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酸化溝法の英語
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英訳・英語 oxidation ditch process
「酸化溝法」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 70件
作動領域の所定領域を酸化し、乾式酸化物エッチング法によりエッチングして溝の酸化物を除去する。例文帳に追加
A predetermined area the active region is oxidized and then etched by a dry oxide etching process to remove the oxide in the trenches. - 特許庁
さらに、開口部の付近に堆積した第１のシリコン酸化膜をエッチングし、溝の底に堆積した第１のシリコン酸化膜の上にＨＤＰ法で第２のシリコン酸化膜を成膜する。例文帳に追加
The first silicon oxide films deposited in the vicinities of the apertures are etched, and second silicon oxide films are formed by using the HDP method on the first silicon oxide films deposited on the bottoms of the trenches. - 特許庁
酸化剤ガス流路４４および燃料ガス流路３２は、酸化剤ガス直線溝４８および燃料ガス直線溝３６の長さ方向の寸法Ｌが、これらに交差する全幅寸法Ｗよりも短尺に構成される。例文帳に追加
The oxidizing agent gas passage 44 and the fuel gas passage 32 are constituted so that each length L of an oxidizing agent gas straight groove 48 and a fuel gas straight groove 36 is shorter than the whole width W crossing them. - 特許庁
シリコン基板上に光ファイバ搭載用のＶ溝を設け、二酸化珪素被膜を形成したもののＶ溝の幅を計測する方法において、レーザ反射方式のオートフォーカスにより、二酸化珪素被膜表面のＶ溝のエッジをフォーカス位置として検出し、Ｖ溝の幅を計測する方法。例文帳に追加
In the method for measuring width in the V groove that is provided on the silicon substrate, is used for mounting the optical fibers, and forms the silicon dioxide film, the edge of the V groove on the surface of the silicon dioxide film is detected as a focus position, and the width in the V groove is measured. - 特許庁
高密度プラズマＣＶＤ法により、溝６および開口３ａの内部に埋め込むようにして、埋め込み酸化膜８を形成した後、ＳｉＮ膜３上の埋め込み酸化膜８を除去し、ＣＭＰ法により平坦化を行う。例文帳に追加
After an embedded oxide film 8 is formed by embedding into the groove 6 and the opening 3a through high density plasma chemical vapor deposition(CVD), the embedded oxide film 8 on the SiN film 3 is removed and flattening is performed by chemical-mechanical polishing(CMP). - 特許庁
素子分離用の溝の内部に絶縁膜を埋め込む工程において、ＨＤＰ−ＣＶＤ法によるシリコン酸化膜とＳＯＧ法によるシリコン酸化膜とを積層させることにより、ボイドの発生を防止し歩留まりを向上させる。例文帳に追加
In a process for filling an isolation trench with an insulation film, a silicon oxide film deposited by HDP-CVD and a silicon oxide film deposited by SOG are laid in layer thus preventing the generation of void and enhancing yield. - 特許庁
半導体基板上に形成された素子分離溝内および第１絶縁層上にシリコン膜を形成し酸化すること、または、分離マスク開口部および第１絶縁層上にシリコン膜を形成した後に素子分離溝を形成し、素子分離溝内およびシリコン膜を酸化することを特徴とする半導体装置製造方法により、シリコン膜が酸化膜除去工程でのエッチングストッパーとなりディボットを軽減できる。例文帳に追加
As a result, the silicon film becomes an etching stopper in an oxide film removal process and thus the divot can be reduced. - 特許庁
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「酸化溝法」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 70件
基板に凹凸部、例えば深い溝部や段差部が存在する場合であっても、前記凹凸部に酸化タンタル薄膜を均一な厚さで被覆することができる酸化タンタル薄膜の形成方法を提供する。例文帳に追加
To enable a rugged part of a substrate to be coated with a tantalum oxide film of uniform thickness, even if rugged parts such as deep groove or steeply stepped part is present on the surface of the substrate. - 特許庁
トレンチ溝の底面近傍のＳＯＩ層の底面端部を変形させることなく熱酸化法によりシリコン酸化膜を形成してＳＴＩ領域を形成する。例文帳に追加
To form a silicon oxide film by a thermal oxidation method without deforming a bottom surface end of a SOI layer in the vicinity of bottom of a trench, and form a STI region. - 特許庁
素子分離溝９、１９の内面に沿って、それぞれ熱酸化処理、ＬＰ−ＣＶＤ法によって２３［ｎｍ］以上の膜厚でシリコン酸化膜１０ａ、１０ｂ、２０ａ、２０ｂが形成されている。例文帳に追加
Silicon oxide films 10a, 10b, 20a, 20b are formed at a thickness of ≥23 [nm] by thermal oxidation processing and an LP-CVD method along the internal surface of the element isolation grooves 9, 19. - 特許庁
基板に凹凸部、例えば深い溝部や段差部が存在する場合であっても、前記凹凸部に酸化タンタル薄膜を均一な厚さで被覆することができる酸化タンタル薄膜の形成方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method of forming tantalum oxide thin film, by which a tantalum oxide thin film with a uniform thickness can be coated on a concavity and convexity portion of a substrate even if the concavity and convexity portion such as a deep groove or a step exists on the substrate. - 特許庁
溝内に酸化しやすい銅等の配線材料を埋め込む際、前記配線材料の酸化を防ぎ、且つ、工程を簡略化した新規な半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide a new manufacturing method of a semiconductor device, which prevents a wiring material from being oxidized when the above wiring material which is easily oxidized such as a copper material is buried in a groove formed in a photoresist and a layer type film, and simplifies a process of performing a chemical and mechanical process on the layer type film. - 特許庁
この方法はまた、溝２４の上方における酸化膜２６の上面が窒化膜２３の表面より高い位置になるように、半導体基板２１の上方全体に酸化膜２６を堆積する工程を有する。例文帳に追加
Further, the method includes a process of depositing an oxide film 26 entirely over the semiconductor substrate 21 such that the upper surface of the oxide film 26 above the groove 24 is positioned to be higher than the surface of the nitride film 23. - 特許庁
高いアスペクト比で狭い幅の溝に、シリコン酸化膜を埋め込むことの可能な、スループットの高い半導体製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method of manufacturing a semiconductor device having high throughput capable of embedding a silicon oxide film into a narrow groove with high aspect ratio. - 特許庁
半導体基板の表面上又は上方に形成された溝の内面にＨＤＰ法による第１のシリコン酸化膜の成膜をスタートする。例文帳に追加
Formation of first silicon oxide films is started on the inner surfaces of the trenches formed on a surface or an upper part of a semiconductor substrate by using the HDP method. - 特許庁
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