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格子転位の英語
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英訳・英語 lattice dislocation
「格子転位」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 62件
この格子間型転位ループが、SiGe層とシリコン基板の間でのミスフィット転位の核生成の基礎となる。例文帳に追加
The interstitial dislocation loop is a base for the nucleation of the misfit dislocation between the SiGe layer and the silicon substrate. - 特許庁
格子間型転位ループが均一に分布するので、このミスフィット転位も均一に分布し、それによってSiGe層が緩和される。例文帳に追加
Since the interstitial dislocation loop is uniformly distributed, the misfit dislocation is uniformly distributed as well, thereby the SiGe layer is loosened. - 特許庁
15nm〜1μm間隔で測定された立方晶金属の結晶方位分布より得た回転テンソル群より格子歪を決定し、前記格子歪より格子歪勾配に基づいて転位密度を求め、前記転位密度に基づいて硬さ分布を求める。例文帳に追加
The hardness distribution is obtained based on a dislocation density, by determining a lattice distortion from the rotational tensor group obtained from the crystal orientation distribution of a cubic crystal metal measured at 15 nm to 1 μm intervals and by obtaining the dislocation density based on the lattice distortion gradient from the lattice distortion. - 特許庁
それによって、GaN化合物半導体層と基板との格子定数の差に起因する転位密度が減少する。例文帳に追加
Consequently, the dislocation density caused by the difference of lattice constant between a GaN compound semiconductor layer and the substrate is reduced. - 特許庁
格子定数の大きく異なる基板上へのエピタキシャル成長において、低転位密度の半導体薄膜結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method for producing a semiconductor thin film crystal having a low dislocation density in an epitaxial growth on a substrate having largely different lattice constant. - 特許庁
転位密度の低い、かつ格子緩和した高Ge組成のSiGe層が形成された半導体基板の製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method of manufacturing a semiconductor substrate having low-density dislocation on which a lattice-relaxed SiGe layer of a high Ge composition is formed. - 特許庁
これにより、格子不整合による歪みが十分に緩和され、転位欠陥の少ない半導体結晶が得られる。例文帳に追加
Consequently, distortion of the crystal due to the lattice mismatch is sufficiently moderated to ensure a semiconductor crystal with less dislocation defect. - 特許庁
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「格子転位」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 62件
このアニール中、格子間型転位ループ(interstitial dislocation loop)がSiGe層内に均一に分布するものとして形成される。例文帳に追加
An interstitial dislocation loop is formed as uniformly distributed in the SiGe layer during the annealing. - 特許庁
よって、格子定数差や熱膨張率差に基づいて発生する転位を防ぎ、良質で安価な化合物半導体基板を作ることができる。例文帳に追加
Thereby dislocation generated based on a lattice constant difference or thermal expansion coefficient difference can be prevented and thus the superior quality of inexpensive compound semiconductor substrate can be obtained. - 特許庁
光ピックアップに取り付ける回折格子の回転位置を容易に調整可能な方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method by which a rotation position of a diffraction grating attached to an optical pickup can be easily adjusted. - 特許庁
格子定数の違いによるミスフィット転位を抑制し、しかも、品質の高いSiC半導体とSiCエピタキシャル成長方法を提供する。例文帳に追加
To suppress miss-fit dislocations caused by the difference in the lattice constants, and to provide a high quality SiC semiconductor and a method of epitaxially growing SiC. - 特許庁
この結果、バッファ層上に成長させる歪み超格子層には、斜め方向の滑り転位が伝播しないために、歪み超格子層の結晶性が改善される。例文帳に追加
As a result, since a glide dislocation in an oblique direction is not introduced into the distorted superlattice layer grown on the buffer layer, the crystalline property of the distorted superlattice layer is improved. - 特許庁
回折格子エンコーダは、この不等長ピッチ回折格子123に光ビームを照射し、そこで発生した±1次回折光から作成される干渉縞パターンを検出して、部材の回転位置を検出する。例文帳に追加
A diffraction grating encoder applies a light beam to the unequal-length pitch diffraction grating 123, and detects an interference fringe pattern created by ± primary diffraction light which is generated and the rotating position of the member. - 特許庁
格子緩和又は一部格子緩和した歪緩和SiGe層の形成を可能にし、これによって転位欠陥を少なくするようにした半導体基板の製造方法及び半導体基板を提供する。例文帳に追加
To provide a manufacturing method of a semiconductor substrate which forms a strain-relaxed SiGe layer having been lattice-relaxed or partially lattice-relaxed and thus makes dislocation defect small, and to provide the semiconductor substrate. - 特許庁
1枚目の格子である第3の吸収型格子25は、FPD20の検出面に直交するz軸上に配置され、第3の吸収型格子25を通過するX線量に基づいて、z軸に直交するx軸、y軸上の回転位置θx、θyが調整される。例文帳に追加
A third absorption grating 25, which is a first grating, is disposed on a z axis perpendicular to a detection surface of a FPD 20, and on the basis of an amount of x-ray transmitted through the third absorption grating 25, rotational positions θx, θy on an x axis and a y axis, which are perpendicular to the z axis, are adjusted. - 特許庁
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