「酸素ドープ」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

このＡｌＧａＡｓ層の酸素ドープ濃度は好ましくは２×１０^17cm^-3以上とする。例文帳に追加

The doped oxygen concentration of the AlGaAs layer is set to be preferably ≥2×10^17cm^-3. - 特許庁

詳しくは、第１材料が、酸窒化物、窒素がドープされた酸化物、もしくは、酸素がドープされた窒化物である。例文帳に追加

In details, the first material is oxynitride, oxide doped with nitrogen, or nitride doped with oxygen. - 特許庁

酸素濃度が比較的低くても、酸素析出物が多く、ゲッタリング能力の高い砒素ドープシリコンウェーハを生産性よく製造できる砒素ドープシリコンウェーハの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing an arsenic-doped silicon wafer capable of productively manufacturing the arsenic-doped silicon wafer having a large amount of an oxygen deposit and high gettering capacity even if an oxygen concentration is relatively low. - 特許庁

本発明の製造方法は、プレーナ型受光素子の高耐圧用パシベーション膜として半絶縁性酸素ドープ多結晶シリコン膜を有する双方向フォトサイリスタの製造方法であって、半絶縁性酸素ドープ多結晶シリコン膜の屈折率を測定する工程と、測定した屈折率に基き半絶縁性酸素ドープ多結晶シリコン膜の酸素濃度を推定する工程とを備える。例文帳に追加

The method of manufacturing a bidirectional photo thyristor having a semiinsulating oxygen-doped polycrystalline silicon film as a high voltage withstanding passivation film of a planar type light receiving device comprises a step of measuring the refractive index of the semiinsulating oxygen-doped polycrystalline silicon film, and a step of estimating the oxygen concentration of the semiinsulating oxygen-doped polycrystalline silicon film, based on the measured refractive index. - 特許庁

酸素濃度を推定する工程は、半絶縁性酸素ドープ多結晶シリコン膜の屈折率と酸素濃度との相関データを、酸素濃度の推定前に予め蓄積する工程と、酸素濃度の推定時に、蓄積している相関データと屈折率の測定データとに基き酸素濃度を推定する工程とを備えることを特徴とする。例文帳に追加

The step of estimating the oxygen concentration comprises a step of previously accumulating correlation data of the refractive index and the oxygen concentration of the semiinsulating oxygen-doped polycrystalline silicon film before estimating the oxygen concentration, and a step of estimating the oxygen concentration, based on the accumulated correlation data and the measured data of the refractive index at estimating the oxygen concentration. - 特許庁

炭素と、酸素と、窒素とを含むドープされた結晶性半導体合金を、薄膜ソーラーセルの電荷収集層として用いる。例文帳に追加

Doped crystalline semiconductor alloys including carbon, oxygen and nitrogen are used as charge collection layers for thin-film solar cells. - 特許庁

本発明の炭素ドープ酸化チタンは、酸素原子を有するチタン化合物と炭素源との混合物を焼成処理することにより製造できる。例文帳に追加

The carbon-doped titanium oxide is produced by calcining a mixture of a titanium compound having oxygen atoms and a carbon source. - 特許庁

ドープ・ガラス層３０は、硼珪酸塩ガラス（boron silicate glass）含み、酸素と硼素のイオン注入により形成することができる。例文帳に追加

The doped glass layer 30 contains boron silicate glass and it can be formed by ion implantation of oxygen and boron. - 特許庁

ドープ・ガラス層３０は、燐珪酸塩ガラス（phosphorous silicate glass）を含み、燐と酸素のイオン注入により形成することができる。例文帳に追加

The doped glass layer 30 contains phosphorous silicate glass and it can be formed by ion implantation of phosphorous and oxygen. - 特許庁

グレーティング形成用石英ガラスのＳｎ共ドープを酸素欠乏環境下で行うことにより、ＧｅＥ’centerの誘起を促進させる。例文帳に追加

The induction of GeE' center is accelerated by co-doping Sn into quartz glass for forming grating under an oxygen-deficient environment. - 特許庁

