「外部ベース抵抗」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

外部ベース抵抗が低く、ベース抵抗のばらつきが少なく、コレクタ・ベース間の容量が小さい高速動作が可能なバイポーラトランジスタ，その製造方法，該バイポーラトランジスタを用いた電子回路装置，光通信システムの提供。例文帳に追加

To enable high-speed operation for a bipolar transistor by lowering the external base resistance and lessen the dispersion of base resistance, and making the capacity between a collector and a base small. - 特許庁

トランジスタＱ_I ，Ｑ１，Ｑ２の各ベースは、抵抗Ｒ_I ，Ｒ１，Ｒ２を介して外部端子φ_I ，φ１，φ２に接続される。例文帳に追加

The bases of respective TRs QI, Q1, Q2 are connected to respective external terminals ϕI, ϕ1, ϕ2 through respective resistors RI, R1, R2. - 特許庁

外部ベース層の抵抗値の小さいヘテロバイポーラトランジスタ及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a heterobipolar transistor where the resistance of an outer base layer is small and a manufacturing method of the transistor. - 特許庁

外部ベースに起因する抵抗を低減することで高周波特性の向上が図られる半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device that can improve high-frequency characteristics by reducing the resistance due to an external base. - 特許庁

バイポーラトランジスタは、外部ベース領域が不純物濃度が低いベース領域４Ｂ、及び、不純物濃度が高い高濃度外部ベース領域８で形成されるので、外部ベ−ス領域の抵抗性接触が良好となり、ベース・コレクタ間の寄生容量が低減する。例文帳に追加

Related to a bipolar transistor, an external base region is formed of a base region 4B, having low impurity concentration and a heavily-doped external base region 8 with high impurity concentration, so that the resistive contact in the external base region is satisfactory, reducing parasitic capacity between a base and collector. - 特許庁

真性ベース層へ加熱処理の影響を与えることなく外部ベース抵抗を低減し、かつベース、コレクタ接合面積を小さく保つことで一層の高速化が可能な半導体集積回路装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit device which can be further accelerated by reducing an external base resistance without imparting an influence of a heat treatment to an intrinsic base layer and holding base and collector connecting areas small. - 特許庁

ベース引き出し電極６とエミッタ開口部７ａは自己整合的に形成され、外部ベース層のリンク領域を削減し、ベース抵抗を低減できる。例文帳に追加

The base extraction electrode 6 and the emitter opening 7a are formed in a self-alignment manner, the link region on the outer base layer is reduced, and base resistance can be reduced. - 特許庁

ラテラルバイポーラトランジスタの外部エミッタ領域と外部ベース領域の寄生容量及び寄生ベース抵抗を低減させ、高周波特性及び雑音特性の改善する。例文帳に追加

To improve the high-frequency characteristics and noise characteristics by reducing the parasitic capacity and parasitic base resistance in an external emitter region and external base region of a lateral bipolar transistor. - 特許庁

真性エミッタ領域または真性ベース領域から配線に接続するための多結晶シリコンからなる外部エミッタ電極または外部ベース電極の一部の不純物濃度を低減し、抵抗値を真性領域の抵抗値より高く設定することで、バラスト抵抗として機能させることにより高出力動作時の動作時信頼性を向上させる。例文帳に追加

By reducing the impurity concentration in a portion of an external emitter electrode or an external base electrode which is for establishing connection to wiring from an intrinsic emitter region or an intrinsic base region, and setting the resistance higher than that in the intrinsic region, thereby making it function as a ballast resistor, the reliability is improved in high output operation. - 特許庁

前記真空度検査デバイスはベース基板と、前記ベース基板に対向させた状態で該ベース基板に接合されるリッド基板と、前記ベース基板と前記リッド基板との間に形成されたキャビティに金属薄膜抵抗を設置し、前記金属薄膜抵抗を外部の電極と導通させる貫通電極を形成することで構成される。例文帳に追加

The vacuum inspection device is structured by arranging the base substrate, the lid substrate joined to the base substrate and facing the base substrate, a metal thin film resistance arranged in the cavity formed between the base substrate and lid substrate, and a through electrode for conducting the metal thin film resistance to an external electrode. - 特許庁

外部ベース抵抗を増大させることなく、コレクタ／ベース接合面積を小さくして、最大発信周波数を向上させたセルフアライン構造のバイポーラトランジスタ構造及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a bipolar transistor structure having a self-aligned structure which is improved in the maximum oscillation frequency by reducing a bonding area between the collector and the base without increasing an external base resistance, and also to provide its manufacturing method. - 特許庁

エミッタ層と外部ベース電極の距離を縮小してベース抵抗の低減と、マスク枚数と工程数の削減が可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device and a method of manufacturing the same whereby a distance between an emitter layer and an external base electrode is shortened to lower a base resistance and reduce the number of masks and the number of steps. - 特許庁

フォーカスコンタクト（７）の連結板（７ａ）を、円筒状のベース挿通孔（８）の中心から放射状に配列し、その延長線上に抵抗素子（１６）を外部リード線と接続するターミナル（１７）を取り付ける。例文帳に追加

A connecting plate (7a) of the focus contact (7) is disposed radially from the center of a cylindrical shaped base insert hole (8) and on the extension line of it a terminal (17) connecting the resistance element (16) with an outside lead wire is installed. - 特許庁

このｐ＋拡散層１０ａおよびｎ＋拡散層１０ｂの表面には外部ベース層の低抵抗層用のシリサイド膜１４ｂ，ｃ，ｄが形成される。例文帳に追加

Silicide films 14b, 14c and 14d for a low resistance layer of the outer base layer are formed on the surface of the p^+ diffusion layer 10a and the n^+ diffusion layer 10b. - 特許庁

駆動保護回路１０内に設けられ電圧Ｖrefを出力し、ＩＧＢＴ１と同じ温度特性を有する定電圧源１２には、ベース電流補正型のカレントミラー回路２１が接続されており、このカレントミラー回路２１が生成する電流は、Ｔｒ１９側に駆動保護回路１０の外部から直列に接続された抵抗素子３０により設定できる。例文帳に追加

A base current correction type current mirror circuit 21 is connected to a regulated voltage source 12 which is provided for the circuit 10, outputs voltage Vref and has the same temperature characteristics as that of an IGBT1, and current generated by the circuit 21 can be set by a resistance circuit 30 serially connected to a Tr 19 from the outside of the circuit 10. - 特許庁