酸化電圧の英語

厚み付加部分４２は、シリコン酸化膜４０の反転電圧を上げる。例文帳に追加

The additional thickness 42 increases the reversal voltage of the silicon oxide film 40. - 特許庁

具体的には、陽極酸化するための化成電圧を変化させる。例文帳に追加

Practically, a formation voltage for the anodic oxidation is varied. - 特許庁

酸化亜鉛および酸化ビスマスを含む組成物を焼結して得られる焼結体からなる電圧非直線抵抗体であって、添加する酸化アンチモンと酸化ビスマスとのモル比率が０．３〜１．５、酸化ビスマスと酸化アンチモンの総和が１．０〜３．０モル％であることを特徴とする電圧非直線抵抗体である。例文帳に追加

The molar ratio between added antimony oxide and bismuth oxide is adjusted to be 0.3-1.5, and the sum total of the bismuth oxide and antimony oxide is adjusted to 1.0-3.0 mol%. - 特許庁

電圧クランプは所定の電圧でブレークダウンするように設計され、過大なソース−ゲート電圧によるゲート酸化層の損傷を防ぐ。例文帳に追加

The voltage clamp is designed so as to break down at a predetermined voltage and thereby prevent its gate oxide layer from being damaged by an excessive source-gate voltage. - 特許庁

高電圧用トランジスタに形成される高電圧用ゲート酸化膜と、低電圧用トランジスタに形成される低電圧用ゲート酸化膜との表面段差を最小化することが可能な半導体素子のゲート酸化膜形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of forming a gate oxide film for a semiconductor device, which can minimize the difference in surface level between a high-voltage gate oxide film, formed at a high-voltage transistor and a low-voltage gate oxide film formed at a low-voltage transistor. - 特許庁

低電圧用ゲート酸化膜に比べて厚い高電圧用ゲート酸化膜を形成する際にバーズビーク現象が防止できるようにする半導体素子の高電圧用ゲート酸化膜形成方法及び半導体素子の高電圧用トランジスタを提供する。例文帳に追加

To provide a formation method for a gate oxide film for high voltage of semiconductor element, and a transistor for high voltage of the semiconductor element with which bird's beak phenomena are prevented, when the gate oxide film for high voltage that is thicker than a gate oxide film for low voltage is formed. - 特許庁

その後、基板３を再酸化して低電圧用ＭＯＳトランジスタ形成領域１に第２の酸化膜８を形成し、高電圧用ＭＯＳトランジスタ形成領域２にはそれよりも厚い第３の酸化膜９を形成する。例文帳に追加

After that, the substrate 3 is reoxidized to form a second film 8 on the region 1 and a third oxide film 9 which is thicker than the film 8 is formed in a high-voltage MOS transistor forming region 2. - 特許庁

負電圧パルスの前若しくは後、又は負電圧パルスを分割した複数の負電圧パルス間に正電圧パルスを付加することにより、負電圧パルスの印加により発生した電極近傍のインク中の水酸化イオンＯＨ^−を酸化反応で消費する。例文帳に追加

A positive voltage pulse is applied thereto at the front or rear of the negative voltage pulse, or among a plurality of negative voltage pulses obtained by dividing a negative voltage pulse and then hydoxyl ion OH- in the ink in the vicinity of the electrode generated by applying the negative voltage pulse is consumed by oxidation reaction. - 特許庁