分子線エピタキシー成長の英語

基板上に有機金属気相成長法又は分子線エピタキシー法により結晶を成長させる結晶成膜装置１０と、基板表面に加熱用レーザ光２１を照射する加熱レーザ照射装置２０とを備える。例文帳に追加

The manufacturing device includes: a crystal deposition device 10 for growing crystals by an organic metal vapor deposition or molecular beam epitaxy method on a substrate; and a heating laser irradiation device 20 for irradiating a heating laser beam 21 on a surface of the substrate. - 特許庁

また、分子線エピタキシーによる分子線の直進性または、気相成長（ＣＶＤ）法および液相成長（ＬＰＥ）法による異方性成長効果を利用した選択エピタキシャル成長により、アスペクト比の高い凹凸構造またはトレンチ構造をエピタキシャル層５で埋め込む。例文帳に追加

Moreover, an uneven structure high in aspect ratio or a trench structure is buried with an epitaxial layer 5 by the selective epitaxial growth utilizing the rectilinear propagation property of the molecular beam by molecular beam epitaxy or the anisotropic growth effect by a vapor phase growth (CVD) method or a liquid phase growth (LPE) method. - 特許庁

信頼性高くアンモニアガスを排出することができるＩＩＩ族窒化物系化合物半導体の反応性成長を行うようにした分子線エピタキシー（ＭＢＥ）装置及びその操作方法を提供する。例文帳に追加

To provide a molecular beam epitaxy (MBE) apparatus which can discharge ammonia gas with high reliability and realizes reaction growth of a group III nitride compound semiconductor, and to provide a method of its operation. - 特許庁

光学式浮遊帯域溶融法を用いて作製したβ‐Ｇａ_2Ｏ_3単結晶ウエハを基板とし、この基板の（１００）面上に分子線エピタキシー法を用いて８００℃以上の温度でβ‐Ｇａ_2Ｏ_3単結晶膜を成長させる。例文帳に追加

A β-Ga_2O_3 single crystal wafer, prepared by utilizing an optical floating-zone melting method, is used as a substrate, and then a β-Ga_2O_3 single crystal film is grown on the (100) plane of the substrate at a temperature of ≥800°C by a molecular beam epitaxy method. - 特許庁

基板上に結晶成長法として分子線エピタキシーを用い、不純物としてＡｌやＮを用い、前記成長条件で最適化を行うことによって、高濃度のＺｎ_1-x Ｍｇ_x Ｓｅ_y Ｔｅ_1-y の成長を行うｐ型、ｎ型伝導性層を形成する。例文帳に追加

Molecular beam epitaxy is used on a substrate as a crystal growth method, Al and N are used as impurities, and optimization is made under the growth conditions, thus forming p- and n-type conductive layers for growing highly-doped Zn_1-xMg_xSe_yTe_1-y. - 特許庁

成長室１の内部に液体窒素シュラウドパネルパネル２を設け、それに加えて、成長室１の内部に、化学的に活性な金属による化学吸着を利用した非蒸発型ゲッター５、ヘリウムガス冷凍機を用いて冷却されるトラップパネル６等の排気手段のうちの少なくとも１つを設けたことを特徴とする分子線エピタキシー装置を構成して課題を解決する。例文帳に追加

A liquid nitrogen shroud panel 2 is installed in the interior of a growing chamber 1, and in addition thereto, at least one of exhausting means such as a non-evaporative getter 5 utilizing the chemical adsorption of a chemically active metal and a trap panel 6 cooled by using a helium gas refrigerator, is installed therein. - 特許庁

分子線エピタキシー装置１において、内部空間１３ａがウエハ１１の収納される薄膜成長室１２の内部空間１２ａに連通するように副室１３を設け、薄膜成長室１２と副室１３との連通を遮断するように、水素を選択的に透過する水素透過板１４を設ける。例文帳に追加

In a molecular beam epitaxy apparatus 1, a sub-chamber 13 is provided for communication of an internal space 13a with the internal space 12a of a thin-film growth chamber 12 to which a wafer 11 is accommodated, and a hydrogen transmitting plate 14 for selectively transmitting hydrogen is provided to shield communication between the thin-film forming chamber 12 and the sub-chamber 13. - 特許庁

分子線エピタキシー法により閃亜鉛鉱型結晶基板上に窒化物結晶を成長させる方法であって、前記閃亜鉛鉱型結晶基板の［１１１］Ａ方向から０〜４５度の角度をなす方向から、窒素原料を前記閃亜鉛鉱型結晶基板上ないし該基板上に形成された層の上に供給する工程を含むことを特徴とする窒化物結晶の成長方法。例文帳に追加

This method for growing the nitride crystal is characterized in that the method is to grow the nitride crystal on a zincblende type crystal substrate according to a molecular beam epitaxial method and comprises a step of feeding a nitrogen raw material from the direction at 0-45° from the [111] A direction of the zincblende type crystal substrate onto the zincblende type crystal substrate or a layer formed on the substrate. - 特許庁