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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 電気制御英語 > 束縛エネルギーの英語・英訳 

束縛エネルギーの英語

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英訳・英語 bound energy


電気制御英語辞典での「束縛エネルギー」の英訳

束縛エネルギー


「束縛エネルギー」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 9



例文

励起子束縛エネルギー例文帳に追加

exciton binding energies発音を聞く  - Weblio英語基本例文集

ソルダーレジスト層408の上記面において、X線光電子分光分析スペクトルが、束縛エネルギー284.5eVにおける検出強度をx、束縛エネルギー286eVにおける検出強度をyとしたときに、y/xの値が0.4以上となるようにする。例文帳に追加

On the above-mentioned surface of the solder resist layer 408, X-ray photoelectron spectroscopic analysis spectrum has a value y/x not smaller than 0.4, where x is the detection intensity at bound energy of 284.5 eV, and y is the detection intensity at bound energy of 286 eV. - 特許庁

ソルダーレジスト層408の上記面において、X線光電子分光分析スペクトルが、束縛エネルギー284.5eVにおける検出強度をx、束縛エネルギー286eVにおける検出強度をyとしたときに、y/xの値が0.4以上となるようにする。例文帳に追加

On the surface of the solder resist layer 408, X-ray photoelectron spectroscopic analysis spectrum has a value of y/x not smaller than 0.4, where x is detection intensity at 284.5 eV constraint energy and y is detection intensity at 286 eV constraint energy. - 特許庁

光電子ピーク(例えば、Cu 2p3/2光電子ピーク)の束縛エネルギーの特定のピークトップ位置とオージェ遷移ピーク(例えば、CuLMMオージェ遷移ピーク)の運動エネルギーの特定のピークトップ位置を視覚的に理解しやすく表示するデータ表示方法を提供する。例文帳に追加

To provide a data displaying method for displaying, in a visually easy-to-understand manner, the position of a specific peak top of bound energy of a photoelectron peak (such as Cu 2p3/2 photoelectron peak) and the position of a specific peak top of kinetic energy of an Auger transition peak (such as a CuLMM Auger transition peak). - 特許庁

X線光電子分光法におけるデータ表示方法において、特定の元素の化学状態を表す際に、内殻からの光電子ピークと同一元素種によるオージェ遷移ピークの両者を用いる場合、光電子ピークの束縛エネルギーとオージェ遷移ピークの運動エネルギーに対してそれぞれの信号強度を加重したものを二次元的に表示する。例文帳に追加

In this data displaying method by an X-ray photoelectron spectroscopic method, when expressing the chemical state of a specific element by using both of a photoelectron peak from an inner shell and an Auger transition peak owing to the same element species, what are obtained by weighting the bound energy of the photoelectron peak and the kinetic energy of the Auger transition peak by their respective signal intensities are two-dimensionally displayed. - 特許庁

ガラス状カーボンの組織中にSiが原子レベルで均一に分散複合し、X線光電子分光法(XPS)による光電子スペクトルのピーク値から求めたSi原子の2p軌道の束縛エネルギーが101〜103eVの範囲にあることを特徴とするSi分散ガラス状カーボン材。例文帳に追加

In the Si dispersed vitreous carbon material, Si is uniformly dispersed and combined in the structure of the vitreous carbon in atomic level and the bound energy of 2p orbit of Si atom, which is determined from the peak value of a photoelectron spectrum by an X-ray photoelectron spectroscopy(XPS), is 101-103 eV. - 特許庁

例文

コア粒子と白金シェル層の界面の白金、白金シェルの最外表面の白金5d軌道電子の、フェルミ準位を基準とした平均束縛エネルギーをE_intとする時、コア粒子は、E_out≧3.0eVとなる元素を含有する。例文帳に追加

When the average constraint energy is determined to be E_int based on the Fermi level of platinum in the boundary of core particles and the platinum shell layer; that is, platinum 5d orbital electrons on the outermost surface of the platinum shell, core particles contain an element with E_out≥3.0 eV. - 特許庁

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JST科学技術用語日英対訳辞書での「束縛エネルギー」の英訳

束縛エネルギー


日英・英日専門用語辞書での「束縛エネルギー」の英訳

束縛エネルギー


Weblio専門用語対訳辞書での「束縛エネルギー」の英訳

束縛エネルギー

Weblio専門用語対訳辞書はプログラムで機械的に意味や英語表現を生成しているため、不適切な項目が含まれていることもあります。ご了承くださいませ。

「束縛エネルギー」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 9



例文

塩化銀含有率が89モル%以上100モル%以下のハロゲン化銀乳剤であって、前記ハロゲン化銀乳剤を構成するハロゲン化銀粒子の平均辺長が、0.01μm以上0.34μm以下であり、かつ、X線光電子分光装置で測定したセレン原子の3d軌道の電子の束縛エネルギー値が、54.0eV以上65.0eV以下であるセレン化合物により化学増感されたことを特徴とするハロゲン化銀乳剤。例文帳に追加

The silver halide emulsion has 89-100 mol% silver chloride content, the average side length of silver halide grains constituting the silver halide emulsion is 0.01-0.34 μm and the silver halide emulsion has been chemically sensitized with a selenium compound in which the bound electron energy of the 3d orbit of a selenium atom measured with an X-ray photoelectron spectroscope is 54.0-65.0 eV. - 特許庁

例文

本発明は、励起子の束縛エネルギーが高い半導体材料で構成される間接遷移型半導体であって、間接遷移型半導体による活性層を形成し、活性層電流注入する電極を有する自由励起子生成効率が10%以上であり、その活性層あるいは活性領域に形成した負の電子親和力表面で自由励起子を自由電子に変換し連続放出させることを特徴とする電子源である。例文帳に追加

The electron source is an indirect transition semiconductor composed of semiconductor material in which exciton binding energy is great, wherein the electron source forms an active layer by the indirect transition semiconductor, with ≥10% generation efficiency for free exciton with an electrode carrying out active layer current injection and converts a free exciton to a free electron in a negative electron affinity force surface formed in an active layer or in an active region to carry out continuous discharging. - 特許庁

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