同時スパッタリングの英語

同時スパッタリング法によるホイスラー合金の蒸着方法例文帳に追加

METHOD OF VAPOR DEPOSITION OF HEUSLER ALLOY BY CO- SPUTTERING METHOD - 特許庁

反応性スパッタリング法により、基材５面上に薄膜を形成する方法において、Ｎｂを主成分とするスパッタリングターゲット３ｂとＡｌを主成分とするスパッタリングターゲット３ａをそれぞれ１枚以上用いて、該反応性スパッタリング法を行い、２種の該スパッタリングターゲット由来の成分を該基材５面上に同時に成膜することを特徴とする薄膜の形成方法。例文帳に追加

A method for depositing a thin film on a surface of a base material 5 by the reactive sputtering method uses one or more sputtering targets 3b containing Nb as a principal element and one or more sputtering targets 3a containing Al as a principal element for reactive sputtering to simultaneously deposit films of the components derived from two kinds of sputtering targets on the surface of the base material 5. - 特許庁

そしてマグネトロン同時スパッタリングによって複合膜を基板上に成膜する。例文帳に追加

In addition, multicomponent films are coated on a substrate by way of magnetron co-sputtering. - 特許庁

パーティクルや異常放電現象の原因となる不純物を低減させると同時に、ハイパワースパッタリング（高速スパッタリング）時においても亀裂や割れの発生がなく、スパッタリング特性を安定させ、成膜時のパーティクルの発生を効果的に抑えることのできる高品質のスパッタリング用チタンターゲットを提供する。例文帳に追加

To provide a titanium target for sputtering having high quality capable of reducing the amount of impurities causing particles or abnormal discharge phenomenon, preventing occurrence of any crack even during the high-power sputtering (the high-speed sputtering), stabilizing the sputtering characteristic, and effectively suppressing generation of particles during the film deposition. - 特許庁

成膜速度および膜厚均一性を同時に向上させながら、ターゲットの利用効率を改善することができるスパッタリングカソードおよびこれを備えたマグネトロン型スパッタリング装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a sputtering cathode which improves a utilizing efficiency of a target while improving a film forming speed and a uniformalization of a film thickness at the same time and a magnetron type sputtering device furnished with it. - 特許庁

スパッタリングの際に要求される、高い成膜速度を実現すると同時に、形成される薄膜の膜厚分布をも均質に形成することができるＲｕスパッタリング用ターゲット材を提供することを課題とする。例文帳に追加

To provide a target material for Ru sputtering realizing a high film deposition rate required upon sputtering and simultaneously capable of uniformly forming a film thickness distribution in the thin film to be deposited. - 特許庁

その後、銅ターゲットおよびシリコン酸化物ターゲットを使用して同時スパッタリングプロセスを行うか、あるいは、複合ターゲットを使用してスパッタリングプロセスを行って、基板の表面に混合膜を沈積させる。例文帳に追加

After that, a co-sputtering process that uses the copper target and the silicon oxide target or a sputtering process that uses the composite target is performed to deposit a compound film on a surface of the substrate. - 特許庁