ノンドープの酸化亜鉛ターゲットを用い、また、放電ガスとしてＡｒガスと酸素ガスとを用い、スパッタ法によって酸化亜鉛膜を形成する。例文帳に追加

A zinc-oxide film is formed by a sputtering method, in which a non-doped zinc-oxide target and Ar gas and oxygen gas for the discharge gas are used. - 特許庁

加熱炉の抽出口３側には、複数の空気／燃料バーナ４１（酸素ドープ式であっても良い）を備えた加熱ゾーン４が設けられている。例文帳に追加

At the ejecting hole 3 side of the heating furnace, a heating zone 4 provided with plural air/fuel burners 41 (may be used to an oxygen dope type). - 特許庁

酸化シリコン膜５１上に形成された酸素ドープ半絶縁性多結晶シリコン膜３９の上に、第２の酸化シリコン膜５４を形成する。例文帳に追加

A second silicon oxide film 54 is formed on an oxygen doped semi-insulating polysilicon film 39 deposited on a silicon oxide film 51. - 特許庁

酸素起因欠陥を有しかつボロンドープしたシリコンウェーハ中の鉄濃度をＳＰＶ法を用いて測定する。例文帳に追加

Concentration of iron in a boron-doped silicon wafer including the defect resulting from oxygen is measured with the SPV method. - 特許庁

ｐｎ積層構造層４に代えて、又はこれに加えて、酸素ドープＡｌＧａＡｓ層３を高抵抗層として設けてもよい。例文帳に追加

An oxygen doped AlGaAs layer 3 may be provided as a high resistance layer in place of or in addition to the pn multilayer structure layer 4. - 特許庁

さらに、結晶粒界６にＰｔ−Ｔｉ−Ｏ領域を有するプラチナ微結晶５の下に、酸素ドープチタン膜３(酸素をドープした非晶質のチタン、非晶質酸化チタン、または、酸化チタン微結晶が混じり合った膜)を形成した構造とする。例文帳に追加

Also, the gate structure has an oxygen-dope titanium membrane 3 (the film is mixed with amorphous titanium that oxygen is doped, and amorphous titanium oxide or titanium oxide microcrystals) below the platinum microcrystals 5 with the Pt-Ti-O region in the grain boundary 6. - 特許庁

酸化シリコン膜上に酸素ドープ半絶縁性多結晶シリコン膜を堆積したパシベーション構造のプレーナ型フォトサイリスタチップにおいて、酸素ドープ半絶縁性多結晶シリコン膜のオーバーエッチングによる分断を防止する。例文帳に追加

To obtain a planar photothyristor chip of such a passivation structure as an oxygen doped semi-insulating polysilicon film is deposited on a silicon oxide film in which the oxygen doped semi-insulating polysilicon film is prevented from being divided by overetching. - 特許庁

コレクタ層１６の全体もしくは一部に、ＧａＡｓよりもバンドギャップの広い酸素ドープＡｌＧａＡｓを使用し、又は、第一コレクタ層１６ｂと第二コレクタ層１６ａの一方又は双方を、ＧａＡｓよりもバンドギャップの広い酸素ドープしたＡｌＧａＡｓ層で構成する。例文帳に追加

Oxygen-doped AlGaAs having a band gap wider than that of GaAs is used in whole or part of a collector layer 16, or one or both of first and second collector layers 16b and 16a are made of an AalGaAs layer having a band gap wider than that of GaAs and doped with oxygen. - 特許庁

この液状原料Ｄは、好ましくは、熱可塑性ポリウレタン樹脂と、水溶性高分子化合物と、分子内に酸素原子又は窒素原子を含む含酸素／窒素有機溶媒とを含むポリマードープである。例文帳に追加

The liquid raw material D is a polymer dope preferably containing a thermoplastic polyurethane resin, a water-soluble polymer compound and an oxygen/nitrogen-containing organic solvent containing oxygen atoms or nitrogen atoms in the molecule. - 特許庁

この液状原料Ｄ_１、Ｄ_２は、熱可塑性ポリウレタン樹脂と、水溶性高分子化合物と、分子内に酸素原子又は窒素原子を含む含酸素／窒素有機溶媒とを含むポリマードープである。例文帳に追加

The liquid raw materials D_1, D_2 are polymer dopes containing thermoplastic polyurethane resins, water-soluble polymer compounds and oxygen/nitrogen-containing organic solvents containing oxygen atoms or nitrogen atoms in the molecules. - 特許庁

