非消去記憶装置の英語

非選択ブロックにおいて、メモリセルに保持されたデータの誤った消去動作を防ぐことができる不揮発性半導体記憶装置を提供する。例文帳に追加

To provide a nonvolatile semiconductor memory device preventing an erroneous erase operation of data held by a memory cell in a non-selective block. - 特許庁

不揮発性半導体記憶装置において、１つ、もしくは複数ブロックのデータ消去動作時に非選択ブロックのデータ破壊を防止する。例文帳に追加

To prevent the data destruction of a non-selection block at the data erasing operation of one or multiple blocks, in a nonvolatile semiconductor memory device. - 特許庁

データ記憶装置における記録媒体に対し、データエラーの原因を解析するための一部データの非消去と、個人情報保護のための全面データ消去と、を両立させることを目的とする。例文帳に追加

To satisfy both nonerasure of partial data for analyzing a cause of an data error and erasure of overall data for personal information protection, regarding a recording medium in a data storage device. - 特許庁

また、ページング選局機能が能動から非能動となるとページング記憶装置をなすタイマー部４ｂの計時が開始され一定時間の経過に伴い音声記憶部に録音されたページングの内容は消去される。例文帳に追加

The activated paging channel selecting function is made inactive, time counting of a timer part 4b included in the paging storage device is started, and contents of paging recorded in the sound storage part are erased after a certain time. - 特許庁

よって、ハードディスク駆動機構部が収納される密閉空間と、誤消去防止爪が配置される非密閉空間とが隔絶された状態を維持しながら誤消去防止爪をスライドさせることにより情報記憶装置へのデータの書き込みが可能か否かを簡便な構造で設定することができる。例文帳に追加

Consequently, it is possible to set whether data can be written to the information storage device with a simple structure by sliding an accidental erasure prevention tab while keeping the hermetically sealed space housing the hard disk drive mechanism part separated completely from the non-sealed space with the accidental erasure prevention tab disposed. - 特許庁

不揮発性半導体記憶装置１０００は、ワード線が非選択状態であってビット線を選択し、選択されたビット線上において過消去状態にあるセルのみを自己選択的に書戻しを行なう。例文帳に追加

A non-volatile semiconductor storage 1000 selects a bit line while a word line is not selected, and self-selectively rewrites only a cell in an over-erased state on the selected bit line. - 特許庁

レイアウト面積が小さく、消去非対象のメモリセルのしきい値電圧の変化を防止することが可能な不揮発性半導体記憶装置を提供する。例文帳に追加

To provide a nonvolatile semiconductor memory device having a small layout area and preventing the threshold voltage of memory cells not to be erased from varying. - 特許庁