hole-dopedとは 意味・読み方・使い方

An organic material different from an organic material configuring an organic layer of any one of the hole injection layer 3 or the hole transport layer 4 is doped on the organic layer.例文帳に追加

正孔注入層３又は正孔輸送層４の少なくとも一方の有機層に、該有機層を構成している有機材料とは異なる有機材料をドーピングする。 - 特許庁

The FWD-integrated IGBT has a p^+ heavily-doped collector layer 12 which determines the hole injection quantity, a p^- light-doped collector layer 11 serving for absorbing the variations in the wafer backside polishing quantity, and an n^+ collector short-circuited region 13 piercing the p^+ heavily-doped collector layer 12 and the p^- lightly-doped collector layer 11.例文帳に追加

本発明のＦＷＤ一体型ＩＧＢＴは、正孔の注入量を決めるｐ^＋高濃度コレクタ層１２と、ウェハ裏面研削量のばらつきを吸収するｐ^−低濃度コレクタ層１１と、ｐ^＋高濃度コレクタ層１２及びｐ^−低濃度コレクタ層１１を貫通しているｎ^＋コレクタ短絡領域１３とを有している。 - 特許庁

On the insulation coating 7 formed on the surface of the semiconductor substrate 1, a first electrode 82 connected with the first P type heavily doped layer 2 through a through hole and a second electrode 83 connected with the second P type heavily doped layer 6 are provided so that an independent bias voltage can be applied between the second P type heavily doped layer 6 and an N type heavily doped layer 11.例文帳に追加

半導体基板１表面の絶縁被膜７上に、透孔を介して第1のＰ型高濃度層２に接続された第1の電極８２と、第２のＰ型高濃度層６に接続された第２の電極８３とを設け、第２のＰ型高濃度層２とＮ型高濃度層１１の間に別途バイアス電圧を印加可能とした。 - 特許庁

At a bit line contact part, a contact hole 22 is formed in a silicon oxide film 17, and a contact plug 20 made of a doped polysilicon film is buried into the contact hole 22.例文帳に追加

ビット線コンタクト部において、シリコン酸化膜１７には、コンタクトホール２２が形成され、このコンタクトホール２２内には、不純物がドープされたポリシリコン膜からなるコンタクトプラグ２０が埋め込まれる。 - 特許庁

A first insulating film 120, where an impurity is doped heavily at high concentration and a second insulating film 130 where, formed on the insulating film 120, an impurity is lightly doped at low concentration are dry- etched to open a contact hole.例文帳に追加

不純物が高濃度でドーピングされた第１絶縁膜１２０と、この絶縁膜１２０上に形成されて不純物が低濃度でドーピングされた第２絶縁膜１３０を乾式食刻してコンタクトホールを開口する。 - 特許庁

To provide a light-emitting device achieving improved luminous efficiency in a boron-doped diamond layer (p-type diamond layer) by suppressing the outflow of a hole existing in the boron-doped diamond layer and emitting ultraviolet rays and visible rays having high brightness.例文帳に追加

ホウ素ドープダイヤモンド層（ｐ形ダイヤモンド層）に存在する正孔の流出を抑制して、ホウ素ドープダイヤモンド層での発光効率を向上させ、高輝度の紫外線や可視光線を発する発光素子を提供する。 - 特許庁

A stacked body is formed on a substrate by alternately stacking a doped semiconductor film and a non-doped semiconductor film, and a via-hole and a slit are formed in a first region.例文帳に追加

基板上に、不純物が導入された半導体膜と不純物が導入されていない半導体膜とを交互に積層させて積層体を形成し、第１領域において貫通ホール及びスリットを形成する。 - 特許庁

A first layer metal interconnection 49, a second layer metal interconnetion 50, and a third layer metal interconnection 52 are laminated on the upper surface of the source/drain heavily-doped region 48, and neither a contact hole nor a via hole is used for the connection from the source/drain heavily-doped region 48 to the third metal interconnection.例文帳に追加

ソース・ドレイン高濃度領域４８の上表面には第１層目の金属配線４９と第２層目の金属配線５０と第３層目の金属配線５２が積層され、ソース・ドレイン高濃度領域４８から第３金属配線までの接続にコンタクトホールやビアホールなどを利用していない。 - 特許庁