負電子親和力の英語

ここで、本素子電極４は、素子電極２と同様に導電性を有しており、かつ、電子親和力が負である材料から選択される。例文帳に追加

The element electrode 4 similarly to the element electrode 2 is selected from a conductive material of which the electron affinity is negative. - 特許庁

薄型化及び平板化が可能で電子放出のしきい値電圧が小さく、ダイヤモンドの負の電子親和力を効果的に利用することのできる優れたｎ型ダイヤモンド電子放出素子及び電子デバイスを提供する。例文帳に追加

To provide a superior n-type diamond electron emitting element and an electronic device capable of being constructed thin and flat, having a smaller threshold voltage for electron emission, and allowing effective use of the negative electron affinity force of diamond. - 特許庁

なお、電子放出層１０５は、電子放出層となる粒状構造体または極細構造体のＡｌＮ、ＧａＮ、ダイヤモンド等の負の電子親和力（ＮＥＡ：Negative ElectronAffinity）を示す材料で構成されている例文帳に追加

The electron emission layer 105 is constructed of material such as AlN, GaN, diamond or the like having a granular structure or very fine structure serving as an electron emission layer and having a negative electron affinity(NEA). - 特許庁

高電流密度が可能となるのは、ｐドーピング領域およびｐ＋ドーピングされた領域が、低い仕事関数の金属に接したときに、負の電子親和力の材料として動作するからである。例文帳に追加

The reason why large current density is realized is that the p doped region and the p+ doped region work as a material of negative electron affinity when they contact the metal of low work function. - 特許庁

導電性支持体（１００）上に負性電子親和力を持つ物質によって膜（１０１）を形成し、被帯電部材（１０３）と非接触に配置する。例文帳に追加

A film (101) is formed of a substance having negative electron affinity on an electrically conductive support (100), and is placed in the state of non-contact with a member (103) to be electrified. - 特許庁

高電流密度が可能となるのは、誘電体層の両端の所定の電圧降下のもとで、有効な負の電子親和力が、誘電体層に隣接したｐ領域の空乏層に蓄積された準平衡状態の「冷」電子について実現されるからである。例文帳に追加

The reason why large current density is possible is that, under the prescribed voltage drop at both ends of the dielectric layer, effective negative electron affinity is realized at the 'cold' electrons of quasi-equilibrium condition that are accumulated in the depletion layer of the p region adjacent to the dielectric layer. - 特許庁

エミッタ２６は、カソード電極２２上に形成された金属メッキ層４２と、フラーレン、カーボンナノチューブ、グラファイト、低仕事関数材料、負の電子親和力材料、金属材料からなる群から選択された材料からなると共に金属メッキ層４２に分散状態で支持された粒状または棒状の複数の微細体４４と、を有する。例文帳に追加

The emitter 26 is composed of a metal-plated layer 42 formed on the cathode electrode 22 and a plurality of grain-shaped or stick-shaped fine bodies 44, supported on the metal plated layer 42 in a scattered state, made of a material chosen from fullerene, carbon nanotube, graphite, a material with a low work function, a material with negative electron affinity force, and a metallic material. - 特許庁

エミッタ２６は、カソード電極２２上に形成された金属メッキ層４２と、フラーレン、カーボンナノチューブ、グラファイト、低仕事関数材料、負の電子親和力材料、金属材料からなる群から選択された材料からなると共に金属メッキ層４２に分散状態で支持された粒状または棒状の複数の微細体４４と、を有する。例文帳に追加

The emitter 26 has a metal plating layer 42 formed on the cathode electrode 22, and plural granular or bar-shaped fine bodies 44 composed of a material selected from a group composed of fullerene, a carbon nanotube, graphite, a low work function material, a negative electronic affinity material, and a metallic material, and supported by the metal plating layer 42 in a dispersive state. - 特許庁