強磁性体材料の英語

低抵抗透明強磁性体材料及びその製造方法例文帳に追加

LOW RESISTANCE TRANSPARENT FERROMAGNETIC MATERIAL AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

本発明の磁気記録媒体Ｘ１は、連続膜体である記録層１２を備え、記録層１２は、強磁性相および非磁性相が混在する強磁性グラニュラ構造を含む記録磁性部１２Ａと、強磁性材料と非磁性材料とが過飽和に固溶した状態にある非磁性部１２Ｂとを有する。例文帳に追加

The magnetic recording medium X1 is provided with the recording layer 12 which is a continuous film body, and the recording layer 12 comprises the recording magnetic part 12A including the ferromagnetic granular structure wherein the ferromagnetic phase and the nonmagnetic phase coexist and the nonmagnetic part 12B with the ferromagnetic material and the nonmagnetic material supersaturatedly dissolved. - 特許庁

その凸部２００をプランジャ本体１７２と同じく強磁性材料で形成し、スリーブ１７４を非磁性材料で形成する。例文帳に追加

The projection part 200 is formed of the same ferromagnetic material as that of the plunger body 172, and the sleeve 174 is formed of a nonmagnetic material. - 特許庁

測温抵抗体２の材料として少なくとも１００Ｋ以下で反強磁性となる反強磁性半導体を用いる。例文帳に追加

As material for a thermometric resistor 2, an antiferromagnetic semiconductor which is antiferromagnetic below not lower than 100K is used. - 特許庁

磁壁は、バイアの壁に沿ってノッチまたは突出に生じる強磁性体または強磁性体材料における切れ目によって形成される。例文帳に追加

The magnetic wall is formed by the ferromagnetic material occurring on a notch or projection along the wall of the via or by the discontinuity in the ferromagnetic material. - 特許庁

前記自由強磁性層（１０）は，前記トンネル絶縁層に直接に接合する強磁性層（３１）と，強磁性層（３１）に接合され，且つ，非磁性元素と強磁性層（３１）を構成する強磁性材料とを含有する磁化制御構造体（３２，３４，３５）とを含む。例文帳に追加

Next, the free ferromagnetic layer 10 includes the ferromagnetic layer 31, bonded directly to the tunnel insulating layer; and magnetization control structures 32, 34, and 35 bonded to the ferromagnetic layer 31, and includes a nonmagnetic element and a ferromagnetic material constituting the ferromagnetic layer 31. - 特許庁

非磁性体と強磁性体よりなる材料から急冷凝固法により直径１００μｍ以下の細線を作製し、これを熱処理して非磁性材料中に強磁性体粒子を分散させ、磁性粒子分散型巨大磁気抵抗効果を示す細線からなるセンサーを製造する。例文帳に追加

Thin lines having a diameter of 100 μm or less are made from a material comprising a nonmagnetic body and a ferromagnetic body by quick quenching, and then heat treated in order to disperse ferromagnetic particles into nonmagnetic material thus manufacturing a thin line sensor exhibiting magnetic particle dispersed giant magetoresistive effect. - 特許庁

反強磁性を有し、且つハーフメタリックな新規なスピントロニクス材料である反強磁性ハーフメタリック半導体を提供する。例文帳に追加

To provide anti-ferromagnetic half metallic semiconductor having anti-ferromagnetism and consisting of half metallic new spintronics material. - 特許庁