外部ベース抵抗の英語

外部ベース層の抵抗値の小さいヘテロバイポーラトランジスタ及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a heterobipolar transistor where the resistance of an outer base layer is small and a manufacturing method of the transistor. - 特許庁

外部ベースに起因する抵抗を低減することで高周波特性の向上が図られる半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device that can improve high-frequency characteristics by reducing the resistance due to an external base. - 特許庁

バイポーラトランジスタは、外部ベース領域が不純物濃度が低いベース領域４Ｂ、及び、不純物濃度が高い高濃度外部ベース領域８で形成されるので、外部ベ−ス領域の抵抗性接触が良好となり、ベース・コレクタ間の寄生容量が低減する。例文帳に追加

Related to a bipolar transistor, an external base region is formed of a base region 4B, having low impurity concentration and a heavily-doped external base region 8 with high impurity concentration, so that the resistive contact in the external base region is satisfactory, reducing parasitic capacity between a base and collector. - 特許庁

真性ベース層へ加熱処理の影響を与えることなく外部ベース抵抗を低減し、かつベース、コレクタ接合面積を小さく保つことで一層の高速化が可能な半導体集積回路装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit device which can be further accelerated by reducing an external base resistance without imparting an influence of a heat treatment to an intrinsic base layer and holding base and collector connecting areas small. - 特許庁

ベース引き出し電極６とエミッタ開口部７ａは自己整合的に形成され、外部ベース層のリンク領域を削減し、ベース抵抗を低減できる。例文帳に追加

The base extraction electrode 6 and the emitter opening 7a are formed in a self-alignment manner, the link region on the outer base layer is reduced, and base resistance can be reduced. - 特許庁

ラテラルバイポーラトランジスタの外部エミッタ領域と外部ベース領域の寄生容量及び寄生ベース抵抗を低減させ、高周波特性及び雑音特性の改善する。例文帳に追加

To improve the high-frequency characteristics and noise characteristics by reducing the parasitic capacity and parasitic base resistance in an external emitter region and external base region of a lateral bipolar transistor. - 特許庁

真性エミッタ領域または真性ベース領域から配線に接続するための多結晶シリコンからなる外部エミッタ電極または外部ベース電極の一部の不純物濃度を低減し、抵抗値を真性領域の抵抗値より高く設定することで、バラスト抵抗として機能させることにより高出力動作時の動作時信頼性を向上させる。例文帳に追加

By reducing the impurity concentration in a portion of an external emitter electrode or an external base electrode which is for establishing connection to wiring from an intrinsic emitter region or an intrinsic base region, and setting the resistance higher than that in the intrinsic region, thereby making it function as a ballast resistor, the reliability is improved in high output operation. - 特許庁

前記真空度検査デバイスはベース基板と、前記ベース基板に対向させた状態で該ベース基板に接合されるリッド基板と、前記ベース基板と前記リッド基板との間に形成されたキャビティに金属薄膜抵抗を設置し、前記金属薄膜抵抗を外部の電極と導通させる貫通電極を形成することで構成される。例文帳に追加

The vacuum inspection device is structured by arranging the base substrate, the lid substrate joined to the base substrate and facing the base substrate, a metal thin film resistance arranged in the cavity formed between the base substrate and lid substrate, and a through electrode for conducting the metal thin film resistance to an external electrode. - 特許庁