hole dopingとは 意味・読み方・使い方

The second compound semiconductor layer 103 has its band gap shifted by n-type doping relatively in a valence-band direction to effectively function as a diffusion barrier for the thermally excited hole.例文帳に追加

第２の化合物半導体層１０３は、ｎ型ドーピングによりそのバンドギャップが相対的に価電子帯方向へシフトしており、熱励起された正孔の拡散障壁としてより効果的に機能する。 - 特許庁

To provide a photochemical hole burning material capable of easily obtaining a state where a lanthanoid having a valence capable of effecting lasting photochemical hole burning at room temperature is included in the material without needing a reducing atmosphere by doping a base material with a lanthanoid having a chalcogen, oxygen or halogen as a ligand.例文帳に追加

カルコゲン、酸素又はハロゲンを配位子としたランタノイドを母材に対しドープして、還元性雰囲気を必要とせず、室温で永続性のある光化学ホールバーニングを発現可能な価数のランタノイドが含まれる状態を容易に得られる光化学ホールバーニング材料を提供する。 - 特許庁

If a carbon material, such as, a conductive assistant for doping/undoping the lithium ions, other than the active material, is contained in the negative electrode material, the weight average specific surface area of the meso-macro hole is acceptable to be within the range described.例文帳に追加

また、活物質以外にリチウムイオンをドープ、脱ドープする導電助剤等の炭素材料が負極材料に含まれる場合には、重量平均メソ・マクロ孔比表面積が上記範囲にあればよいとする。 - 特許庁

A gate electrode, a common electrode, a pixel electrode and a contact pad are formed by using a half-tone exposure technique and a nitrogen ion doping technique and, thereafter, an a-si island and a contact hole are formed by using the half-tone exposure technique.例文帳に追加

Ｇａｔｅ電極と共通電極と画素電極とコンタクトパッドをハーフトーン露光技術と窒素イオンドーピング技術を用いて形成した後ａ−ｓｉ ｉｓｌａｎｄとコンタクトホールをハーフトーン露光技術を用いて形成する。 - 特許庁

According thereto, a field applied between the first and the second electrode films makes the rapid metal-insulator transition semiconductor substance generate a rapid metal-insulator transition, not a structural phase transition, by hole doping.例文帳に追加

これによれば、第１電極膜と第２電極膜との間に印加される電界によって急激な金属−絶縁体転移半導体物質膜では、構造的な相転移ではない正孔ドーピングによる急激な金属−絶縁体転移が発生する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a III-V compound semiconductor crystal which is free from composition separation and subjected to carbon doping with good crystallinity small in hole-type defect density, and to provide a manufacturing method of a semiconductor device using the manufacturing method.例文帳に追加

組成分離がなく、かつ空孔型欠陥密度が小さい良好な結晶性で炭素ドーピングを行ったIII−Ｖ族化合物半導体結晶の製造方法及び該製造方法を用いた半導体デバイスの製造方法の提供。 - 特許庁

To reduce a defect, such as a Ga hole, by doping Al at the time of GaN growing, to reduce the defect, such as a dislocation, caused by lattice mismatch, and to provide a high quality GaN semiconductor light emitting element and its manufacturing method capable of improving electrical characteristics and optical characteristics.例文帳に追加

本発明はGaN成長時AlをドープすることによりGa空孔のような欠陥を減少させると共に転位などのような格子不整合による欠陥を減少させ、電気的特性及び光学的特性を向上させられる高品質GaN半導体発光素子及びその製造方法に関するものである。 - 特許庁

In an organic electroluminescent element formed on a substrate 10 and provided with one or plural organic layers 20 held between a pair of electrodes 12, 14, benzopyracridone derivative is used for material of the organic layers, that is material for organic light emitting layers, doping material to the organic light emitting layers, or material for hole injection layers.例文帳に追加

基板上に形成され、電極対に挟まれた１層または複数層の有機層を備える有機電界発光素子において、その有機層の材料、例えば有機発光層や、有機発光層へのドーピング材料、あるいは正孔注入層などの材料として、ベンゾピラクリドン誘導体を用いる。 - 特許庁