捕獲準位の英語

電子捕獲領域１０７は発光層１０３の最低非占有分子軌道（ＬＵＭＯ）準位を輸送されてきた電子を発光層内に閉じ込める作用を有し、正孔捕獲領域１０７は、発光層１０３の最高占有分子軌道（ＨＯＭＯ）準位を輸送されてきた正孔を発光層内に閉じ込める作用を有する。例文帳に追加

The electron capture region 107 has an action of confining electrons, that have been transported on the lowest unoccupied molecular orbital(LUMO) level of luminous layer 103 in the luminous layer, and the hole capture region 107 has the action of confining holes that have been transported on the highest occupied molecular orbital(HOMO) level of luminous layer 103 in the luminous layer. - 特許庁

レーザー結晶化を行った後、ゲート絶縁膜を連続形成し、しかる後に水素プラズマ処理または酸素プラズマ処理を行うことによりｐｏｌｙ−Ｓｉ膜中の捕獲準位を不活性化させる。例文帳に追加

A gate insulating film is formed sequentially after laser crystallization, however after that by subjecting it to hydrogen plasma treatment or oxygen plasma treatment a trapping level in a poly-Si film is made inert. - 特許庁

第２の誘電体膜２２ａは、そのバルクの電荷捕獲準位の、伝導帯もしくは価電子帯からのエネルギー差が、窒化珪素の当該エネルギー差より大きい誘電体材料（たとえば、酸化アルミニウム）からなる。例文帳に追加

The second dielectric film 22a is composed of a dielectric material (aluminum oxide, for example), having energy difference from the conduction band or from the valence band of the charge capture level of bulk thereof being greater than the relevant energy difference of silicon nitride. - 特許庁

チャネル界面付近の浅いエネルギー準位に捕獲された電荷を予め除去し、データ保持特性の良好な不揮発性半導体記憶装置を提供する。例文帳に追加

To provide a nonvolatile semiconductor memory device having an excellent data retention characteristic by previously removing charge captured at a shallow energy level in the vicinity of a channel interface. - 特許庁

Ｖ_Ｌ２の印加により、半導体基板表面の界面準位にホールが捕獲され、熱励起電子が価電子帯から伝導帯へ励起されにくくなり、暗電流が抑制される。例文帳に追加

By the application of the prescribed OFF voltage V_L2, a hole is captured on a boundary level of the surface of a semiconductor substrate, thermal excitation electrons are hardly excited from a valence band to a conduction band and therefore a dark current is suppressed. - 特許庁

低温プロセスで形成した半導体層およびＭＯＳ界面の捕獲準位を低減せしめ、高移動度、低しきい値電圧でなお且つバラツキの少ない薄膜トランジスタを実現する。例文帳に追加

To provide a thin-film transistor which has high mobility, low threshold voltage and less variations by lowering the capture level of a semiconductor layer formed by a low-temperature process as well as MOS boundary. - 特許庁

絶縁ゲート型半導体装置の製造方法及び絶縁ゲート型半導体装置に関し、ゲート絶縁膜中および界面へ導入された窒素に起因するゲート絶縁膜中の電荷捕獲準位及び界面準位の発生を抑制し、ホットキャリア耐性を向上する。例文帳に追加

To provide a method by which an insulated gate semiconductor device is improved in hot carrier resistance by suppressing the occurrence of a charge capturing level and an interfacial level in a gate insulating film caused by nitrogen introduced into the film and the interface of the film. - 特許庁

メモリセルアレイＭＣＡは、情報を捕獲電荷量として記憶するための離散準位を内部に含む複数の誘電体膜が、チャネルが形成される半導体と制御電極との間に積層されたメモリセルを複数有している。例文帳に追加

In a memory cell array MCA, a plurality of dielectric films comprising a discrete level for storing information as quantity of captured electric charges have a plurality of memory cells laminated between a semiconductor in which a channel is formed and a control electrode. - 特許庁