外部抵抗の影響の英語

このため、外部から加わるノイズや電界に影響されずにポリシリコン抵抗２の抵抗値を一定にすることができる。例文帳に追加

Therefore, the resistance of the polysilicon resistor 2 can be made fixed, without being affected by noise and electric filed applied from an outside. - 特許庁

また、抵抗体１００に絶縁層１４１と１４２を被覆することで、抵抗体１００の外部露出面積が減少し、外部環境の影響を受けて抵抗体１００が劣化するのを低減できる。例文帳に追加

The resistor 110 is coated with the insulation layers 141 and 142, so that the resistor 110 is capable of reducing its part exposed to the outside air in area, and it can be prevented from deteriorating in quality, due being influenced by the environment. - 特許庁

つまり、シャント抵抗器Ｒｓの両端の引き出し線に接続される抵抗器Ｒ１ａ，Ｒ２ａの抵抗値を数１０ＫΩと従来よりも大幅に低抵抗値とすることができるので、外部からのノイズの影響を受けにくくなり、耐ノイズ性が向上する。例文帳に追加

That means, the resistance values of resistors R1a, R2a connected to lead-out wires of both ends of the shunt resistor Rs may be decreased to several 10 kΩ greatly smaller than those of the conventional converter, thereby reducing the effect of outside noise and achieving improved noise resistance. - 特許庁

センサ抵抗を増大させることなく、外部抵抗の影響も無視できるようにして、より正確に満タン状態を指示するように改善した液面レベル指示装置を提供する。例文帳に追加

To provide a liquid level indicating device improved to indicate a more accurate state of a full tank by making ignore the effects of external resistance ignorable without increasing sensor resistance. - 特許庁

従来の半導体装置では、ポリシリコン抵抗の抵抗値が上側に被せられるアルミの電位に依存性を持つ場合、その電位をフローティング電位にしておくことは外部から加わるノイズや電界に影響して抵抗値を変化させてしまうことになる。例文帳に追加

To prevent resistance change affected by noise and electric field applied from the outside, which is caused when an electric potential is kept floating when the resistance of a polysilicon resistor depends on the electric potential of aluminum applied to the upper side as in a conventional semiconductor device. - 特許庁

本発明は、磁気抵抗材料から形成され、少なくとも１つのストリップ状導体を有し、外部磁界によって影響され、および／または電流で動作されることができるその電気抵抗を決定するように設計される磁気抵抗センサに関する。例文帳に追加

The magnetoresistance sensor is formed by a magnetoresistive material, has at least one strip-like conductor, is affected by an external magnetic field, and/or determines the electric resistance that can be operated by current. - 特許庁

本発明による磁気抵抗センサは、半導体磁気抵抗素子（２）に対して電磁石（１）を介して磁界を与え、外部からの外乱磁束がかかる場合に、電流の強さ及び／又は磁極の選択によって外乱の影響をなくし、正常検出ができるようにする構成である。例文帳に追加

This magnetoresistance sensor which detects the semiconductor magnetoresistance element (2) by impressing the magnetic field upon the element (2) through the electromagnet (1) is constituted to normally detect the element (2), by eliminating the influence of a disturbing magnetic flux by selecting the intensity of a current and/or magnetic poles when the disturbing magnetic flux is applied to the element(2). - 特許庁