「窒素ドナー」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

細胞治療を一酸化窒素ドナーの使用と合わせることにより疾患または損傷を持つ患者を処置する方法を提供すること。例文帳に追加

To provide methods for treating patients having disease or injury by combining cell therapy and the use of a nitric oxide donor. - 特許庁

末梢動脈疾患を有する被験体に対して、不利な生物物理学的環境中に含まれた一酸化窒素ドナーを含む送達ビヒクルを投与する工程；を包含する、方法。例文帳に追加

The method includes a step of administering, to a subject having peripheral artery disease, a delivery vehicle comprising the nitric oxide donor contained within a hostile biophysical environment. - 特許庁

被験体の外科手術部位に対して、不利な生物物理学的環境中に含まれた一酸化窒素ドナーを含む送達ビヒクルを投与する工程；を包含する、方法。例文帳に追加

The method includes a step of administering, to a surgical site of a subject, a delivery vehicle comprising a nitric oxide donor contained within a hostile biophysical environment. - 特許庁

溶液法によるＳｉＣ単結晶の製造において、ｎ型半導体とするためのドナー元素である窒素およびアルミニウムの濃度を各々［Ｎ］および［Ａｌ］で表わしたときに、窒素とアルミニウムとの濃度比を、１≦［Ｎ］／［Ａｌ］≦５０として融液に添加し、ＳｉＣ種結晶を浸漬することにより、ｎ型ＳｉＣ単結晶を成長させる。例文帳に追加

The manufacture of the SiC single crystal by a solution method includes: adding a nitrogen and an aluminum to a melt with the ratio of concentration of 1≤[N]/[Al]≤50, when the concentrations of nitrogen and aluminum that are a donor element to assume an n-type semiconductor are represented by [N] and [Al], respectively; and immersing the SiC seed crystal to grow up n-type SiC single crystal. - 特許庁

金属または金属イオンに配位可能な配位子を含むポリエステル組成物であって、該配位子はドナー原子として窒素原子、硫黄原子および酸素原子からなる群から選ばれる少なくとも１種の原子を含んでいるポリエステル組成物とする。例文帳に追加

The polyester composition contains a ligand which is capable to coordinate with a metal or metallic ion, and the ligand as a donor is at least one selected from the group consisting of nitrogen atom, sulfur atom and oxygen atom. - 特許庁

平滑筋の収縮もしくは増殖に関連する病的状態またはシステイン含有タンパク質と関連する疾患、または、一酸化窒素（ＮＯ）ドナーおよび上昇した血圧を必要とする患者、または、心血管系の症候群の予防または処置を提供すること。例文帳に追加

To provide the prevention or treatment of a disease related to pathological condition of smooth muscle contraction or proliferation, or to a cysteine containing protein, or a patient requiring a nitrogen monoxide (NO) donor and elevated blood pressure, or cardiovascular syndromes. - 特許庁

好ましくは前記ニトリルゴム（Ａ）の有するカルボキシル基の量が、５×１０^−４〜５×１０^−１ｅｐｈｒであり、また、好ましくは前記キレート化剤がドナー窒素原子を１個以上含有する化学構造を有するものである。例文帳に追加

In the nitrile rubber composition, the amount of a carboxyl group which the nitrile rubber (A) has is preferably 5×10^-4 to 5×10^-1 ephr and the chelating agent (B) has, preferably, a chemical structure containing one or more donor nitrogen atoms. - 特許庁

２０〜８０％の窒素原子含有ガスと不活性ガスとを含む雰囲気中で、スパッタ法によって、ドナー不純物の添加された単結晶のＩＩＩ族窒化物半導体層を形成するスパッタ工程を備えることを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体の製造方法の製造方法とする。例文帳に追加

The manufacturing method of the group III nitride semiconductor is provided with a sputtering step of forming a single crystalline group III nitride semiconductor layer doped with a donor impurity by a sputtering method in an atmosphere containing 20-80% a nitride atom-containing gas and an inert gas. - 特許庁

ドナー不純物のドーピングによって低抵抗化したｎ形ＺｎＯバルク単結晶基板１０上に、ｐ形層１１として窒素をドープしたＺｎＯ系化合物からなる半導体薄膜を形成してｐｎ接合させている。例文帳に追加

