圧電半導体プラズマの英語

半導体素子を基板上にフリップチップ実装する半導体素子実装方法において、前記基板上の電極と前記半導体素子の電極とを接合する工程と、前記基板上の電極と前記半導体素子の電極とを接合した接合部に大気圧プラズマ法にて膜を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体素子実装方法。例文帳に追加

The packaging method for flip-chip packaging a semiconductor element on the substrate comprises processes of: joining an electrode on the substrate and an electrode of the semiconductor element; and forming a film at the junction part of the electrode on the substrate and the electrode of the semiconductor element with the aid of an atmospheric pressure plasma method. - 特許庁

半導体素子の製造工程における電極薄膜等の製造において、大気圧近傍の圧力下で均一なグロー放電プラズマを継続して発生させ、安定してグロー放電プラズマ処理による薄膜の製造方法の提供。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a thin film in a manufacturing of an electrode thin film and the like in a manufacturing process of semiconductor element by continuously generating even glow discharge plasma under vicinity of atmospheric pressure to stably provide glow discharge plasma treatment. - 特許庁

半導体素子の製造工程における低誘電率層間絶縁薄膜の製造において、大気圧近傍の圧力下で均一なグロー放電プラズマを継続して発生させ、安定してグロー放電プラズマ処理を行う方法を用いる製造方法の提供。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor element, using a method for stably glow discharge plasma treatment by continuously generating a uniform glow discharge plasma under a pressure close to the atmospheric pressure, when manufacturing a low permittivity interlayer insulating thin film in the manufacturing step of the element. - 特許庁

プラズマイグナイタ３は、ホットエレクトロン、準弾道電子、又は弾道電子を生成する半導体もしくは導電性基板４上に形成された電子ドリフト層５と、電子ドリフト層５上に形成された表面電極６とからなり、大気圧プラズマ処理装置に搭載する。例文帳に追加

The plasma igniter 3 comprises an electron drift layer 5 formed on a semiconducting or conductive substrate 4 generating hot electron, quasi-ballistic electron, or ballistic electron, and a surface electrode 6 formed on the electron drift layer 5, and is loaded on an atmospheric pressure plasma treatment device. - 特許庁

半導体素子の製造工程における薄膜の製造において、大気圧近傍の圧力下で均一なグロー放電プラズマを継続して発生させ、安定してグロー放電プラズマ処理を行う方法を用いて、薄膜を容易に製造する方法及びその装置の提供。例文帳に追加

To provide a method and a device for easily manufacturing a thin film by continuously generating uniform glow discharge plasma under pressure near atmospheric pressure for performing glow discharge plasma treatment stably at manufacturing the thin film in a manufacturing process of a semiconductor element. - 特許庁

半導体素子の製造工程における層間絶縁膜及び／又はパシベーション膜の製造において、大気圧近傍の圧力下で均一なグロー放電プラズマを継続して発生させ、安定してグロー放電プラズマ処理により製造する方法の提供。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor element through stable glow discharge plasma treatment, by continuously generating a uniform glow discharge plasma under a pressure close to the atmospheric pressure, when manufacturing an interlayer insulating film and/or a passivation film in the step of manufacturing the element. - 特許庁

半導体素子における透明導電薄膜、シリサイド薄膜及び金属薄膜などの電極薄膜のプラズマＣＶＤ法による形成において、大気圧近傍の圧力下で対向電極間に原料ガスを導入し、該対向電極間にパルス状の電界を印加することにより原料ガスをグロー放電プラズマ化させ、薄膜の形成を行うことを特徴とする半導体素子の製造方法。例文帳に追加

The method for manufacturing semiconductor element in forming the electrode thin film such as a transparent conductive thin film, silicide thin film, metal thin film, and the like, by plasma CVD method comprises the steps of introducing raw gas between opposed electrodes under vicinity of atmospheric pressure, and making raw gas in glow-discharge plasma state by applying pulsed electric field between the opposed electrodes. - 特許庁

長時間にわたる高温を伴うプラズマエッチングに耐え得る耐熱性、優れた耐電圧特性や耐プラズマ性等を有し、耐久性が高くて信頼性の高い半導体製造装置やエッチング装置用の接着剤および接着シート、それらを用いた構造部品。例文帳に追加

To obtain an adhesive and an adhesive sheet having heat resistance capable of standing plasma etching attended by a high temperature for many hours, having excellent voltage endurance characteristics, plasma resistance, etc., useful for an apparatus for producing a semiconductor or an etching apparatus having high durability and high reliability, and a structural part using the adhesive or the adhesive sheet. - 特許庁