「負電子親和力」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

このとき、ナトリウム原子は負の電子親和力を有しているので、開口フラーレンの開口部にナトリウム原子が電気的に結合する。例文帳に追加

Then, the sodium atom, which has negative electron affinity, is electrically bound to the opening of the open-cage fullerene. - 特許庁

光電陰極膜３は、例えば、金、白金などの金属、低仕事関数材料や、小さいもしくは負の電子親和力を有する半導体から成る。例文帳に追加

The photoelectriccathode film 3 is made from, for example, gold, platinum, low work function materials, or semiconductor having small or negative electron affinity. - 特許庁

ここで、本素子電極４は、素子電極２と同様に導電性を有しており、かつ、電子親和力が負である材料から選択される。例文帳に追加

The element electrode 4 similarly to the element electrode 2 is selected from a conductive material of which the electron affinity is negative. - 特許庁

薄型化及び平板化が可能で電子放出のしきい値電圧が小さく、ダイヤモンドの負の電子親和力を効果的に利用することのできる優れたｎ型ダイヤモンド電子放出素子及び電子デバイスを提供する。例文帳に追加

To provide a superior n-type diamond electron emitting element and an electronic device capable of being constructed thin and flat, having a smaller threshold voltage for electron emission, and allowing effective use of the negative electron affinity force of diamond. - 特許庁

なお、電子放出層１０５は、電子放出層となる粒状構造体または極細構造体のＡｌＮ、ＧａＮ、ダイヤモンド等の負の電子親和力（ＮＥＡ：Negative ElectronAffinity）を示す材料で構成されている例文帳に追加

The electron emission layer 105 is constructed of material such as AlN, GaN, diamond or the like having a granular structure or very fine structure serving as an electron emission layer and having a negative electron affinity(NEA). - 特許庁

高電流密度が可能となるのは、ｐドーピング領域およびｐ＋ドーピングされた領域が、低い仕事関数の金属に接したときに、負の電子親和力の材料として動作するからである。例文帳に追加

The reason why large current density is realized is that the p doped region and the p+ doped region work as a material of negative electron affinity when they contact the metal of low work function. - 特許庁

導電性支持体（１００）上に負性電子親和力を持つ物質によって膜（１０１）を形成し、被帯電部材（１０３）と非接触に配置する。例文帳に追加

A film (101) is formed of a substance having negative electron affinity on an electrically conductive support (100), and is placed in the state of non-contact with a member (103) to be electrified. - 特許庁

高電流密度が可能となるのは、誘電体層の両端の所定の電圧降下のもとで、有効な負の電子親和力が、誘電体層に隣接したｐ領域の空乏層に蓄積された準平衡状態の「冷」電子について実現されるからである。例文帳に追加

The reason why large current density is possible is that, under the prescribed voltage drop at both ends of the dielectric layer, effective negative electron affinity is realized at the 'cold' electrons of quasi-equilibrium condition that are accumulated in the depletion layer of the p region adjacent to the dielectric layer. - 特許庁

エミッタ２６は、カソード電極２２上に形成された金属メッキ層４２と、フラーレン、カーボンナノチューブ、グラファイト、低仕事関数材料、負の電子親和力材料、金属材料からなる群から選択された材料からなると共に金属メッキ層４２に分散状態で支持された粒状または棒状の複数の微細体４４と、を有する。例文帳に追加

The emitter 26 is composed of a metal-plated layer 42 formed on the cathode electrode 22 and a plurality of grain-shaped or stick-shaped fine bodies 44, supported on the metal plated layer 42 in a scattered state, made of a material chosen from fullerene, carbon nanotube, graphite, a material with a low work function, a material with negative electron affinity force, and a metallic material. - 特許庁

エミッタ２６は、カソード電極２２上に形成された金属メッキ層４２と、フラーレン、カーボンナノチューブ、グラファイト、低仕事関数材料、負の電子親和力材料、金属材料からなる群から選択された材料からなると共に金属メッキ層４２に分散状態で支持された粒状または棒状の複数の微細体４４と、を有する。例文帳に追加

The emitter 26 has a metal plating layer 42 formed on the cathode electrode 22, and plural granular or bar-shaped fine bodies 44 composed of a material selected from a group composed of fullerene, a carbon nanotube, graphite, a low work function material, a negative electronic affinity material, and a metallic material, and supported by the metal plating layer 42 in a dispersive state. - 特許庁

吐水装置において、水等を供給する水供給路に、高濃度酸素発生手段から高濃度酸素供給経路を介して供給される高濃度酸素を混同し混入し、電子親和力の高い酸素分子を多く含んだ水等を吐水させることで、水破砕による電子離脱の電子が酸素分子に電子付着し、電気的負性気体となった酸素分子を核としたマイナスイオンを多く発生することができる。例文帳に追加

In this spout device, high concentration oxygen supplied from a high concentration oxygen generating means through a high concentration oxygen supplying passage is mixed to the water supplying passage for supplying water or the like to discharge water or the like rich in oxygen molecules having high electron affinity, whereby electrons separated by water crushing can electronically be adhered to oxygen molecules to abundantly generate minus ions with the oxygen molecule that is an electrically negative gas as a nucleus. - 特許庁

本発明は、励起子の束縛エネルギーが高い半導体材料で構成される間接遷移型半導体であって、間接遷移型半導体による活性層を形成し、活性層電流注入する電極を有する自由励起子生成効率が10%以上であり、その活性層あるいは活性領域に形成した負の電子親和力表面で自由励起子を自由電子に変換し連続放出させることを特徴とする電子源である。例文帳に追加

The electron source is an indirect transition semiconductor composed of semiconductor material in which exciton binding energy is great, wherein the electron source forms an active layer by the indirect transition semiconductor, with ≥10% generation efficiency for free exciton with an electrode carrying out active layer current injection and converts a free exciton to a free electron in a negative electron affinity force surface formed in an active layer or in an active region to carry out continuous discharging. - 特許庁