酸素ドナーの英語

デバイスメーカー側で実施される回路形成用熱処理での酸素ドナー発生を効果的に抑制できる低酸素濃度シリコンウェーハを用い、機械的強度が高く、且つ比較的安価で、、ＣＯＰ（ Crystal Originated Particle ）フリーの高抵抗シリコンウェーハを提供する。例文帳に追加

To provide a relatively inexpensive, high-resistance silicon wafer which is free of COP (Crystal Originated Particle) and has high mechanical strength using a low-oxygen concentration silicon wafer which effectively inhibits generation of oxygen donors during heat-treatment performed by a device manufacturer for circuit formation. - 特許庁

シリコンウェーハの貼り合わせを行う際に、表面からの距離にマージンを持たせて酸素濃度のプロファイルを制御でき、高いシリコンウェーハの強度を維持し、かつ、デバイス製造工程中の酸素ドナーの発生を抑制できるシリコンウェーハを提供する。例文帳に追加

To provide a silicon wafer which maintains high strength by allowing the control of an oxygen concentration profile with a margin in a distance from a surface when being laminated, and can suppress the generation of an oxygen donor during a device manufacturing process. - 特許庁

シリコンウェーハの表層の酸素濃度を低減し、ウェーハ工程で表層の酸素析出物を消滅させるとともに、デバイス工程で酸素のドナー化を防止でき、また、シリコンウェーハの内部の空孔濃度を増加し、ウェーハ内部のゲッタリング能力を向上でき、更に、研磨時のダメージを除去できる、シリコンウェーハの製造方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a silicon wafer by which an oxygen concentration at the surface layer of the silicon wafer is reduced to make an oxygen deposit disappear from the surface layer in a wafer step and to prevent oxygen transformation into donors in a device step, a hole concentration inside the silicon wafer is increased to improve gettering performance inside the wafer, and polishing damage to the wafer is eliminated. - 特許庁

これにより、水素ラジカルが酸化物透明導電膜結晶の酸素欠損の生成を促進し、その結果、金属原子とドナー原子との置換が促進されてキャリア濃度が増大される。例文帳に追加

Hydrogen radicals promote generation of oxygen deficiency in crystals of the transparent conductive oxide film, and as a result, substitution of metal atoms for donor atoms is promoted to increase the carrier concentration. - 特許庁

ゲッタリング能及び経済性に優れ、しかもデバイスメーカーの側で実施される回路形成用熱処理での酸素サーマルドナーの発生を効果的に抑制できる高抵抗シリコンウエーハを製造する。例文帳に追加

To manufacture a high resistance silicon wafer whose gettering performance and economical efficiency are excellent, capable of effectively suppressing the generation of an oxygen thermal donor by thermal treatment for circuit formation performed at a device maker side. - 特許庁

酸化物半導体膜１４や絶縁膜１２，１８、あるいはこれらの界面における酸素空孔起因の欠陥（過剰電子ドナーを生成する欠陥）を制御できる。例文帳に追加

This way, defects caused by oxygen vacancy (defects of generating excessive electron donors) in the oxide semiconductor film 14, in the insulation films 12 and 18, or in the interface therebetween can be controlled. - 特許庁

ゲッタリング能、機械的強度及び経済性に優れ、しかもデバイスメーカーの側で実施される回路形成用熱処理での酸素サーマルドナーの発生を効果的に抑制できる高抵抗シリコンウエーハを製造する。例文帳に追加

To manufacture a high resistor silicon wafer excellent in gettering ability, mechanical strength and economical efficiency while effectively suppressing the occurrence of oxygen thermal donor in heat treatment for forming a circuit, which is carried out at a device maker side. - 特許庁

活性酸素を含有する気体を、ＯＨ型四級アミンを有する強塩基性樹脂またはそれとハイドロジェンドナーとの反応生成物樹脂と接触せしめることを基本とする一連の発明。例文帳に追加

This is constituted of a series of inventions on the basis of making the gas containing active oxygen into contact with a strongly basic resin having an OH type quaternary amine or a resin of its reaction product with a hydrogen donor. - 特許庁