化学研磨仕上げの英語

本発明は、荒研磨(ラップ)した化学的に安定な炭化珪素単結晶ウェハ表面から加工変質層を除去して仕上げ研磨(ポリッシュ)することで、高品質な表面を得る効果的な方法を提供する。例文帳に追加

To provide an effective method of obtaining a surface of high quality by removing a layer deteriorated by processing from the surface of a silicon carbide single crystal wafer which has been rough-lapped for chemical stability, and then finish polishing. - 特許庁

本発明は、荒研磨(ラップ)した化学的に安定な炭化珪素単結晶ウェハ表面から加工変質層を除去して仕上げ研磨(ポリッシュ)することで、高品質な表面を得る効果的な方法を提供する。例文帳に追加

To provide an effective method for polishing the surface of a silicon carbide single crystal wafer capable of finish polishing (polishing) by removing a work-affected layer from the surface of the chemically stable silicon carbide single crystal wafer roughly polished (lapped) to provide a high quality surface. - 特許庁

そして斯かる仕上げ研磨加工が終了した後、テクスチャ処理、化学強化処理、及び仕上げ洗浄処理を経て所望の情報記録媒体用基板を製造する。例文帳に追加

The requested information recording medium substrate is produced through a texture treatment, a chemical strengthening and a final cleaning treatment after the completion of the above final polishing work. - 特許庁

半導体基板上に設けられる被加工膜及びバリアメタル層の研磨において、特に、バリアメタル層を効率よく研磨することができ、且つ十分に平坦化された精度の高い仕上げ面を得ることができる、半導体装置の製造において有用な化学機械研磨用水系分散体を提供する。例文帳に追加

To provide an aqueous dispersion for chemical mechanical polishing useful for manufacturing a semiconductor device especially capable of efficiently polishing a barrier metal layer and obtaining a sufficiently planarized finishing surface with high precision when polishing a processed film and barrier metal layer provided on a semiconductor substrate. - 特許庁

金型上の保護膜の表面を、粒径０．００５μｍ〜０．３μｍの砥粒を含む研磨剤を使用した化学的機械研磨を用いて研磨し、保護膜の表面の粗さ（Ｒａ）を２ｎｍ以下に仕上げることにより、欠陥がなく、超平滑平面を有した金型を形成する。例文帳に追加

The surface of the protective film on the mold is polished with chemical-mechanical polishing using abrasives containing abrasive grains having a particle size of 0.005 μm-0.3 μm to finish the surface of the protective film to a roughness (Ra) of 2 nm or less, thereby forming a mold with no defects and having a dead-smooth surface. - 特許庁

機械的強度が小さい絶縁膜を有する被研磨物に対してもスクラッチが抑制され、銅膜とバリアメタル膜の両方を高い効率で研磨することができ、絶縁膜が過度に研磨されず、十分に平坦化されて精度の高い仕上げ面が得られる化学機械研磨用水系分散体および半導体装置の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a water borne dispersing element for chemical mechanical polishing that prevents scratches even on an object to be polished having an insulation film of small mechanical strength, can polish with high efficiency both a copper film and a barrier metal film, and can sufficiently flatten an insulation film without excessively polishing the film to provide a highly precise finished surface, and to provide a method of manufacturing a semiconductor device. - 特許庁

フロート板ガラスをガラス素板５とし、円盤加工工程６及び端面加工工程７を施した後、化学強化処理工程８で基板強化を行ない、次いで表面研磨工程９で精密研磨を行ない、その後表面洗浄処理工程１０で酸洗浄処理１０ａ及びアルカリ洗浄処理１０ｂを行い、最後に仕上げ洗浄工程１１で仕上げ洗浄処理を行う。例文帳に追加

Using float sheet glass as a glass plate material 5, it is subjected to a disk machining process 6 and an edge machining process 7, strengthened in a chemical process 8, polished in a surface polishing process 9, and subjected to an acid washing process 10a and an alkali-cleaning process 10b, then finally washed in the last washing process 11. - 特許庁

基板（４０）上の一様な間隔に加えて、研磨材粒子が基板から一様な距離を伸びており、水平および垂直の双方に化学的機械的平坦化技術パッドの一様な毛づくろいまたは仕上げが可能である。例文帳に追加

The abrasive grains are not only disposed at the uniform interval on the substrate 40 and but also extended from the substrate in a uniform distance, so that the chemical/mechanical flatting technology pad can be groomed and finished both horizontally and vertically. - 特許庁