また、ＦｅドープＧａＮ層１４のＦｅ原子の密度は、ＦｅドープＧａＮ層１４中の酸素原子およびシリコン原子の合計の密度よりも高い。例文帳に追加

In addition, the density of the Fe atoms in the layer 14 is higher than a total of densities of oxygen atoms and silicon atoms in the layer 14. - 特許庁

および窒素ドープアニールウエーハであって、ＯＰＰにより測定される平均信号強度が１．５Ｖ以上であり、かつ、酸素析出物密度が１×１０^９個／ｃｍ^３以上である窒素ドープアニールウエーハ。例文帳に追加

The nitrogen-doped annealed wafer has a mean signal intensity of 1.5 V or higher, as measured by an OPP and an oxygen deposit density of 1×109 number/cm3 or larger. - 特許庁

酸素がドープされたｎ型の窒化物系半導体からなる基板と、前記基板の上面上に形成された、Si、Se及びGeのいずれかがドープされたｎ型の窒化物系半導体層とを窒化物系半導体素子が備える。例文帳に追加

The nitride-based semiconductor device comprises a substrate made of an n-type nitride-based semiconductor doped with hydrogen, and an n-type nitride-based semiconductor layer doped with one of Si, Se, and Ge formed on the upper surface of the substrate. - 特許庁

高ボロンドープシリコンウエーハであって、酸素濃度が低くてもゲッタリング能力が高い高ボロンドープシリコンウエーハ及び該ウエーハを基板ウエーハに用いて成長されたエピタキシャルウエーハを提供する。例文帳に追加

To obtain an epitaxial silicon wafer containing heavy metal impurities in an extremely low concentration in an epitaxial layer in high productivity by using a boron-doped single silicon crystal wafer having a low oxygen concentration and capable of easily depositing oxides. - 特許庁

カーボンの還元作用でチタン酸リチウムに酸素欠損を発生させ、その酸素欠損部に窒素をドープしたチタン酸リチウムナノ粒子、このチタン酸リチウムナノ粒子とカーボンの複合体、及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide lithium titanate nanoparticles in which oxygen defects are generated in lithium titanate by means of the reducing action of carbon, and nitrogen is doped in the oxygen defect sites, and to provide a composite of the lithium titanate nanoparticles and carbon, and to provide a method for producing the composite. - 特許庁

少なくとも一方の層に例えば酸素を含ませて真性型シリコン層と不純物ドープ層とを基板に形成する工程（工程Ｐ６）と、基板に形成されたこれらの酸素を含む真性型シリコン層および不純物ドープ層を介して低周波水素プラズマ処理を施す工程（工程Ｐ７）と、を含む。例文帳に追加

The manufacturing method includes a step (step P6) in which an intrinsic silicon layer and an impurity doped layer are formed on the substrate, with oxygen, for example, being contained at least in one of the layers, and a step (step P7) in which a low frequency hydrogen plasma treatment is applied through the intrinsic silicon layer and the impurity doped layer formed on the substrate and containing the oxygen. - 特許庁

ＣＺ法によって育成されたシリコン単結晶ウエーハであって、窒素がドープされ、全面Ｎ−領域からなり、かつ格子間酸素濃度が８ｐｐｍａ以下、或は窒素がドープされ、全面から少なくともボイド型欠陥と転位クラスターが排除されており、かつ格子間酸素濃度が８ｐｐｍａ以下であるシリコン単結晶ウエーハおよびその製造方法。例文帳に追加

This silicon single crystal wafer grown by the CZ method is doped with nitrogen and composed of the N-region in the whole region and has ≤8 ppma interstitial oxygen concentration or at least the void-type defects and the dislocation clusters are eliminated from the whole region in the silicon single crystal wafer doped with nitrogen and having ≤8 ppma interstitial oxygen concentration. - 特許庁

本発明の有機化合物の酸化方法は、酸化チタンに炭素原子がドープされた炭素ドープ酸化チタンからなる光触媒の存在下、被酸化部位を有する有機化合物を光照射下に分子状酸素又は過酸化物により酸化することを特徴とする。例文帳に追加

