瘤発生の英語

血管に発生した瘤の破裂を防止し、また狹窄した血管の拡張等を行うことのできる血管修復材を提供する。例文帳に追加

To provide a blood vessel repairing material preventing a hump produced in a blood vessel from rupturing and carry out expansion or the like of a constricted blood vessel. - 特許庁

上行大動脈や近位弓部大動脈に大動脈瘤が発生したとしても、管状治療具を比較的容易に留置することが可能な管状治療具留置装置を提供する。例文帳に追加

To provide a tubular treatment implement detention device which can comparatively easily detain a tubular treatment implement even if an aneurysm of the aorta is generated in the ascending aorta or the proximal bow part aorta. - 特許庁

塩化ビニル製の管状部材２と、この管状部材２に生理的食塩水を供給する供給手段３とで静脈瘤発生箇所の熱傷装置１を構成する。例文帳に追加

A burning apparatus 1 for a varicose vein is composed of a tubular member 2 made from polyvinyl chloride and a supply means 3 for supplying physiological saline solution to the tubular member 2. - 特許庁

娩出用吸引カップにおいて、母体内への挿入を容易にし、十分な牽引力を得ることができ、かつ滑脱を低減させ、また、人工産瘤の発生を抑える。例文帳に追加

To provide a suction cup for a delivery which is easily inserted to a mother body, ensures sufficient traction force, reduces slippage, and suppresses caput succedaneum. - 特許庁

巻き取り時に巻き瘤の発生やフィルム同士のブロッキングが起こらない、表面保護フィルム用の基材フィルムであって、しかも透明性の優れた表面保護フィルムを得ることができる基材フィルムを提供する。例文帳に追加

To provide a base material film which can be used for forming a surface protection film with excellent transparency in the base material film for a surface protection film in which generation of winding bump and blocking of the mutual films do not occur at winding. - 特許庁

下肢等の静脈に発生した静脈瘤を治療する場合に、副作用が極めて軽く、かつアレルギー症状が起こらない治療を可能とする装置を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus achieving treatment whose side effect is very light and which does not causes allergic symptoms in the case of treating a varicose vein grown at a vein of a leg etc. - 特許庁

サリサイド技術により金属シリサイドを形成する際に素子分離膜の周辺部分の金属シリサイドが瘤状に過剰成長するのを抑制することができ、過剰な金属シリサイドにより発生する拡散層の接合界面におけるリーク電流を低減することができる半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of suppressing the excess growth of the metal silicide of the peripheral part of an element isolating film to a bump-like state when the metal silicide is formed by a salicide technology, and reducing a leakage current in a connecting interface of a diffused layer generated by the excess metal silicide and to provide the semiconductor device. - 特許庁