「"酸素ドープ"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

双方向フォトサイリスタに使用する半絶縁性酸素ドープ多結晶シリコン膜における酸素濃度を精度良く測定する。例文帳に追加

To satisfactorily measure the oxygen concentration in a semiinsulating oxygen-doped polycrystalline silicon film used for a bidirectional photo thyristor. - 特許庁

加熱炉の抽出口３側には、複数の空気／燃料バーナ４１（酸素ドープ式であっても良い）を備えた加熱ゾーン４が設けられている。例文帳に追加

At the ejecting hole 3 side of the heating furnace, a heating zone 4 provided with plural air/fuel burners 41 (may be used to an oxygen dope type). - 特許庁

酸化シリコン膜５１上に形成された酸素ドープ半絶縁性多結晶シリコン膜３９の上に、第２の酸化シリコン膜５４を形成する。例文帳に追加

A second silicon oxide film 54 is formed on an oxygen doped semi-insulating polysilicon film 39 deposited on a silicon oxide film 51. - 特許庁

ｐｎ積層構造層４に代えて、又はこれに加えて、酸素ドープＡｌＧａＡｓ層３を高抵抗層として設けてもよい。例文帳に追加

An oxygen doped AlGaAs layer 3 may be provided as a high resistance layer in place of or in addition to the pn multilayer structure layer 4. - 特許庁

酸化シリコン膜上に酸素ドープ半絶縁性多結晶シリコン膜を堆積したパシベーション構造のプレーナ型フォトサイリスタチップにおいて、酸素ドープ半絶縁性多結晶シリコン膜のオーバーエッチングによる分断を防止する。例文帳に追加

To obtain a planar photothyristor chip of such a passivation structure as an oxygen doped semi-insulating polysilicon film is deposited on a silicon oxide film in which the oxygen doped semi-insulating polysilicon film is prevented from being divided by overetching. - 特許庁

コレクタ層１６の全体もしくは一部に、ＧａＡｓよりもバンドギャップの広い酸素ドープＡｌＧａＡｓを使用し、又は、第一コレクタ層１６ｂと第二コレクタ層１６ａの一方又は双方を、ＧａＡｓよりもバンドギャップの広い酸素ドープしたＡｌＧａＡｓ層で構成する。例文帳に追加

Oxygen-doped AlGaAs having a band gap wider than that of GaAs is used in whole or part of a collector layer 16, or one or both of first and second collector layers 16b and 16a are made of an AalGaAs layer having a band gap wider than that of GaAs and doped with oxygen. - 特許庁

酸化物半導体膜を有するボトムゲート構造のトランジスタの作製工程において、熱処理による脱水化または脱水素化処理、及び酸素ドープ処理を行う。例文帳に追加

A manufacturing process of a bottom gate structure transistor having an oxide semiconductor film comprises performing dehydration by heat treatment or a dehydrogenation treatment, and oxygen dope processing. - 特許庁

酸素ドープ半絶縁性多結晶シリコン膜３９と電極４２とのコンタクト部３０において、酸化シリコン膜５４をウエットエッチングにより選択的に除去する。例文帳に追加

At the contact part 30 of the oxygen doped semi-insulating polysilicon film 39 and an electrode 42, the silicon oxide film 54 is removed selectively by wet etching. - 特許庁

酸化シリコン膜５４上に形成された窒化シリコン膜５３をプラズマエッチングする際に、酸化シリコン膜５４によって酸素ドープ半絶縁性多結晶シリコン膜３９が保護される。例文帳に追加

At the time of plasma etching a silicon nitride film 53 formed on the silicon oxide film 54, the silicon oxide film 54 is protected by the silicon oxide film 54. - 特許庁

酸化物半導体膜を有するボトムゲート構造のトランジスタの作製工程において、熱処理による脱水化または脱水素化処理、及び酸素ドープ処理を行う。例文帳に追加

In steps for manufacturing a bottom-gate structure transistor having an oxide semiconductor film, dehydration or dehydrogenation treatment by heat treatment, and oxygen doping treatment are performed. - 特許庁

さらに、結晶粒界６にＰｔ−Ｔｉ−Ｏ領域を有するプラチナ微結晶５の下に、酸素ドープチタン膜３(酸素をドープした非晶質のチタン、非晶質酸化チタン、または、酸化チタン微結晶が混じり合った膜)を形成した構造とする。例文帳に追加