In the presence of a photocatalyst composed of the carbon-doped titanium oxide, an organic compound having a part to be oxidized is oxidized with a molecular oxygen or a peroxide under an irradiation of light. - 特許庁

そして、Ｎ型シリコン基板上における左側のＰゲート拡散領域２３と右側のＰゲート拡散領域２３'との間であって、ＣＨ1とＣＨ2との間に、リンがドープされた酸素ドープ半絶縁多結晶シリコン膜３５aでなるチャネル分離領域２９が形成されている。例文帳に追加

Between a p-gate diffusion region 23 on the left side and a p-gate diffusion region 23' on the right side on an n-type silicon substrate, and in between the CH1 and the CH2, a channel isolation region 29 is formed of an oxygen doped semi-insulating polycrystalline silicon film 35a doped with phosphorus. - 特許庁

複合層２０は、ケイ素含有の化合物、例えば、酸化ケイ素、窒化ケイ素、あるいは、それらの混合物である誘電材料１６と、相変化物質、窒素をドープした相変化物質、あるいは、酸素をドープした相変化物質である低熱伝導材料１８、との交錯層、あるいは、混合層である。例文帳に追加

The composite layer 20 is a complex layer or a mixed layer of the dielectric material 16 which is a silicon-containing compound, for example, silicon oxide, silicon nitride or a mixture of them, and the low heat-conducting material 18 which is a phase change material, a phase change material doped with nitrogen, or a phase change material doped with oxygen. - 特許庁

そして、Ｎ型シリコン基板上における左側のＰゲート拡散領域２３と右側のＰゲート拡散領域２３'との間であって、ＣＨ1とＣＨ2との間に、リンがドープされた酸素ドープ半絶縁多結晶シリコン膜３５aでなるチャネル分離領域２９が形成されている。例文帳に追加

A channel separation area 29 composed of an oxygen dope semi-insulating multicrystal silicon film 35a wherein phosphorous is doped, is formed between a left-side p gate diffusion area 23 and a right-side p gate diffusion area 23' on an n-type silicon substrate, and between the CH1 and the CH2. - 特許庁

ＨＦＥＴ１００は、凹凸加工されたａ面サファイア基板１０１上に、ｍ面を主面とするＧａＮからなるバッファ層１０２、ノンドープのＧａＮからなるチャネル層１０３、ノンドープのＡｌＧａＮからなる障壁層１０４、酸素ドープのｎ−ＡｌＧａＮからなるキャリア供給層１０５を有している。例文帳に追加

An HFET 100 comprises, on an a-plane sapphire substrate 101 in a stripe shape, a buffer layer 102 composed of GaN having an m-plane as a primary surface, a channel layer 103 composed of non-doped GaN, a barrier layer 104 composed of non-doped AlGaN, and a carrier supply layer 105 composed of oxygen-doped n-AlGan. - 特許庁

光触媒層としては、炭素がドープされた炭素ドープ酸化チタン層や炭素ドープチタン合金酸化物層であり、このような光触媒層は、少なくとも表面層がチタン、チタン合金、チタン合金酸化物、酸化チタンなどからなる基体の表面を、炭素、酸素を含む化学種が表面に供給される雰囲気下で加熱処理することにより形成できる。例文帳に追加

The photocatalyst layer is a carbon-doped titanium oxide layer or a carbon-doped titanium alloy oxide layer and is formed by heat-treating the surface of the base body, the surface layer of which consists of titanium, a titanium alloy, a titanium alloy oxide, titanium oxide or the like at the least, in such an atmosphere that chemical pieces containing carbon and oxygen are supplied to the surface of the base body. - 特許庁

その水素化ガリウムガスの発生に伴って発生する水分子由来の酸素を、窒化ガリウムの結晶を成長させる工程においてｎ型ドーパントとして窒化ガリウム結晶にドープする。例文帳に追加

Oxygen derived from water molecules generating associated with generation of the gallium hydride gas is used as a n-dopant to dope the gallium nitride crystal in a process of growing the gallium nitride crystal. - 特許庁

拡散バリアは、１又は複数の種類のイオン、例えば、酸素、窒素、フッ素、シリコン、ゲルマニウム、又はキセノン・イオン（しかし、これらに限定されない）でドープされる。例文帳に追加

