一括置換の英語

この入力された訳語に基づき、原文中のキーワードのみを目標の言語に一括して置換する。例文帳に追加

Only the keyword in the original text is replaced by a desired language at a time according to the translation inputted. - 特許庁

置換前のシーケンスプログラム／シンボルテーブル中にあった信号アドレスは、一括置換処理で、意図通り、Ｒ０．０→Ｒ１．０・・・・・Ｒ４．７→Ｒ６．７、Ｒ５→Ｒ７に置換される。例文帳に追加

The signal address in the sequence program/symbol table prior to replacement is displaced like R0.0→R1.0 through R4.7→R6.7 and R5→R7 as intended in an end batch replacement processing. - 特許庁

アドレス一括置換を実行させる部品に関しては、指定領域３２とアドレスオフセット指定領域３３において所望のメモリテーブルＮｏ．とアドレスオフセット値を入力させ、アドレス一括置換を実行させない部品に関してはアドレス入力領域３４において所望のアドレス値を入力させ、これら入力内容をアドレス設定テーブル４０に登録する。例文帳に追加

This device inputs a desired memory table No. and an address offset value in a specified area 32 and an address offset specified area 33 for a part subject to batch replacement of address, and inputs a desired address value in an address input area 34 for a part not subject to batch replacement address, and then registers these input contents in an address setting table 40. - 特許庁

芳香族アミノ化合物に、有機溶媒共存下、アルデヒド化合物及び水素を反応させて、Ｎ−アルキル置換芳香族アミノ化合物を製造する方法において、２０〜７０℃の温度範囲で、芳香族アミノ化合物とアルデヒド化合物を一括で反応させる。例文帳に追加

An aromatic amino compound is collectively reacted with an aldehyde compound at a temperature within the range of 20-70°C in a method for reacting the aromatic amino compound with the aldehyde compound and hydrogen in the coexistence of an organic solvent and producing an N-alkyl substituted aromatic amino compound. - 特許庁

多数のＩＯ出力ＭＯＵＴを一括して所定の期待値との判定を行い、その結果の判定情報ＤＯＵＴをエラー情報取得装置２２に出力し、解析処理装置２３においてブロック毎に順にテーブル情報を読み出して置換データを求め、その置換データを外部Ｉ／Ｆ回路２４を介して外部のテスタへシリアルに出力することができる。例文帳に追加

Judgement about many IO output MOUT and an expected value is performed en block, judgement information DOUT of the result is outputted to an error information obtaining device 22, table information is read out successively for every block in an analysis processing device 23 and replacement data are obtained, and the replacement data can be outputted to an external tester in serial through an external I/F circuit 24. - 特許庁

電気的に書き込み消去可能な不揮発性のメモリセルをアレイ状に複数配列して一括データ消去可能に形成されたメモリブロックの複数と、メモリブロックを置換可能な冗長ブロックを備えてなる不揮発性半導体記憶装置において、外部の制御を煩雑にせず消去処理の高速化を図る。例文帳に追加

To achieve a higher speed for erasure processing without making external control complicated in a nonvolatile semiconductor memory device provided with a plurality of memory blocks where a plurality of electrically writable and erasable nonvolatile memory cells are arranged in an array form to enable batch data erasure, and redundant blocks to replace the memory blocks. - 特許庁