正孔ドーピングの英語

例えば、正孔注入層３には有機材料Ａが、正孔輸送層４には有機材料Ｂがドーピングされている。例文帳に追加

For example, an organic layer A is doped to the hole injection layer 3, and an organic material B is doped to the hole transport layer 4. - 特許庁

電子トラップを形成する第１不純物がドーピングされた第１酸化マグネシウム結晶と、正孔トラップを形成する第２不純物がドーピングされた第２酸化マグネシウム結晶とを同一層に含むプラズマディスプレイパネル用の保護膜である。例文帳に追加

The protective film for a plasma display panel includes in an identical layer: a first magnesium oxide crystal in which a first dopant which forms an electron trap is doped; and a second magnesium oxide crystal in which a second dopant which forms a positive hole trap is doped. - 特許庁

正孔注入層３又は正孔輸送層４の少なくとも一方の有機層に、該有機層を構成している有機材料とは異なる有機材料をドーピングする。例文帳に追加

An organic material different from an organic material configuring an organic layer of any one of the hole injection layer 3 or the hole transport layer 4 is doped on the organic layer. - 特許庁

第２の化合物半導体層１０３は、ｎ型ドーピングによりそのバンドギャップが相対的に価電子帯方向へシフトしており、熱励起された正孔の拡散障壁としてより効果的に機能する。例文帳に追加

The second compound semiconductor layer 103 has its band gap shifted by n-type doping relatively in a valence-band direction to effectively function as a diffusion barrier for the thermally excited hole. - 特許庁

試片の底面にコンタクト層を形成して、これより正孔電流を供給させることによって従来の方法に比べて実際と非常に近接で、再現性の良好なドーピング分布が得られる。例文帳に追加

The doping distribution of proper reproducibility which is extremely close to actual distribution than that of a conventional method is obtained by forming the contact layer at the bottom surface of the test piece, to thereby supply the hole current. - 特許庁

第１電極及び第２電極間に発光層を有する有機発光表示素子において、該第１電極と発光層との間に第１正孔注入層及び第２正孔注入層を備え、該第１正孔注入層と第２正孔注入層との間にＰ型ドーパントでドーピングされている電荷発生層を具備した有機発光表示素子である。例文帳に追加

The organic electroluminescent display element, having a luminous layer between first and second electrodes, comprises first and second hole-injecting layers between the first electrode and the luminous layer, and a charge-generating layer doped with a p-type dopant between the first and second hole-injecting layers. - 特許庁

これによれば、第１電極膜と第２電極膜との間に印加される電界によって急激な金属−絶縁体転移半導体物質膜では、構造的な相転移ではない正孔ドーピングによる急激な金属−絶縁体転移が発生する。例文帳に追加

According thereto, a field applied between the first and the second electrode films makes the rapid metal-insulator transition semiconductor substance generate a rapid metal-insulator transition, not a structural phase transition, by hole doping. - 特許庁