリングターゲットであって、ＩｎＧａＯ_３（ＺｎＯ）_ｍ（ｍは１〜２０の整数）で表されるホモロガス構造化合物及びＺｎＧａ_２Ｏ_４で表されるスピネル構造化合物を含むスパッタリングターゲット。例文帳に追加

The sputtering target contains an oxide of indium (In), gallium (Ga) and zinc (Zn), and contains a homologous structured compound expressed as InGaO_3 (ZnO)_m (where m represents an integer of 1-20), and a spinel structured compound expressed as ZnGa_2O_4. - 特許庁

結晶構造が、実質的にビックスバイト構造を示す酸化インジウムからなり、前記酸化インジウムにガリウム原子が固溶しており、原子比Ｇａ／（Ｇａ＋Ｉｎ）が０．１０〜０．１５である酸化物焼結体をスパッタリング用ターゲット材とする。例文帳に追加

The oxide sintered body which is made of indium oxide whose crystal structure is substantially a bixbyite structure, has a gallium atom solid-dissolved in the indium oxide and has an atomic ratio Ga/(Ga+In) of 0.10 to 0.15, is used as a target material for sputtering. - 特許庁

かかる酸化ガリウム粉末は、酸化インジウム粉末との嵩密度の差が小さいため、酸化インジウム粉末などと混合した際に均一に混合させることができ、均質な混合焼結体、例えばスパッタリングターゲットを作製することができる。例文帳に追加

Since this gallium oxide powder has a bulk density whose difference from that of indium oxide powder is small, it can be mixed uniformly when it is mixed with indium oxide powder or the like, and a homogeneous mixed sintered compact, for example, a sputtering target, can be produced. - 特許庁

電子写真装置（複写機やレーザープリンタ等の画像形成装置）の高画質化および高安定化を実現するために、新規かつ有用な複合ガリウムフタロシアニン顔料、およびそれを用いた電子写真感光体及び電子写真感光体カートリッジを提供すること。例文帳に追加

To provide a new complex gallium phthalocyanine pigment useful for achieving high image quality and high stability for an electrophotographic apparatus (an image forming apparatus such as a copier or a laser printer) and to provide an electrophotographic photoreceptor using the pigment and an electrophotographic photoreceptor cartridge. - 特許庁

ＩＧＺＯなどのスパッタリングターゲット用原料として好適となるように、他の粉体、例えば酸化インジウム粉末などと混合して圧縮成形した際に、従来よりも最密に充填することができる、新たな酸化ガリウム粉末を提供せんとする。例文帳に追加

To provide a new gallium oxide powder capable of most densely filling the powder than a conventional one when the powder is subjected to compression molding by mixing with other powder, for example indium oxide powder, so as to be suitable as a raw material for a sputtering target such as IGZO. - 特許庁

結晶成長後に電子線照射やアニーリング等の後処理を施さなくても、結晶品質が良好で低抵抗なＭｇドープのｐ型窒化ガリウム系半導体を低価格で得ることができ、後処理による素子の歩留まり低下を防ぐ方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method capable of inexpensively manufacturing a Mg-doped p-type gallium nitride semiconductor which is excellent in crystal quality and low in resistance, without giving an after treatment, such as electron beam irradiation, annealing, etc, after the growth of crystals, and preventing a yield reduction of elements due to the after treatment. - 特許庁