分極効果の英語

スピン分極率の大きい磁性薄膜及びそれを用いた磁気抵抗効果素子並びに磁気デバイスを提供する。例文帳に追加

To provide a magnetic thin film having a large ratio of spin polarization, and a magnetoresistive effect element using the same, and a magnetic device thereof. - 特許庁

複雑な高スピン分極材料を用いて、磁気抵抗効果の大きく、かつ容易に製造可能な高効率のトンネル磁気抵抗素子を実現すること。例文帳に追加

To realize a highly efficient easy-to-produce tunnel magnetoresistive element exhibiting a high magnetoresistive effect using a complex high spin polarization material. - 特許庁

非線型光学効果を十分に呈することのできる新規な周期状分極反転構造の形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for forming a new cyclic polarization reversal structure capable of sufficiently presenting a nonlinear optical effect. - 特許庁

この結果、アンカーコート層１０と分極性電極層５ａとの間に作用するアンカー効果に加え、アンカーコート層１０と保護層９との間にもアンカー効果が作用し、集電体４ａと分極性電極層５ａとの密着性を向上させることができる。例文帳に追加

As a result, an anchor effect is exerted not only between the anchor coat layer 10 and polarizable electrode layer 5a, but also between the anchor coat layer 10 and protection layer 9, to thereby improve adhesion between the current collector 4a and the polarizable electrode layer 5a and reduce the inner resistance of the capacitor. - 特許庁

これにより、電子供給層のダイヤモンド半導体層との界面には、自発性分極効果またはピエゾ分極効果に起因した正の固定電荷を有すると共に、電子供給層とダイヤモンド半導体層の界面近傍には２次元電子ガス１３が生成される。例文帳に追加

Due to this structure, there are positive fixed electric charges arising out of the spontaneous polarization effect or piezo polarization effect in the interface between an electron supply layer and the diamond semiconductor layer, and at the same time, a two-dimensional electron gas 13 is generated near the interface between the electron supply layer and the diamond semiconductor layer. - 特許庁

この方法の適用によって、誘電性物質は異なる方向を向いた自発分極を有する複数の分域を備えるため、圧電効果が打ち消しあい、圧電効果による誘電率の変化を抑えることができる。例文帳に追加

The dielectric material provides a plurality of domains, having spontaneous polarizations that direct to different directions by applying this method, and piezoelectric effects mutually canceling can suppress changes in the dielectric constant by the piezoelectric effects. - 特許庁

スピン分極率の高いフルホイスラー合金と反強磁性結合を形成する磁性体を含む、ＴＭＲ比が高い磁気抵抗効果素子を用いたスピンＭＯＳ電界効果トランジスタを提供する。例文帳に追加

To provide a spin MOS field effect transistor including a magnetic body forming an antiferromagnetic coupling with a full Heusler alloy of high spin polarizability, and using a magnetoresistive effect element with a high TMR ratio. - 特許庁

常温で強磁性体からスピン分極されたキャリアを半導体に注入して得られるスピンバルブ効果から、メモリ及び論理素子への応用が可能なスピン注入素子及びスピン電界効果トランジスタを提供する。例文帳に追加

To provide a spin injection element and a spin field effect transistor capable of application to a memory and a logic element based on the spin valve effect obtained by injecting carriers spin-polarized from a ferromagnetic substance at normal temperatures. - 特許庁