窒素ドナーの英語

被験体の外科手術部位に対して、不利な生物物理学的環境中に含まれた一酸化窒素ドナーを含む送達ビヒクルを投与する工程；を包含する、方法。例文帳に追加

The method includes a step of administering, to a surgical site of a subject, a delivery vehicle comprising a nitric oxide donor contained within a hostile biophysical environment. - 特許庁

溶液法によるＳｉＣ単結晶の製造において、ｎ型半導体とするためのドナー元素である窒素およびアルミニウムの濃度を各々［Ｎ］および［Ａｌ］で表わしたときに、窒素とアルミニウムとの濃度比を、１≦［Ｎ］／［Ａｌ］≦５０として融液に添加し、ＳｉＣ種結晶を浸漬することにより、ｎ型ＳｉＣ単結晶を成長させる。例文帳に追加

The manufacture of the SiC single crystal by a solution method includes: adding a nitrogen and an aluminum to a melt with the ratio of concentration of 1≤[N]/[Al]≤50, when the concentrations of nitrogen and aluminum that are a donor element to assume an n-type semiconductor are represented by [N] and [Al], respectively; and immersing the SiC seed crystal to grow up n-type SiC single crystal. - 特許庁

金属または金属イオンに配位可能な配位子を含むポリエステル組成物であって、該配位子はドナー原子として窒素原子、硫黄原子および酸素原子からなる群から選ばれる少なくとも１種の原子を含んでいるポリエステル組成物とする。例文帳に追加

The polyester composition contains a ligand which is capable to coordinate with a metal or metallic ion, and the ligand as a donor is at least one selected from the group consisting of nitrogen atom, sulfur atom and oxygen atom. - 特許庁

平滑筋の収縮もしくは増殖に関連する病的状態またはシステイン含有タンパク質と関連する疾患、または、一酸化窒素（ＮＯ）ドナーおよび上昇した血圧を必要とする患者、または、心血管系の症候群の予防または処置を提供すること。例文帳に追加

To provide the prevention or treatment of a disease related to pathological condition of smooth muscle contraction or proliferation, or to a cysteine containing protein, or a patient requiring a nitrogen monoxide (NO) donor and elevated blood pressure, or cardiovascular syndromes. - 特許庁

好ましくは前記ニトリルゴム（Ａ）の有するカルボキシル基の量が、５×１０^−４〜５×１０^−１ｅｐｈｒであり、また、好ましくは前記キレート化剤がドナー窒素原子を１個以上含有する化学構造を有するものである。例文帳に追加

In the nitrile rubber composition, the amount of a carboxyl group which the nitrile rubber (A) has is preferably 5×10^-4 to 5×10^-1 ephr and the chelating agent (B) has, preferably, a chemical structure containing one or more donor nitrogen atoms. - 特許庁

２０〜８０％の窒素原子含有ガスと不活性ガスとを含む雰囲気中で、スパッタ法によって、ドナー不純物の添加された単結晶のＩＩＩ族窒化物半導体層を形成するスパッタ工程を備えることを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体の製造方法の製造方法とする。例文帳に追加

The manufacturing method of the group III nitride semiconductor is provided with a sputtering step of forming a single crystalline group III nitride semiconductor layer doped with a donor impurity by a sputtering method in an atmosphere containing 20-80% a nitride atom-containing gas and an inert gas. - 特許庁

ドナー不純物のドーピングによって低抵抗化したｎ形ＺｎＯバルク単結晶基板１０上に、ｐ形層１１として窒素をドープしたＺｎＯ系化合物からなる半導体薄膜を形成してｐｎ接合させている。例文帳に追加

A semiconductor thin film consisting of a ZnO series compound which doped nitrogen as a p-form layer 11 is formed on an n-type ZnO bulk single crystal substrate 10 whose resistance is lowered by the doping of donor impurities, and is connected thereto through pn connection. - 特許庁

本発明に係る炭素材料は、窒素、酸素、硫黄のようなドナー原子を含む原子団が主鎖や側鎖に存在している高分子材料に金属イオンを配位させた高分子金属錯体を焼成して炭化したことを特徴とする。例文帳に追加

The carbon material is produced by coordinating metal ions to a high polymer material that bears atomic groups including donor atoms, for example, N, O, S or the like on the main chains and/or side chains of the polymer and the resultant metal ion-coordinated high polymer complex is fired and carbonized. - 特許庁