A semiconductor thin film consisting of a ZnO series compound which doped nitrogen as a p-form layer 11 is formed on an n-type ZnO bulk single crystal substrate 10 whose resistance is lowered by the doping of donor impurities, and is connected thereto through pn connection. - 特許庁

本発明に係る炭素材料は、窒素、酸素、硫黄のようなドナー原子を含む原子団が主鎖や側鎖に存在している高分子材料に金属イオンを配位させた高分子金属錯体を焼成して炭化したことを特徴とする。例文帳に追加

The carbon material is produced by coordinating metal ions to a high polymer material that bears atomic groups including donor atoms, for example, N, O, S or the like on the main chains and/or side chains of the polymer and the resultant metal ion-coordinated high polymer complex is fired and carbonized. - 特許庁

例えば、エミッタ電極１のダイヤモンド半導体薄膜１ｂに対してボロンを添加すると、アクセプタ準位は伝導帯から約５．１ｅＶに存在し、コレクタ電極２のダイヤモンド半導体薄膜２ｂに対して窒素を添加すると、ドナー準位は伝導帯から約１．７ｅＶに存在する。例文帳に追加

For example, when boron is added to a diamond semiconductor thin film 1b of the emitter electrode 1, an acceptor level is present at approximately 5.1 eV from a conduction band and when nitrogen is added to a diamond semiconductor thin film 2b of the collector electrode 2, a donor level is present at approximately 1.7 eV from the conduction band. - 特許庁

ＳｉＣ単結晶を結晶成長する際に、ｎ型半導体とするためのドナー元素である窒素（Ｎ）とともにガリウム（Ｇａ）を、両元素のａｔｍ単位で表示して量であるＮ（量）およびＧａ（量）がＮ（量）＞Ｇａ（量）となるようにする。例文帳に追加

When the SiC single crystal is grown, along with nitrogen (N) that serve as a donor element for achieving an n-type semiconductor, gallium (Ga) is added so that N (amount) and Ga (amount), which are amounts of N and Ga elements expressed in atm, respectively, satisfy the relation: N (amount)>Ga (amount). - 特許庁

ドナー不純物のドーピングによって低抵抗化したｎ形ＺｎＯバルク単結晶基板１０上に、ｐ形層１１として窒素をドープしたＺｎＯ系化合物からなる半導体薄膜を形成してｐｎ接合させている。例文帳に追加

On a n-type ZnO bulk single crystal substrate 10 formed into low resistance by doping a donor impurity, as a p-type layer 11, a semiconductor thin film composed of a ZnO-based compound, in which nitrogen is doped, is formed to make a p-n junction. - 特許庁

有機金属化合物気相成長法によってｎ型窒化物半導体を基板上に層状に形成する工程を含んでいる窒化物半導体素子の製造方法において、前記基板上に窒素原料を連続的に供給しつつ３族原料とドナー原料とを交互に供給して前記ｎ型窒化物半導体を形成する。例文帳に追加

In the manufacturing method of the nitride semiconductor device including a process to form stratifiedly the n-type nitride semiconductor on a substrate by organometalliccompound vapor growth method, while supplying nitrogen material continuously on the substrate, a group III material and a donor material are alternatively supplied to form the n-type nitride semiconductor. - 特許庁

エステル化触媒を用いるエステル化工程および／または重縮合触媒を用いる重縮合工程を含むポリエステルの製造工程において、金属または金属イオンに配位可能であり、かつ、窒素原子、硫黄原子および酸素原子からなる群から選ばれる少なくとも１種のドナー原子を含有する配位子を加えてエステル化触媒および／または重縮合触媒を分離回収してポリエステル組成物を製造する。例文帳に追加

In a polyester production process containing an esterification step using an esterification catalyst and a polycondensation step using a polycondensation catalyst, a polyester composition is produced by separating and recovering the esterification catalyst and/or the polycondensation catalyst by adding a ligand, provided the ligand contains at least one kind of donor atom which can be coordinated with a metal or a metal ion and is selected from the group consisting of nitrogen, sulfur, and oxygen. - 特許庁