Also, the gate structure has an oxygen-dope titanium membrane 3 (the film is mixed with amorphous titanium that oxygen is doped, and amorphous titanium oxide or titanium oxide microcrystals) below the platinum microcrystals 5 with the Pt-Ti-O region in the grain boundary 6. - 特許庁

熱処理による脱水化または脱水素化処理及び酸素ドープ処理された酸化物半導体膜を有するトランジスタは、バイアス−熱ストレス試験（ＢＴ試験）前後においてもトランジスタのしきい値電圧の変化量が低減できており、信頼性の高いトランジスタとすることができる。例文帳に追加

The transistor having an oxide semiconductor film treated by dehydration or dehydrogenation treatment by heat treatment, and oxygen doping treatment, can reduce the amount of change of a threshold voltage of the transistor even before and after a bias-thermal stress test(BT test), and have high reliability. - 特許庁

そして、Ｎ型シリコン基板上における左側のＰゲート拡散領域２３と右側のＰゲート拡散領域２３'との間であって、ＣＨ1とＣＨ2との間に、リンがドープされた酸素ドープ半絶縁多結晶シリコン膜３５aでなるチャネル分離領域２９が形成されている。例文帳に追加

Between a p-gate diffusion region 23 on the left side and a p-gate diffusion region 23' on the right side on an n-type silicon substrate, and in between the CH1 and the CH2, a channel isolation region 29 is formed of an oxygen doped semi-insulating polycrystalline silicon film 35a doped with phosphorus. - 特許庁

そして、Ｎ型シリコン基板上における左側のＰゲート拡散領域２３と右側のＰゲート拡散領域２３'との間であって、ＣＨ1とＣＨ2との間に、リンがドープされた酸素ドープ半絶縁多結晶シリコン膜３５aでなるチャネル分離領域２９が形成されている。例文帳に追加

A channel separation area 29 composed of an oxygen dope semi-insulating multicrystal silicon film 35a wherein phosphorous is doped, is formed between a left-side p gate diffusion area 23 and a right-side p gate diffusion area 23' on an n-type silicon substrate, and between the CH1 and the CH2. - 特許庁

１０^１６ｃｍ^−３〜１０^２０ｃｍ^−３の濃度で酸素ドープされた六方晶系で｛０００１｝面方位の窒化ガリウム単結晶よりなり透明であって独立した円形のウエハであって表面側と裏面側から外周部を５゜〜３０゜の傾斜角でＣ面取りしたり、０．１〜０．５ｍｍの半径のＲ面取りをする。例文帳に追加

The wafer is an independently circular wafer of a hexagonal system doped with oxygen in a concentration of 10^16 cm^-3-10^20 cm^-3, far more transparent than a gallium nitride with the plane direction {0001}. - 特許庁

酸化物半導体膜を含むトランジスタの作製工程において、酸化物半導体膜に酸素ドープ処理を行い、その後、酸化物半導体膜及び酸化物半導体膜上に設けられた酸化アルミニウム膜に対して熱処理を行うことで、化学量論的組成比を超える酸素を含む領域を有する酸化物半導体膜を形成する。例文帳に追加

In a manufacturing process for a transistor including an oxide semiconductor film, an oxide semiconductor film containing a region including oxygen more than the stoichiometric composition is formed by performing oxygen doping process on the oxide semiconductor film and then performing thermal process on the oxide semiconductor film and an aluminum oxide film provided on the oxide semiconductor film. - 特許庁

酸素ドープ処理されたゲート絶縁膜、熱処理による脱水化または脱水素化処理された酸化物半導体膜を有するトランジスタは、バイアス−熱ストレス試験（ＢＴ試験）前後においてもトランジスタのしきい値電圧の変化量が低減できており、信頼性の高いトランジスタとすることができる。例文帳に追加

The transistor having a gate insulating film treated by oxide doping treatment and the oxide semiconductor film treated by dehydration or dehydrogenation treatment by heat treatment, can reduce the amount of change of a threshold voltage of the transistor even before and after a bias-thermal stress test(BT test), and have high reliability. - 特許庁

