実効ひずみの英語

外形寸法を大きくすることなく、実効透磁率を向上させ、歪率を改善したトランスを提供する。例文帳に追加

To provide a transformer which has enhanced effective permeability and an improved distortion factor without enlarging outer dimensions. - 特許庁

セルが駆動する駆動負荷の大きさに応じてミラー効果が生じ、このミラー効果に起因してセルの入力波形及び出力波形に歪が発生する場合があることを考慮して、予め、ミラー効果により波形歪を生じるセル及びこれに接続された駆動負荷と実効的に等しい１つの実効入力端子容量を算出する（ステップ１１０３）。例文帳に追加

Considering that there may be a case where a mirror effect occurs corresponding to a magnitude of a driving load that a cell drives and a distortion is caused to an input waveform and an output waveform of a cell attributable to the mirror effect, one effective input terminal capacitance effectively equal to the cell causing the distortion of the waveform by the mirror effect and the driving load connected to it is calculated (Step 1103). - 特許庁

キュリー温度が高く、しかも実効圧電歪定数が大きいアクチュエータ用圧電磁器及び積層型圧電アクチュエータ並びに噴射装置を提供する。例文帳に追加

To provide a piezoelectric ceramic for actuator, which has a high Curie temperature and large effective piezoelectric distortion constant, and to provide a layer-built piezoelectric actuator and a jetting apparatus. - 特許庁

チャネル領域１３の伝導帯は引っ張り歪を受けてスプリットし、伝導帯端は実効質量の小さい電子がはいるバンドによって構成されるので、電子移動度の高い電子が走行する。例文帳に追加

Conduction band of the channel region 13 is subjected to the tensile train and spilt, and the conduction band end is constituted by a band in which electrons of small effective mass enter, so that electrons of high electron mobility are driven. - 特許庁

これにより、歪シリコン技術を実効あらしめる窒化シリコン膜ＳＮ１〜ＳＮ３の引張応力を確保しながら、特に、最上層の窒化シリコン膜ＳＮ３の埋め込み特性を改善できる。例文帳に追加

Accordingly, it is possible to improve, in particular, the embedding characteristic of the silicon nitride film SN3 in the uppermost layer while ensuring the tensile stress of silicon nitride films SN1 to SN3 which makes the strained silicon technique effective. - 特許庁

絶縁型であって且つ出力電圧を実効入力電圧よりも低くすることができ且つ入力電流歪の低減が可能な電源装置及びこの電源装置を備えた照明装置を提供する。例文帳に追加

To provide an insulation-type power supply device that can lower an output voltage below an effective input voltage, and can reduce an input current distortion, and to provide an illumination device having the same. - 特許庁

歪Ｓｉ／ＳｉＧｅ構造（または歪Ｓｉ／ＳｉＧｅＣ構造）を採用してチャネル部分の電子移動度または正孔移動度の向上を行うと共に、かかるヘテロ構造の結晶性を良好な状態に保ち、実効チャネル長の短縮を防ぎ、Ｇｅの拡散を防ぐと共に、ソース層およびドレイン層の抵抗を低くする。例文帳に追加

To improve electron and hole mobilities in a channel party by employing a distorted Si/SiGe structure (or distorted Si/SiGeC structure), to keep the crystallinity of such a heterostructure in a proper condition, to prevent shortening of an effective channel length and diffusion of a Ge, and to reduce the resistance of the source layer and chain layer. - 特許庁