薄っすらの英語

非ローラ式のプラテン１２は薄くても歪みなく均一な圧力で感熱紙を加圧することができる。例文帳に追加

The non-roller type platen 12 is thin but it can press the thermal sheet with uniform pressure. - 特許庁

そして、肉薄部５と間柱４との間には、間柱４と接する肉厚部６が形成されている。例文帳に追加

Further, a thickened portion 6 is formed between the thinned portion 5 and the stud 4, which portion 6 rests on the stud 4. - 特許庁

薄膜構造部を有するセンサとしての流量センサＳ１においては、薄膜構造部２０ａの下には、薄膜構造部２０ａが変形したときに当接するように薄膜構造部２０ａとは空隙１２を介して対向する平面を有する変形防止板４０が設けられている。例文帳に追加

A flow rate sensor S1 as the sensor has the thin film structure part, in which a deformation preventing plate 40 having a plain face facing the thin film structure 20a via an air gap 12 is installed under the thin film structure 20a, so that the deformation preventing plate 40 is contacted to the structure 20a when the structure 20a is deformed. - 特許庁

陽極層に接する正孔輸送性の薄膜層を有し、その薄膜層が５質量％以上の高分子化合物を含みかつ該薄膜層の最低空軌道の値が２．１ｅＶ以上である、有機エレクトロルミネッセンス素子。例文帳に追加

The organic electroluminescent element has a thin film layer of hole transportability contacting a positive electrode layer, and its thin film layer contains 5 mass % or more polymer compound and the energy value of the lowest unoccupied molecular orbital of the thin film layer is 2.1 eV or more. - 特許庁

酸化亜鉛（ZnO）を主成分とする酸化物からなる半導体薄膜と、シリコン系絶縁膜からなり該半導体薄膜に接するゲート絶縁膜を有する薄膜トランジスタの製法において、前記半導体薄膜の形成と前記ゲート絶縁膜の形成が、真空中にて連続した工程で行われることを特徴とする薄膜トランジスタの製法。例文帳に追加

In the method of manufacturing a thin-film transistor which has a semiconductor thin film consisting of an oxide containing a zinc oxide (ZnO) as a main component and a gate insulation film consisting of a silicon-based insulation film and joined to the semiconductor film, the formation of the semiconductor film and the formation of the gate insulation film are executed in continuous processes in a vacuum state. - 特許庁

同一可撓性基板上に駆動回路用薄膜トランジスタを含む駆動回路部と、画素用薄膜トランジスタを含む画素部とを有する発光装置であり、駆動回路用薄膜トランジスタ及び画素用薄膜トランジスタは、酸化物絶縁層と一部接する酸化物半導体層を含む逆スタガ型の薄膜トランジスタである。例文帳に追加

The light-emitting device has; over the same flexible substrate, a driving circuit portion including a thin film transistor for a driving circuit; and a pixel portion including a thin film transistor for a pixel, wherein the thin film transistor for the driving circuit and the thin film transistor for the pixel are inverted-staggered thin film transistors including an oxide semiconductor layer which is in contact with a part of an oxide insulating layer. - 特許庁

現像ローラ１１に当接してトナーを薄層化するトナー薄層形成ローラ１５が、該現像ローラ上のトナーから受ける力によって変形するのを防止するために、該トナー薄層形成ローラを該現像ローラ方向に加圧する加圧ローラ１７を設ける。例文帳に追加

This developing device, is provide with a pressure roller 17 for pressing a toner thin layer forming roller in the direction of a developing roller 11, in order that the toner thin layer forming roller 15 being held in contact with the developing roller for making the toner turned to the thin layer, is prevented form being deformed by the force imparted from the toner on the developing roller. - 特許庁

カバー部３は、厚肉部３３と、この厚肉部３３よりも薄く光源４からの光の一部を透過させる薄肉部３２，３４とを一体的に成形してなり、光源４から発する光を用いた表示を行う領域３６が薄肉部３２，３４の少なくとも一部に設けられている。例文帳に追加

The cover 3 includes a thick part 33 and thin parts 32 and 34 thinner than the thick part 33 and allowing a part of light from the light source 4 to transmit therethrough, the thick and thin parts being formed integrally, and a region 36 performing display using light emitted from the light source 4 is provided at at least a part of the thin part 32, 34. - 特許庁