半導体陽極の英語

真性半導体層が第１陽極／陰極層上に形成されている。例文帳に追加

An intrinsic semiconductor layer is formed on the first anode/cathode layer. - 特許庁

陽極化成によって半導体基板１内に空洞４を形成する。例文帳に追加

To form a cavity 4 in a semiconductor substrate 1 by anode formation. - 特許庁

半導体基体及び太陽電池の製造方法と陽極化成装置例文帳に追加

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND SOLAR BATTERY, AND ANODIZATION DEVICE - 特許庁

陽極化成装置及び処理方法並びに半導体基板の製造方法例文帳に追加

ANODE FORMING DEVICE, TREATMENT METHOD, AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATE - 特許庁

陽極化成装置及び多孔質半導体基板の製造方法例文帳に追加

ANODIC CHEMICAL CONVERSION APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING POROUS SEMICONDUCTOR SUBSTRATE - 特許庁

半導体素子が形成された半導体ウェハにガラス基板を陽極接合する場合において、半導体ウェハの破壊を防止する。例文帳に追加

To prevent the breakdown of a semiconductor wafer when a glass board is anode-joined with the semiconductor wafer with a semiconductor element formed thereon. - 特許庁

本発明の発光素子は、ＧａＮ系半導体と、ＧａＮ系半導体に電流を注入するための陽極および陰極と、ＧａＮ系半導体と陽極との間に設けられた有機正孔輸送材料と、を含んでいる。例文帳に追加

This light emitting element includes: the GaN-based semiconductor; a positive electrode and a negative electrode for injecting a current into the GaN-based semiconductor; and an organic hole transport material arranged between the GaN-based semiconductor and the positive electrode. - 特許庁

また、発光素子１０は陽極及び陰極を有し、サブマウント材３０はＰ型半導体基板であり、凹部３０ａの底の一部にＮ型半導体領域３２、３２を形成し、Ｎ型半導体領域３２、３２上に前記陽極、前記陰極と接続された陽極接続部２０、２０を設ける。例文帳に追加

The light emitting element 10 has an anode and a cathode, the submount member 30 is a P type semiconductor substrate, N type semiconductor regions 32 and 32 are formed at a part on the bottom of the recess 30a, and anode connecting parts 20 and 20 connected with the anode and cathode are provided on the N type semiconductor regions 32 and 32. - 特許庁