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化学研摩の英語
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英訳・英語 chemical grinding; chemical polishing
「化学研摩」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 21件
電気化学的機械研摩の為の導電性研磨物例文帳に追加
CONDUCTIVE POLISHING OBJECT FOR ELECTROCHEMICAL MECHANICAL POLISHING - 特許庁
化学的機械的研摩装置10は、基板12の表面を研摩し、そこから材料を除去する。例文帳に追加
In chemical mechanical polishing equipment 10, surfaces of substrates 12 are polished, and material is eliminated from the surfaces. - 特許庁
研磨プラテンを有する化学機械研摩装置で使用する研摩パッド・アセンブリを記載した。例文帳に追加
A polishing pad assembly to be used in a chemical machinery polishing device having a polishing platen is provided. - 特許庁
研摩対象である金属の少なくとも一部を化学反応によって、研摩表面上に有限な大きさの錯体化合物を形成させ、低い研摩加重でも十分な研摩速度の得られる脆弱な被研摩面を得る。例文帳に追加
At least a part of a metal to be polished is subjected to chemical reaction to form a complex compound of finite size on the surface to be polished thus obtaining a fragile surface to be polished ensuring a sufficient polishing speed even with a low polishing load. - 特許庁
砥粒および水酸化セシウムを含有する化学的機械研摩用組成物、ならびに水酸化セシウム含有研摩用組成物を用いて集積回路に関連する誘電体層を研摩する方法を提供する。例文帳に追加
To provide a chemical mechanical polishing composition including an abrasive and cesium hydroxide, and a method for polishing a dielectric layer associated with an integrated circuit using cesium hydroxide containing a polishing composition. - 特許庁
半導体の化学機械研摩プロセス中の金属除去レ—トを増大させる方法及びCMP方法例文帳に追加
METHOD FOR INCREASING METAL-REMOVAL RATE DURING CHEMICAL-MECHANICAL POLISHING PROCESS FOR SEMICONDUCTOR, AND CMP METHOD - 特許庁
本発明の、銅の層又は銅の合金の層を研摩する化学的−機械的研摩(CMP)スラリーは、エッチャントと、酸化抑制剤と、銅及び酸化抑制剤の間の錯化を調整する添加剤とを含む。例文帳に追加
The chemical - mechanical polishing(CMP) slurry for polishing the layer of copper or that of the alloy of copper contains an etchant, an oxidation suppression agent, and an additive for adjusting the complexing between the copper and the oxidation suppression agent. - 特許庁
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「化学研摩」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 21件
半導体ウエハの平面化の均一性を改良するため、研摩パッド/ベルトの選択的な加熱を使用した、化学機械研摩(CMP)装置及び方法を提供する。例文帳に追加
To provide chemical-mechanical polishing(CMP) equipment and its method, which use selective heating of a polishing pad/a belt in order to improve uniformity of planarizing a semiconductor wafer. - 特許庁
ポリシリコン・マスクと化学機械研摩(CMP)平坦化を使用して2通りの異なるゲート誘電体厚を製作するためのプロセス例文帳に追加
PROCESS FOR MANUFACTURING TWO KINDS OF DIFFERENT GATE DIELECTRIC THICKNESSES USING POLYSILICON MASK AND CHEMICAL MECHANICAL POLISHING(CMP) PLANARIZATION - 特許庁
フォトレジストは化学機械研摩プロセスで平坦化されて、基板10全体にわたって均一な厚さを達成する。例文帳に追加
The photoresist is planarized by chemical-mechanical polishing process, and an uniform thickness is realized over the entire substrate 10. - 特許庁
化学機械研摩法において、窒化ケイ素に対する二酸化ケイ素の高選択度を示しかつ広いpH実施範囲を有するスラリーを提供する。例文帳に追加
To provide an aqueous slurry which exhibits a higher selectivity to silicon dioxide than to silicon nitride in a chemomechanical polishing method and has a wide pH execution range. - 特許庁
フュ−ムド砥粒ならびに約0.01〜約5.0wt%の少なくとも1つのCs+塩基性塩からなる化学的機械研摩用組成物。例文帳に追加
A composition for chemical mechanical polishing composition comprises fumed abrasive grains and about 0.01 to about 5.0 wt.% of at least one Cs+ basic salt. - 特許庁
管状部材本体1の表面にテ−プ状の複数本の感光性フィルム、マスキングテープ等の保護膜5が被着され、保護膜5間の窓部6から露出した管状部材本体1の外側表面を化学研摩方法やショットブラスト加工等で研摩される。例文帳に追加
The surface of a tubular member main body 1 is covered with plural tape-like protecting films 5 such as photosensitive films or masking tapes, and the tubular member main body outer surfaces exposed from windows between the protecting films 5 are polished by a chemical polishing method, a shot blast processing method or the like. - 特許庁
半導体デバイスの研磨加工などに使用される化学機械研摩用の研磨液を調製するにあたり、一層高精度に濃度調整でき且つ効率的に調整できる研磨液の調製方法および調製装置を提供する。例文帳に追加
To provide a polishing liquid preparation method and an apparatus capable of efficiently preparing polishing liquid more precisely regulated in concentration when a polishing liquid for chemically and mechanically polishing a semiconductor device is prepared. - 特許庁
中性領域で用いても腐敗せず、且つスクラッチやディッシングといった被研磨面の表面欠陥の発生もほとんどなく、被研摩面を十分に平坦化することができる化学機械研磨用水系分散体を提供すること。例文帳に追加
To provide a water-based dispersing substance for chemical machinery polishing which does not corrode even when used in a neutral region, and scarcely generates such surface defects of a polished surface as scratch and dishing, and further, can flatten enough the polished surface. - 特許庁
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