熱処理による脱水化または脱水素化処理を行った酸化物半導体膜を含み、且つ、作製工程において酸素ドープ処理されたトランジスタは、バイアス−熱ストレス試験（ＢＴ試験）前後においてもトランジスタのしきい値電圧の変化量が低減できており、信頼性の高いトランジスタとすることができる。例文帳に追加

The transistor having an oxide semiconductor film treated by dehydration or dehydrogenation treatment by heat treatment, and treated by oxygen doping treatment in steps for manufacturing the same, can reduce the amount of change of a threshold voltage of the transistor even before and after a bias-thermal stress test(BT test), and have high reliability. - 特許庁

ＨＦＥＴ１００は、凹凸加工されたａ面サファイア基板１０１上に、ｍ面を主面とするＧａＮからなるバッファ層１０２、ノンドープのＧａＮからなるチャネル層１０３、ノンドープのＡｌＧａＮからなる障壁層１０４、酸素ドープのｎ−ＡｌＧａＮからなるキャリア供給層１０５を有している。例文帳に追加

An HFET 100 comprises, on an a-plane sapphire substrate 101 in a stripe shape, a buffer layer 102 composed of GaN having an m-plane as a primary surface, a channel layer 103 composed of non-doped GaN, a barrier layer 104 composed of non-doped AlGaN, and a carrier supply layer 105 composed of oxygen-doped n-AlGan. - 特許庁

熱処理による脱水化または脱水素化処理を行った酸化物半導体膜を含み、且つ、作製工程において酸素ドープ処理されたトランジスタは、バイアス−熱ストレス試験（ＢＴ試験）前後においてもトランジスタのしきい値電圧の変化量が低減できており、信頼性の高いトランジスタとすることができる。例文帳に追加

The transistor including the oxide semiconductor film on which the dehydration or dehydrogenation process by heat treatment has been performed and on which the oxygen doping process has been performed in the manufacturing process, has a smaller amount of change in the threshold voltage of the transistor before and after the bias-thermal stress test (BT test), and therefore the transistor has high reliability. - 特許庁

ゼロクロス機能を得るためのＭＯＳＦＥＴを内蔵し、ＭＯＳＦＥＴのゲートを光駆動するためのフォトダイオードまたはフォトトランジスタを備え、絶縁膜上に酸素ドープ半絶縁膜を設けた高耐圧パッシベーション膜を有するフォトサイリスタ素子において、半絶縁膜の寄生容量によるゼロクロス動作不良を防いでＡＣ電圧に対して安定して動作させる。例文帳に追加

To prevent zero-cross operation failures by a parasitic capacitance of a semi-insulating film to operate stably an AC voltage in a photo-thyristor element incorporated with a MOSFET for obtaining a zero-cross function, comprising a photodiode or a phototransistor for photodriving a gate of the MOSFET, and having a high breakdown voltage passivation film provided with an oxygen dope semi-insulating film on an insulation film. - 特許庁

酸素濃度を推定する工程は、半絶縁性酸素ドープ多結晶シリコン膜の屈折率と酸素濃度との相関データを、酸素濃度の推定前に予め蓄積する工程と、酸素濃度の推定時に、蓄積している相関データと屈折率の測定データとに基き酸素濃度を推定する工程とを備えることを特徴とする。例文帳に追加

The step of estimating the oxygen concentration comprises a step of previously accumulating correlation data of the refractive index and the oxygen concentration of the semiinsulating oxygen-doped polycrystalline silicon film before estimating the oxygen concentration, and a step of estimating the oxygen concentration, based on the accumulated correlation data and the measured data of the refractive index at estimating the oxygen concentration. - 特許庁

酸素ドープ処理されたゲート絶縁膜、熱処理による脱水化または脱水素化処理された酸化物半導体膜を有するトランジスタは、バイアス−熱ストレス試験（ＢＴ試験）前後においてもトランジスタのしきい値電圧の変化量が低減できており、信頼性の高いトランジスタとすることができる。例文帳に追加

A transistor having a gate insulation film on which the oxygen dope processing is performed, and an oxide semiconductor film on which dehydration by heat treatment or dehydrogenation treatment is performed can reduce an amount of change of a threshold voltage of the transistor even before and after a bias-thermal stress test (BT test), and can be highly reliable. - 特許庁