格子形回路の英語

本発明に係る表示装置は、アクティブマトリクス回路の角の部分に隣接して、前記アクティブマトリクス回路に接続されていない格子状の放電パターンが形成されていることを特徴とする。例文帳に追加

The display device is characterized in that a grid-like discharge pattern is formed to be adjacent to a corner portion of an active matrix circuit but not connected to the active matrix circuit. - 特許庁

接点ピン20のフィルタ側部分が、プリント回路基板1上に固定されており、プリント回路基板1の外層が、完全な平面状または格子状の遮蔽層3,7として形成されている。例文帳に追加

A filter side part of the contact- point pin 20 is fixed on the printed circuit board 1, an outer layer of which is formed being entirely flat surface or lattice-like shielding layers 3 and 7. - 特許庁

記憶装置チップ２０及びＡＳＩＣ３０における外部（互いのチップ）との接続を図るための接続パッド２１，３１毎に入出力回路（入力回路２７，３７、出力回路２６，３６）を配設し、これらをアレイ状（本実施形態では格子状）に配列している。例文帳に追加

An input/output circuit (input circuit 27, 37 and output circuit 26, 36) is provided for each connecting pad 21, 31 for attaining a connection between a storage device chip 20 and the outside of an ASIC 30 (between mutual chips) and these input/output circuits are disposed in an array shape (grid shape in the present embodiment). - 特許庁

格子緩和ＳｉＧｅ層の貫通転位密度を低減でき、この格子緩和ＳｉＧｅ層上に歪Ｓｉ層或いは歪ＳｉＧｅ層を形成した電界効果トランジスタ及びその製造方法及び集積回路装置を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a field effect transistor where a distortion Si layer or a distortion SiGe layer is formed on the grid relax SiGe layer and a method for manufacturing this field effect transistor and an integrated circuit device capable of reducing the feedthrough displacement density of the grid relax SiGe layer. - 特許庁

半導体集積回路装置は、主面に複数の素子１２が形成され半導体よりなる基板１１と、該基板１１における複数の素子１２の上側で且つ四角格子状又は三角格子状の各格子点上にそれぞれ配置され、複数の素子１２と電気的に接続された複数のパッド１５とを有している。例文帳に追加

The semiconductor integrated circuit device comprises a substrate 11 of a semiconductor of which a plurality of elements 12 are formed on a main surface, and a plurality of pads 15 arranged on the lattice points of a quadrilateral grid or triangular lattice, on the upper side of the plurality of elements 12 of the substrate 11 to be electrically connected to the plurality of elements 12. - 特許庁

複数のチャネル導波路からなるアレイ導波路回折格子３と、このアレイ導波路回折格子に接続される入力側スラブ導波路２と、アレイ導波路回折格子に接続される出力側スラブ導波路５とを有する光回路を備えた光波長合分波器において、入力側スラブ導波路２または出力側スラブ導波路５に概ね円形の屈折率制御領域５５を設けた。例文帳に追加

In the optical wavelength multiplexing and branching device provided with an optical circuit which has an array waveguide grating 3 consisting of a plurality of channel waveguides, input side slab waveguides 2 connected to the array waveguide grating, and output side slab waveguides 5 connected to the array waveguide grating, the input side slab waveguides 2 or the output side slab waveguides 5 is provided with an approximately circular refractive index control region 55. - 特許庁

Ｓｉ基板１０上に、アンダークラッド層２１、光導波層１５をパターニングしたコア層２０、及びコア層２０等を覆うオーバークラッド層２２を形成した平面導波路型光回路を、回折格子を形成する対象となる光回路として準備する（図１（ａ）〜（ｃ））。例文帳に追加

A plane waveguide type optical circuit where an under-clad layer 21, a core layer 20 obtained by patterning an optical waveguide layer 15, and an over-clad layer 22 covering over the core layer 20 or the like are formed on an Si substrate 10 is prepared as an optical circuit being an object where a diffraction grating is to be formed (figure 1 (a) to (c)). - 特許庁

テープ回路2の電極パッド7が形成されたＩＣ搭載部分にはマザーソケット4との間にエラストマシート1が配置されこのシート1のテープ回路2との接触面側に切り込み溝3が格子状に形成され、電極パッド7の各中心部と溝3どうしの交点とがほぼ一致する。例文帳に追加

At the IC mounting part of the tape circuit 2 where the electrode pads 7 are formed, an elastomer sheet 1 is placed between the mother sockets 4 and the tape circuit 2, and cut grooves 3 are formed in a grid shape on the surface of the sheet 1 making contact with the tape circuit 2, with the center parts of the electrode pads 7 almost coinciding with the intersections of the grooves 3. - 特許庁