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第10族元素の英語
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英訳・英語 Group 10 element
「第10族元素」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 32件
第13族元素、窒素元素およびSi元素を含む原料を用いて、Si取込効率10%以上で結晶成長を行うことにより、Si元素を含有する第13族窒化物結晶を製造する。例文帳に追加
A group 13 nitride crystal containing the Si element is produced by performing crystal growth with Si intake efficiency of 10% or more using the material containing a group 13 element, a nitrogen element and the Si element. - 特許庁
第6族金属、第7族金属、第8族金属、第9族金属、第10族金属及び第11族金属からなる群から選ばれる一種以上の金属元素ならびにヨウ素元素を含む化合物を触媒として用いる、β水素原子を有するカルボン酸またはその誘導体からのオレフィンの製造法。例文帳に追加
The method for producing the olefin from a carboxylic acid bearing a β hydrogen atom or a derivative thereof comprises using as a catalyst a compound containing at least one metal element selected from the group consisting of group 6 metals, group 7 metals, group 8 metals, group 9 metals, group 10 metals and group 11 metals, and an iodine element. - 特許庁
本発明の方法は、V族元素を含む第1の化合物半導体層3を有する半導体装置10を製造する。例文帳に追加
In the method, a semiconductor device 10 with a first compound semiconductor layer 3 comprising a group V element is manufactured. - 特許庁
周期表8〜10族元素化合物の使用量としては、第1級アルコールに対して0.1モル%未満であるのが好ましい。例文帳に追加
The compound of the element in the groups 8 to 10 in the periodic table is preferably used in an amount of <0.1 mol% based on the primary alcohol. - 特許庁
シリコン基板1の表面1f近傍にドープされた周期律表第3B族元素の濃度は10^17cm^-3以上10^20cm^-3以下である。例文帳に追加
The group IIIB element doped in the vicinity of the surface 1f of the silicon substrate 1 has concentration in the range of 10^17 cm^-3-10^20 cm^-3. - 特許庁
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「第10族元素」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 32件
周期表第8族元素、周期表第9族元素および周期表第10族元素からなる群より選ばれる少なくとも一種の遷移金属と、酸素との存在下に、2位に含硫黄炭化水素基を有する2−アミノエタノール化合物(但し、該含硫黄炭化水素基の炭素数は1〜24である。)を酸化する工程を有する含硫アミノ酸の製造方法。例文帳に追加
The method for producing the sulfur-containing amino acid includes a process for oxidizing a 2-aminoethanol compound having a sulfur-containing hydrocarbon group (the number of carbon atoms in the sulfur-containing hydrocarbon group is 1-24) at position 2 in the presence of oxygen and at least one kind of transition metals selected from the group consisting of the elements belonging to groups 8, 9 and 10 of the periodic table. - 特許庁
第一成分として周期表の8〜10族から選ばれる少なくとも1種の元素と、第二成分として周期表の11族から選ばれる少なくとも1種の元素とを含む触媒の存在下に、還元剤を作用させる。例文帳に追加
This method for producing the halogenated alcohol comprises making a reducing agent act on the raw material in the presence of a catalyst, wherein the catalyst contains at least one element selected from the elements belonging to the groups 8 to 10 in the periodic table as a first component and at least one element selected from the elements belonging to the group 11 in the periodic table as a second component. - 特許庁
(式中、R^2はアリール基、R^3〜R^7、R^9〜R^13は水素、ハロゲン原子、アシル基、アルキル基、アルコキシル基、アリール基、シアノ基、複素環残基のいずれかを表す。また、Mは第9族元素または第10族元素を表す。)例文帳に追加
In the formula (15), R^2 is an aryl group, each of R^3 to R^7 and R^9 to R^13 is any one of hydrogen, a halogen atom, an acyl group, an alkyl group, an alkoxyl group, an aryl group, a cyano group and a heterocyclic ring residue, and M is one of an element of Group 9 and an element of Group 10. - 特許庁
触媒は、(a)第9族、第10族、または第11族の遷移金属化合物、(b)第15族の元素を有する配位子、および(c)pKaが4以下の酸の陰イオンからなる有機金属錯体であり、前記(b)成分が1,3−ビス[ビス(2−メトキシ−5−メチルフェニル)ホスフィノ]プロパンである。例文帳に追加
The catalyst is an organometallic complex comprised of (a) a group 9, 10 or 11 transition metal compound, (b) a ligand having a group 15 element and (c) an anion of the acid having a pKa of 4 or lower, where the component (b) is 1,3-bis[bis(2-methoxy-5-methylphenyl)phosphino]propane. - 特許庁
光導電層102は、シリコンを主体とする非単結晶材料により構成され、周期律表第13族元素を2.5×10^14[1/cm^3]以上4×10^15[1/cm^3]以下の原子濃度で含んでいる。例文帳に追加
The photoconductive layer 102 is formed of a non-monocrystalline material mainly composed of silicon, and contains an element of the thirteenth group of the periodic table in an atomic concentration ranging from 2.5×10^14 [l/cm^3] to 4×10^15 [l/cm^3]. - 特許庁
触媒の存在下、原料であるβ水素原子を有するカルボン酸またはその無水物からオレフィンを製造する方法であって、触媒が、第8属金属、第9族金属及び第10族金属からなる群から選ばれる一種以上の金属元素と臭素元素を含み、反応温度が120℃〜270℃である、オレフィンの製造法。例文帳に追加
The manufacturing method of an olefin includes manufacturing an olefin from a carboxylic acid bearing a β-hydrogen atom or an anhydride thereof as a raw material in the presence of a catalyst, where the catalyst includes at least one metal element selected from the group consisting of group 8 metals, group 9 metals and group 10 metals and a bromine element, and the reaction temperature is 120-270°C. - 特許庁
アルカリ金属元素の濃度が1.0×10^18cm^-3未満の第1のIII族窒化物結晶10を準備する工程と、HVPE法により、1100℃より高い雰囲気温度で、第1のIII族窒結晶10の主面10m上に、第2のIII族窒化物結晶20を成長させる工程と、を備える。例文帳に追加
The method for growing the group III nitride crystal comprises steps of: preparing a first group III nitride crystal 10 having an alkali metal element concentration of <1.0×10^18 cm^-3; and growing a second group III nitride crystal 20 on a major surface 10 m of the first group III nitride crystal 10 by the HVPE method at an atmospheric temperature higher than 1,100°C. - 特許庁
(式中、R^1は炭素数1〜4のアルキル基、または炭素数1〜4のアルコキシ基、または炭素数1〜5のアルコキシカルボニル基のいずれかを表す。また、R^2およびR^3は水素、または炭素数1〜4のアルキル基のいずれかを表す。また、Arは炭素数6〜25のアリーレン基を表す。また、Mは中心金属であり、第9族元素、または第10族元素のいずれかを表す。)例文帳に追加
M is a central metal and represents either a Group 9 element or a Group 10 element. - 特許庁
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Group 10 element
英和対訳
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