酸素ドープの英語

酸素濃度が比較的低くても、酸素析出物が多く、ゲッタリング能力の高い砒素ドープシリコンウェーハを生産性よく製造できる砒素ドープシリコンウェーハの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing an arsenic-doped silicon wafer capable of productively manufacturing the arsenic-doped silicon wafer having a large amount of an oxygen deposit and high gettering capacity even if an oxygen concentration is relatively low. - 特許庁

本発明の製造方法は、プレーナ型受光素子の高耐圧用パシベーション膜として半絶縁性酸素ドープ多結晶シリコン膜を有する双方向フォトサイリスタの製造方法であって、半絶縁性酸素ドープ多結晶シリコン膜の屈折率を測定する工程と、測定した屈折率に基き半絶縁性酸素ドープ多結晶シリコン膜の酸素濃度を推定する工程とを備える。例文帳に追加

The method of manufacturing a bidirectional photo thyristor having a semiinsulating oxygen-doped polycrystalline silicon film as a high voltage withstanding passivation film of a planar type light receiving device comprises a step of measuring the refractive index of the semiinsulating oxygen-doped polycrystalline silicon film, and a step of estimating the oxygen concentration of the semiinsulating oxygen-doped polycrystalline silicon film, based on the measured refractive index. - 特許庁

酸素濃度を推定する工程は、半絶縁性酸素ドープ多結晶シリコン膜の屈折率と酸素濃度との相関データを、酸素濃度の推定前に予め蓄積する工程と、酸素濃度の推定時に、蓄積している相関データと屈折率の測定データとに基き酸素濃度を推定する工程とを備えることを特徴とする。例文帳に追加

The step of estimating the oxygen concentration comprises a step of previously accumulating correlation data of the refractive index and the oxygen concentration of the semiinsulating oxygen-doped polycrystalline silicon film before estimating the oxygen concentration, and a step of estimating the oxygen concentration, based on the accumulated correlation data and the measured data of the refractive index at estimating the oxygen concentration. - 特許庁

炭素と、酸素と、窒素とを含むドープされた結晶性半導体合金を、薄膜ソーラーセルの電荷収集層として用いる。例文帳に追加

Doped crystalline semiconductor alloys including carbon, oxygen and nitrogen are used as charge collection layers for thin-film solar cells. - 特許庁

本発明の炭素ドープ酸化チタンは、酸素原子を有するチタン化合物と炭素源との混合物を焼成処理することにより製造できる。例文帳に追加

The carbon-doped titanium oxide is produced by calcining a mixture of a titanium compound having oxygen atoms and a carbon source. - 特許庁

ドープ・ガラス層３０は、硼珪酸塩ガラス（boron silicate glass）含み、酸素と硼素のイオン注入により形成することができる。例文帳に追加

The doped glass layer 30 contains boron silicate glass and it can be formed by ion implantation of oxygen and boron. - 特許庁

ドープ・ガラス層３０は、燐珪酸塩ガラス（phosphorous silicate glass）を含み、燐と酸素のイオン注入により形成することができる。例文帳に追加

The doped glass layer 30 contains phosphorous silicate glass and it can be formed by ion implantation of phosphorous and oxygen. - 特許庁

グレーティング形成用石英ガラスのＳｎ共ドープを酸素欠乏環境下で行うことにより、ＧｅＥ’centerの誘起を促進させる。例文帳に追加

The induction of GeE' center is accelerated by co-doping Sn into quartz glass for forming grating under an oxygen-deficient environment. - 特許庁