接合電界発光の英語

ガラス基板１と一対の電極２、５の間に発光帯４を有する電界発光素子であって、基板１に直接または接着層を介してグラファイトシート７接合する。例文帳に追加

This is an electroluminescent element that has a glass substrate and a luminous body 4 between a pair of electrodes 2, 5 and a graphite sheet 7 is jointed to the substrate 1 directly or through an adhesive layer. - 特許庁

有機層を簡便に基板上に形成でき、均一に接合した良好な接合界面を有する有機電界発光素子及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an organic electroluminescent element having a superior joint interface uniformly jointed with an organic layer enabled to be formed in a simple way, and its manufacturing method. - 特許庁

これにより、当該接合が熱の発生を伴うものであっても、基板１１に対する冷却による熱交換作用によって、有機電界発光層１４に伝わる熱を低減させる。例文帳に追加

Thereby, even if the joint generates heat, the heat transmitted to the organic electroluminescent layer 14 is reduced by the heat exchange of the cooling of the substrate 11. - 特許庁

この発光体１１４は、透明電極１１２に接合する正孔輸送層１１４ａと測定対象に面接触する電子輸送層１１４ｃを備え、両輸送層の間の有機エレクトロルミネッセンス発光層１１１４ｂは、正孔輸送層１１４ａからの正孔と電子輸送層１１４ｃからの電子との結合による電界発光現象を起こす。例文帳に追加

The emitting body 114 includes a hole carrying layer 114a joined to the transparent electrode 112 and an electron carrying layer 114c making surface-contact with the measuring object while an electroluminescent phenomenon occurs in an organic electroluminescent light-emitting layer 1114b between the two carrying layers owing to bonds between holes from the carrying layers 114a and electrons from the carrying layers 114c. - 特許庁

正孔注入は印加電界強度で制御可能なトンネリングにより制御され、また、伝導帯の電子の注入は接合や接触での電位障壁により制限され、その注入量が印加電界で制御されることによって、電流制限がされ、電力損失の少ない電流制限が実現され、高い発光効率が実現される。例文帳に追加

Hole injection is controlled by the tunneling capable of controlling with impression field strength, injection of the electron of a conduction band is regulated by a potential barrier by the junction and the contact, and current limitation is carried out by controlling the injection volume in the impressed field, so that current limitation with little power loss is realized, and high luminous efficiency is realized. - 特許庁

互いに異なる波長域の光により励起されて光電流増倍現象を示す２種類の有機半導体層を積層したヘテロ接合体にさらに有機電界発光素子を積層一体化した構造を持つ多層有機薄膜構造、及びその多層有機薄膜構造に電圧を印加する電極を備えた有機光演算素子８０に高電圧を印加して発光させておく。例文帳に追加

An organic optical operation element 80 which has the multilayered organic thin-film structure having a structure obtained by laminating and integrating an organic electric field light emitting element to a heterozygote laminated with two kinds of organic semiconductor layers indicating a photocurrent multiplication phenomenon when excited by light of wavelength regions different from each other and electrodes for impressing a voltage to the multilayered organic thin-film structure is kept to emit light by applying the high voltage thereto. - 特許庁

基板上に形成された有機電界発光素子などの被封止領域を基板に対向する封止板と基板と封止板とを接合し、かつ、被封止領域を包囲するように形成された封止用接着剤とを用いて被封止領域を封止するに際し、前記の封止用接着剤の外周に緩衝層を設けて封止する。例文帳に追加

When a region to be sealed such as the organic electroluminescent element formed on a substrate is sealed by joining a sealing plate opposing to the substrate, the substrate, and the sealing plate, and by using a sealing adhesive formed so as to surround the region to be sealed, it is sealed by providing a cushioning layer on the outer periphery of the sealing adhesive. - 特許庁

したがって、ＧａＮやＡｌＧａＮを用いてヘテロ接合電界効果型トランジスタ、発光ダイオード、またはレーザダイオードなどを作製する場合に、Ｇｄを含むＧａＧｄＮを用いることによって基板温度を一定に保った状態で結晶を成長させることができ、性能を落とすことなく窒化物系III−Ｖ族化合物半導体装置の作製が可能となる。例文帳に追加

Thus, in the case of manufacturing a heterojunction field-effect transistor, a light emitting diode or a laser diode or the like by using GaN and AlGaN, by using GaGdN containing Gd, a crystal is grown in the state of keeping a substrate temperature fixed, and the nitride based III-V compound semiconductor device is manufactured without lowering the performance. - 特許庁