半抑制濃度の英語

接合深さが深くなるが抑制され、低抵抗化された低濃度不純物領域を備えた半導体装置とその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device which has a low-density impurity region made low in resistance by suppressing an increase in junction depth, and to provide a method of manufacturing the semiconductor device. - 特許庁

トランジスタが形成される半導体層の任意の位置にパンチスルーを抑制するための高濃度層を形成する。例文帳に追加

To form a high impurity layer for suppressing punch through at an arbitrary position on a semiconductor layer on which a transistor is formed. - 特許庁

不純物層の深さおよび濃度のばらつきを抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device suppressing dispersion of depth and concentration of an impurity layer. - 特許庁

ｎ型酸化物半導体層１５において、キャリアの蓄積が抑制され、これによりキャリア濃度が低減される。例文帳に追加

In the n-type oxide semiconductor layer 15, accumulation of carriers is suppressed and thus carrier concentration is reduced. - 特許庁

トランジスタが形成される半導体層の任意の位置にパンチスルーを抑制するための高濃度層を形成する。例文帳に追加

To form a high-concentration layer for suppressing punch-throughs in an arbitrary position on a semiconductor layer in which a transistor is formed. - 特許庁

ソースドレインエクステンション領域における不純物濃度の低減を抑制する半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which suppresses the decrease of the impurity concentration in a source drain extension region. - 特許庁

ドーパント拡散層のドーパント濃度の低下を抑制して半導体装置の特性の低下を抑制することができる半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device capable of preventing the deterioration of semiconductor device properties by preventing the deterioration of the dopant concentration of a dopant-diffusing layer. - 特許庁

半導体上層２６内のｐ型不純物の濃度は、第１不純物拡散抑制膜２４ａ及び第３不純物拡散抑制膜２４ｃ上で薄く、半導体下層２２の第２領域２２ｂ上で濃い。例文帳に追加

A p-type impurity in the semiconductor upper layer 26 is thin on the first impurity diffusion control film 24a and the third impurity diffusion control film 24c, but thick on the second region 22b of the semiconductor lower layer 22. - 特許庁