反応パタンの英語

第一の様態では、少なくとも１つのスペクトル・エネルギー・パタンを結晶化反応系に印加することができる。例文帳に追加

In a first aspect, at least one spectral energy pattern can be applied to a crystallization reaction system. - 特許庁

スペクトル・エネルギー・コンディショニング・パタンは、例えば、反応容器とは別の場所で（例えば、コンディショニング反応容器で）印加することができる、又は反応容器において（又は、に対して）、しかし他の（又は全ての）結晶化反応系関与物質が反応容器に導入される前に、印加することができる。例文帳に追加

The spectral energy conditioning pattern can, for example, be applied at a separate location from a reaction vessel (e.g., in a conditioning reaction vessel) or can be applied in (or to) the reaction vessel, but prior to other (or all) crystallization reaction system participants being introduced into the reaction vessel. - 特許庁

γ−またはδ−アルコキシカルボン酸構造の一部または全てが、酸触媒反応によりラクトン構造に変わる反応を用い、水性アルカリ現像で膨潤のない高解像性のネガ型のパタンを形成する。例文帳に追加

The negative type pattern which does not swell in aqueous alkali development and has high resolution is formed by using a reaction in which part or the whole of a γ- or δ-alkoxycarboxylic acid structure is converted to a lactone structure by an acid catalyzed reaction. - 特許庁

少なくとも１つのスペクトル・エネルギー・パタンに結晶化反応系の１つ以上の成分を曝露することによって、いろいろな結晶形成、構造形成又は相形成／相変化の反応経路又はシステムに影響を及ぼし、コントロールし、及び／又は導く新しい方法に関する。例文帳に追加

To relate to novel methods for affecting, controlling and/or directing various crystal formation, structure formation or phase formation/phase change reaction pathways or systems by exposing one or more components in a crystallization reaction system to at least one spectral energy pattern. - 特許庁

第二の様態では、少なくとも１つのスペクトル・エネルギー・コンディショニング・パタンをコンディショニング結晶化反応系に印加することができる。例文帳に追加

In a second aspect, at lest one spectral energy conditioning pattern can be applied to a conditioning crystallization reaction system. - 特許庁

Ａｒプラズマによる硬化処理の有無により反応性イオンエッチングに対するベンゾシクロブテン膜のエッチング特性が異方的、等方的と変わる性質を利用し、ＢＣＢ膜一種、エッチングガス一種で、一度の反応性イオンエッチングでＴ型の開口度の異なるパタンを簡易に形成でき、製造工程の大幅な短縮を図ることができるＴ型ゲート電極有する半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing semiconductor device which can easily form T-type patterns in different degrees of apertures to remarkably reduce the manufacturing processes with the single process of reactive ion etching with a kind of BCB film and a kind of the etching gas, by utilizing the property that the etching characteristic of benzocyclobutene film for reactive ion etching changes isotropically and anisotropically depending on execution of hardening process with the Ar plasma. - 特許庁

放射線照射により酸を生じる化合物およびカルボキシル基および／またはフェノール性水酸基を有するバインダ樹脂、１分子中に少なくとも２個以上のビニルエーテル基を有する化合物、および窒素含有樹脂結合剤を酸触媒付加反応させて得られる組成物を少なくとも含むパタン形成材料を用いる。例文帳に追加

The pattern forming material contains at least a compound which generates an acid when irradiated with radiation and a composition obtained by bringing a binder resin having carboxyl groups and/or phenolic hydroxyl groups, a compound having two or more vinyl ether groups in one molecule and a nitrogen-containing resin binder into an acid catalyzed addition reaction. - 特許庁