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弗素添加の英語
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英訳・英語 fluoridation
「弗素添加」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 12件
弗素添加酸化珪素膜の弗素と金属膜との反応により金属膜の膜剥がれを生じないようにしたものである。例文帳に追加
To prevent a metal film from peeling off due to reaction of fluorine in a fluorine-added silicon oxide film and the metal film. - 特許庁
超ドライで、塩素を含まず、弗素を添加された高純度溶融シリカを製造する。例文帳に追加
To provide a method of manufacturing ultra-dry, chlorine-free and fluorine-doped high purity fused silica. - 特許庁
表面自由エネルギーを調節するために熱可塑性エラストマーに弗素樹脂を添加する。例文帳に追加
Fluororesin is added to thermoplastic elastomer in order to adjust the surface free energy. - 特許庁
半導体装置において、弗素添加酸化珪素膜４Ａ上に窒素添加酸化珪素膜４Ｂが配設され、この窒素添加酸化珪素膜４Ｂ上に第２層目の金属配線６が配設されている。例文帳に追加
In the semiconductor device, a nitrogen added silicon dioxide thin film 4B is stacked on a fluorine added silicon dioxide thin film 4A, and on the top of this nitrogen added dioxide thin film 4B, the metallic wires 6 of a second layer are arranged. - 特許庁
半導体基板１０上に弗素添加酸化珪素膜をプラズマ気相成長法により形成する場合において、セラミックドーム部１とメタルチャンバ部２から構成された反応容器内部の少なくともセラミックドーム部内壁に弗化物からなる弗素耐性膜１５を形成する。例文帳に追加
When a fluorine-added silicon oxide film is to be formed on a semiconductor substrate 10 by the plasma vapor growth method, a fluorine- resistance film 15 that is made of fluoride is formed at least on the inner wall of a ceramic dome part in a reaction container being composed of a ceramic dome part 1 and a metal chamber part 2. - 特許庁
炭素膜および炭素膜に接して弗素と水素が添加された炭素を主成分とし、可視光に対し、透光性のアモルファス構造又は結晶構造を有する膜を形成することができる。例文帳に追加
A carbon film and a film with an amorphous structure or a crystal structure essentially consisting of carbon into which fluorine and hydrogen have been added and having translucency to visible light and being in contact with the carbon film can be deposited. - 特許庁
塩素および弗素を含む鉄鋼ダストをロータリーキルンで還元焙焼して還元鉄ペレットを回収する方法において、還元焙焼中の鉄鋼ダストに水分を添加する。例文帳に追加
In the method where steel dust containing chlorine and fluorine is reduced and roasted by a rotary kiln to recover reduced iron pellets, moisture is added to the steel dust in the process of the reduction and roasting. - 特許庁
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「弗素添加」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 12件
弗素化合物を添加せず、アルミン酸塩蛍光体の結晶性を向上させ、粒径及び形状を制御したアルミン酸塩蛍光体の製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide a preparation process of an aluminate fluorescent substance which does not add any fluorine compound, improves the crystallinity of the aluminate fluorescent substance and controls the particle size and the shape. - 特許庁
支持体上の情報記録層側の最上層に、含弗素ノニオン界面活性剤と、１．５×１０^-5モル／m^2以上の多価金属塩と、更に該多価金属と水溶液中で難溶性塩をつくるアニオン界面活性剤を添加する。例文帳に追加
A fluorine-containing nonionic surfactant, ≥1.5×10-5 mol/m2 salt of a polyvalent metal and an anionic surfactant which forms a slightly soluble salt with the polyvalent metal in an aqueous solution are added to a top layer on a substrate on the information recording layer side. - 特許庁
硼素及び／又は弗素含有排水に、約１４００℃以下の温度（好ましくは約３００℃以上）で焼成して得られた酸化マグネシウムを添加し、３０℃以上の温度で処理した後、固液分離する。例文帳に追加
Magnesium oxide baked at a temperature of about 1,400°C or lower (preferably, about 300°C or higher) is added to wastewater containing boron and/or fluorine and this wastewater is treated at a temperature of 30°C or higher to be subjected to solid-liquid separation treatment. - 特許庁
プラズマ気相成長法により半導体基板上に弗素添加酸化珪素膜を成膜する工程中において、成膜される半導体基板が載置された反応容器内部をプラズマの経時変化を抑制するように構成された半導体製造装置及びこの半導体製造装置を用いた半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide a semiconductor manufacturing apparatus, the inside of a reaction container in that a semiconductor substrate to be formed is placed, is composed so that the change in plasma with time can be suppressed, and a method for manufacturing a semiconductor device using the semiconductor- manufacturing device, in a process for forming a fluorine-added silicon oxide film on a semiconductor substrate through the plasma vapor growth method. - 特許庁
銅製鋳型内の溶鋼表面にモールドパウダーを添加して鋳片を連続鋳造するに当たり、ＣａＯ、ＳｉＯ_２および弗素化合物を基本成分とするモールドパウダーを用いると共に、銅製鋳型厚みをＴ（ｍｍ）、鋳片の鋳造速度をＶｃ（ｍ／ｍｉｍ）としたとき、これらがモールドパウダーの塩基度（ＣａＯ／ＳｉＯ_２）と下記（１）式の関係を満足するようにして操業する。例文帳に追加
When continuously casting a cast slab while adding a mold powder to the surface of molten metal in a copper mold, the mold powder, whose base components are CaO, SiO_2 and a fluorine compound, is used. - 特許庁
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