A diffusion barrier is doped by one or two or more types of ions of for example, oxygen, nitrogen, fluorine, silicon, germanium, or xenon (however not limited to these). - 特許庁

この分散体を窒素雰囲気中で加熱することにより、５〜２０ｎｍの酸素欠損を有し、窒素がドープされたチタン酸リチウムナノ粒子を高分散担持させたカーボンを生成する。例文帳に追加

A carbon having oxygen deficiency of 5 to 20 nm, and carrying nitrogen-doped lithium titanate nanoparticles with high dispersion is produced by heating the dispersion in a nitrogen atmosphere. - 特許庁

炭化チタンを空気もしくは酸素雰囲気中で焼成することにより高活性光触媒炭素ドープ二酸化チタンからなる光触媒材料の作製する。例文帳に追加

The photocatalyst material comprising highly active photocatalyst carbon-doped titanium dioxide is manufactured by calcining titanium carbide in air or oxygen atmosphere. - 特許庁

酸化物半導体膜を有するボトムゲート構造のトランジスタの作製工程において、熱処理による脱水化または脱水素化処理、及び酸素ドープ処理を行う。例文帳に追加

A manufacturing process of a bottom gate structure transistor having an oxide semiconductor film comprises performing dehydration by heat treatment or a dehydrogenation treatment, and oxygen dope processing. - 特許庁

酸素濃度と各種金属イオンドープリチウム系マンガンスピネル化合物の電池特性の関係を明確にし、リチウムイオン二次電池の電池特性に優れた正極材の開発。例文帳に追加

The positive electrode material having the cell characteristics in the lithium ion secondary cell is obtained by clarifying the relation between the concentration of oxygen and the cell characteristics in various metallic ion-doped lithium based manganese spinal compound. - 特許庁

銅二価塩や鉄三価塩が酸素の多電子還元触媒として作用することを利用して、可視光照射下において、金属イオンドープ酸化チタンに高い酸化分解活性を発現させることができる。例文帳に追加

The metal ion-doped titanium oxide is enabled to exhibit high oxidation and decomposition activity under visible light radiation by utilizing that the cupric salt and/or the ferric salt can work as a multi-electron reduction catalyst. - 特許庁

第２ガス供給系４は、ドープによって被処理膜の表面に吸着した燐を酸化させるためにウエハＷに対して酸素ガスを供給する。例文帳に追加

A second gas supply system 4 supplies oxygen gas to the wafer W, for oxydizing the phosphorus absorbed by a surface of the film to be processed by doping. - 特許庁

酸素ドープ半絶縁性多結晶シリコン膜３９と電極４２とのコンタクト部３０において、酸化シリコン膜５４をウエットエッチングにより選択的に除去する。例文帳に追加

At the contact part 30 of the oxygen doped semi-insulating polysilicon film 39 and an electrode 42, the silicon oxide film 54 is removed selectively by wet etching. - 特許庁

ＣＺ法によって窒素をドープしたシリコン単結晶棒を、窒素濃度、酸素濃度、及び冷却速度を制御しつつ育成し、該シリコン単結晶棒をウエーハに加工するシリコンウエーハの製造方法。例文帳に追加

This method for producing a silicon wafer comprises growing a silicon single crystal rod doped with nitrogen by CZ method while controlling a nitrogen concentration, an oxygen concentration and a cooling rate and processing the silicon single crystal rod into a wafer. - 特許庁

透明電極とドープ層との界面近傍に、それ以外の部分と比べて酸素濃度を少なくしたインジウム錫酸化物の低酸化濃度層を設ける。例文帳に追加

A low oxidation concentration layer of indium tin oxide whose oxygen concentration is low as compared with that of the other part is arranged in the vicinity of an interface between the transparent electrode and the doped layer. - 特許庁

酸化シリコン膜５４上に形成された窒化シリコン膜５３をプラズマエッチングする際に、酸化シリコン膜５４によって酸素ドープ半絶縁性多結晶シリコン膜３９が保護される。例文帳に追加

At the time of plasma etching a silicon nitride film 53 formed on the silicon oxide film 54, the silicon oxide film 54 is protected by the silicon oxide film 54. - 特許庁