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正方晶形の英語
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英訳・英語 tetragonal system
「正方晶形」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 55件
温度25℃における結晶形が正方晶で、正方晶から立方晶への相転移温度が250℃以上のチタン酸ジルコン酸鉛系組成物からなる圧電セラミックスである。例文帳に追加
The piezoelectric ceramics is made of a lead zircorate titarate composition, shows a tetoragonal crystal shape at a temperature of 25°C, and has a phase transfer temperature in transformation from a tetoragonal form to a cubic form of 250°C or higher. - 特許庁
単結晶引き上げ装置の石英ルツボの変形復元方法及び局所溶損修正方法例文帳に追加
METHOD FOR RESTORING DEFORMATION AND CORRECTING LOCAL EROSION OF QUARTZ CRUCIBLE OF SINGLE CRYSTAL PULLING DEVICE - 特許庁
交差領域211に、フォトニック結晶(211a)を正方格子を形成するように配列した。例文帳に追加
Photonic crystals (211a) are arranged in the region 211 to form a square grid. - 特許庁
薄膜欠陥修正方法、欠陥修正薄膜、結晶性薄膜の形成方法、結晶性薄膜および薄膜半導体素子例文帳に追加
THIN FILM DEFECT CORRECTION METHOD, DEFECTIVE-CORRECTING THIN FILM, METHOD OF FORMING CRYSTALLINE THIN FILM, THE CRYSTALLINE THIN FILM, AND THIN FILM SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁
正方形の市松模様のレジスト膜、言い換えれば、正方形の市松模様の開口パターンを有するレジスト膜をマスクとして、単結晶シリコン基板をドライエッチングする。例文帳に追加
A single crystal silicon base board is put under a dry-etching process using a resist film with a square checker pattern, or in another word, the resist film having an opening pattern with a square checker pattern as a mask. - 特許庁
正方晶系構造のジルコニウム酸化膜形成方法及びその膜を備えたキャパシタの製造方法例文帳に追加
METHOD FOR FORMING ZIRCONIUM OXIDE FILM OF TETRAGONAL STRUCTURE, AND METHOD OF MANUFACTURING CAPACITOR PROVIDED WITH THE FILM - 特許庁
Co-C_2-Co結合を有する(CoC_2)_4正方晶形骨格構造を呈する(CoC_2)__x(Xは自然数)なる分子式を有するように磁気クラスターを構成する。例文帳に追加
The magnetic cluster is so constituted as to have a molecular formula: (CoC_2)_x (X is a natural number) that expresses a (CoC_2)_4 tetragonal structural skeleton containing a Co-C_2-Co binding. - 特許庁
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「正方晶形」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 55件
LCD13は、縦横比が1:n(n>1)の表示領域に画像を表示する略正方形(1:1=n:n)の液晶表示器からなる。例文帳に追加
An LCD 13 is a nearly square liquid crystal display (1:1=n:n) which displays a picture in a display area with the ratio of the length to the width being 1:n (n>1). - 特許庁
不純物を混ぜなくても立方晶(cubic)、正方晶(tetragonal)又は斜方晶(orthorhombic)のハフニウム酸化物を形成することができる半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。例文帳に追加
To provide a manufacturing method of a semiconductor device by which cubic, tetragonal or orthorhombic hafnium oxide can be formed without mixing impurities, and to provide the semiconductor device. - 特許庁
正方晶と菱面体晶との相境界近傍となるように成分調整されて形成されたペロブスカイト構造のセラミックスの、結晶構造を判定する装置1である。例文帳に追加
This device 1 determines a crystal structure of the ceramics with a perovskite structure formed so that the component is adjusted to be near a phase boundary between tetragonal and rhombohedral systems. - 特許庁
温度による液晶分子の応答の非線形性に基づいて映像信号の補正誤差を最少化することにより、液晶分子の応答速度を向上させることができる液晶表示装置及び映像信号補正方法の提供。例文帳に追加
To provide a liquid crystal display and a video signal correcting method that can improve the response speed of liquid crystal molecules by minimizing a correction error of a video signal, based on the nonlinearity of the response of liquid crystal molecules due to temperature. - 特許庁
誘電体粒子2aが、六方晶のチタン酸バリウムで構成されるコア22aと、コア22aの外周に形成される立方晶または正方晶のチタン酸バリウムで構成されるシェル24aとを有する。例文帳に追加
The dielectric particle 2a has a core 22a comprised of hexagonal barium titanate, and a shell 24a formed on the outer circumference of the core 22a and comprised of cubic or tetragonal barium titanate. - 特許庁
レーザ光の波面収差を除去するために設ける液晶光学素子を搭載した光ピックアップなどに用いることができ、液晶層の平面形状が正方形とは異なる液晶光学素子においても温度変化による非点収差の発生を極力抑えた、液晶光学素子を提供すること。例文帳に追加
To provide a liquid crystal optical element which is usable for an optical pickup, mounted with a liquid crystal optical element and provided to remove the wavefront aberrations of laser light, and suppresses generation of astigmatism due to temperature variations, even if the liquid crystal optical element has a liquid crystal layer whose planar shape is not square. - 特許庁
結晶質下地(シリコン単結晶基板又はその上にバッファー層を形成したもの)上に、Mg及びSiを酸素の雰囲気中でPVD法(ヘリコン波反応性スパッタリング法など)を用いてエピタキシャル成長させることにより、正方晶MgSiO_3結晶の薄膜を形成する。例文帳に追加
A thin film of the tetragonal MgSiO_3 crystal is formed on a crystalline substrate (a silicon single crystal substrate or a substrate obtained by forming a buffer layer on the substrate) by the epitaxial growth of Mg and Si in an oxygen atmosphere using a PVD method (helicon wave reactive sputtering method or the like). - 特許庁
正方晶系チタン酸バリウム微粒子であって、一次粒子の平均一次粒子径が20〜150nmであって球形度が1.00〜1.18であり、平均一次粒子径と平均二次粒子径との比が0.7以上5.0未満である正方晶系チタン酸バリウム微粒子粉末である。例文帳に追加
The tetragonal barium titanate particulate powder has 20 to 150 nm average primary particle diameter of primary particles and in which the ratio between the average primary particle diameter and the average secondary particle diameter is ≥0.7 to <5.0. - 特許庁
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