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捕獲結晶の英語
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英訳・英語 xenocryst
「捕獲結晶」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 11件
得られた結晶質半導体膜に捕獲元素を選択的に導入し、ゲッタリング領域を形成する。例文帳に追加
A capturing element is introduced selectively into the obtained amorphous semiconductor film to form a gettering region. - 特許庁
これにより、デバイス工程での熱処理時、ＳＯＩ層１０Ａに存在する金属不純物を結晶欠陥Ｒに捕獲することができる。例文帳に追加
This can make the metal dopant existing in a SOI layer 10A be caught by the crystal defect R at the heat treating time in the device process. - 特許庁
結晶欠陥によるキャリア捕獲効果を減少させて、実質的に有効キャリアを増加させる窒化物半導体発光素子を提供すること。例文帳に追加
To provide a nitride semiconductor light-emitting element adapted to reduce an effect of carrier capture caused by a lattice defect to increase substantially an effective carrier. - 特許庁
触媒元素を用いる半導体膜の結晶化処理を行った後に、該触媒元素を効率よく半導体層からゲッタリング（捕獲）する方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method of efficiently gettering a catalyst element from a semiconductor layer after a treatment crystallizing of a semiconductor film using the catalyst element is performed. - 特許庁
レーザー結晶化を行った後、ゲート絶縁膜を連続形成し、しかる後に水素プラズマ処理または酸素プラズマ処理を行うことによりｐｏｌｙ−Ｓｉ膜中の捕獲準位を不活性化させる。例文帳に追加
A gate insulating film is formed sequentially after laser crystallization, however after that by subjecting it to hydrogen plasma treatment or oxygen plasma treatment a trapping level in a poly-Si film is made inert. - 特許庁
半導体と絶縁体の界面又は多結晶半導体中の粒界におけるキャリアの捕獲現象がデバイス設計上重要な多結晶薄膜トランジスタにおいて、最適化されたデバイス構造を有する素子の提供を可能とする。例文帳に追加
To provide an element having an optimized device structure in a polycrystalline thin film transistor whose trapping phenomenon of carriers in an interface between a semiconductor and an insulator or in a grain boundary in a polycrystalline semiconductor plays an important part in designing a device. - 特許庁
従来の技術では、多結晶シリコン膜およびＭＯＳ界面両方の捕獲準位を低温で制御する有効なプロセスが明確でなかったが、本発明の薄膜トランジスタの製造方法を用いることにより極めて高品質な多結晶シリコンおよびＭＯＳ界面形成が可能となった。例文帳に追加
In a prior art, an effective process of controlling a capture level of both a polycrystalline silicon film and a MOS interface at low temperatures is not clear, but it becomes possible to form extremely high-grade polycrystalline silicon and MOS interface by a method for manufacturing a thin film transistor. - 特許庁
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「捕獲結晶」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 11件
本発明によれば、レーザー光の照射によってシリコン基板の裏面側に結晶変質層からなる重金属捕獲層を形成していることから、主に裏面研削・研磨工程において混入するＣｕ、Ｎｉや薄厚加工後の次工程で混入する重金属も裏面近傍領域に捕獲することが可能となる。例文帳に追加
Since a heavy metal acquisition layer composed of a crystal alteration layer is formed on the reverse-surface side of the silicon substrate through laser beams irradiation, Cu and Ni mixed principally in the reverse-surface grinding and polishing processes and heavy metal mixed in a process following the thin thickness processing can be also obtained in a reverse-surface neighborhood region. - 特許庁
これにより、レーザ共振器の内部領域では、酸素原子を含む半導体界面の上方および近傍に生成された、結晶欠陥の一つである空孔原子が、酸素原子を含む半導体界面にて捕獲され、上記空孔原子が活性層へ拡散することが抑制される。例文帳に追加
Hence, in the internal region of the laser resonator, a void atom which is one of crystal defects and is generated above and near the semiconductor interface including the oxygen atoms is captured on the semiconductor interface including oxygen atoms, thereby preventing the void atom from being diffused to the active layer. - 特許庁
熱処理によって、半導体基板に導入された不純物を活性化させると共に、素子形成や素子分離絶縁膜１５の形成において無欠陥層１３の表面側に形成された結晶欠陥を、ゲッタリング領域１４に捕獲させる。例文帳に追加
Impurities introduced into a semiconductor substrate are activated by heat treatment, and crystalline defects formed in a surface side of the non-defect layer 13 during formation of the element or insulating film 15 are captured in the gettering region 14. - 特許庁
トレンチ分離構造を有する半導体装置において、高電源電圧回路部には少なくとも一つのウエル領域とＭＯＳ型トランジスタが形成されて成り、ウエル領域の端部にラッチアップを防止するために高エネルギーのアルゴンイオン注入などにより結晶性を破壊されたシリコン領域や、金などの重金属を注入した領域からなるキャリア捕獲領域を形成し、配置する。例文帳に追加
The semiconductor device having a trench isolation structure is constituted by forming at least one well region and an MOS type transistor at the high power supply voltage circuit part, and a carrier capturing region composed of a silicon region whose crystallinity is broken by argon ion implantation of high energy or the like and a region into which heavy metal such as gold is implanted is formed and disposed at an end of a well region so as to prevent a latch-up. - 特許庁
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